HMC521ALC4 是一款紧凑型的砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC),采用正交(I/Q)混频架构,符合 RoHS 标准,采用 24 引脚无铅陶瓷芯片载体(LCC)封装。该电子元器件可作为镜像抑制混频器或单边带上变频器使用。其内部包含两个标准的双平衡混频单元和一个 90° 混合耦合器,均基于 GaAs 金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造。

该图片为引脚配置图
相比传统的混合式镜像抑制混频器和单边带上变频组件,HMC521ALC4 体积更小,并且无需引线键合,支持表面贴装制造技术,便于自动化生产与高密度集成。
特性
下变频器,工作频率范围:8.5 GHz 至 13.5 GHz
变频损耗:典型值 9 dB
镜像抑制比:典型值 27.5 dBc
本振(LO)到射频(RF)隔离度:典型值 39 dB
输入三阶截点(IIP3):典型值 16 dBm
中频(IF)带宽宽:直流至 3.5 GHz
封装尺寸:3.9 mm × 3.9 mm,24 引脚无铅陶瓷芯片载体(LCC)封装,面积仅 16 mm²
应用领域
微波及甚小口径终端(VSAT)无线电系统
测试测量设备
军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)以及指挥、控制、通信与情报(C3I)系统