基本连接
ADL5519 电子元器件规定最高工作频率可达 10 GHz。因此，低阻抗电源引脚之间必须具备足够的隔离。应向 VPSA、VPSB 和 VPSR 施加 3.3 V 至 5.5 V 的电源电压。建议在靠近这些电源引脚的位置连接 100 pF 和 0.1 μF 的电源去耦电容（见文中图片）。
LFCS P 封装底部的散热焊盘在内部连接到 COMR。为获得最佳热性能和电气性能，应将该焊盘焊接至低阻抗接地平面。
输入信号耦合
ADL5519 的输入是差分的，但通常以单端方式表征和使用。当以单端模式使用 ADL5519 时，INHA 和 INHB 引脚必须交流耦合，而 INLA 和 INLB 必须直流接地。建议使用的耦合电容为 47 nF、陶瓷 0402 封装电容器，适用于 1 MHz 至 10 GHz 的输入频率。耦合电容应尽量靠近 INHA、INHB 和 INLA、INLB 引脚安装。增大耦合电容值可降低输入级高通截止频率。
高通截止角频率由输入耦合电容与内部 10 pF 高旁路电容共同设定。INHA、INHB 和 INLA、INLB 上的直流电压约为比电源电压低一个二极管压降。
虽然输入可以进行电抗匹配，但通常不需要严格的电阻匹配。如文中图片所示，在输入耦合电容的信号侧并联一个外部 52.3 Ω 分流电阻，结合相对较低的高频输入阻抗，可在宽频带内实现良好的 50 Ω 匹配。
耦合时间常数（50 × Cc / 2）形成一个高通转角频率，其 -3 dB 衰减点为：
f_HP = 1 / (2π × 50 × Cc)
其中 C1 = C2 = C3 = C4 = Cc。若采用典型值 47 nF，则该高通转角频率约为 -68 kHz。在高频应用中，f_HP 应尽可能大，以最小化不需要的低频信号的耦合。在低频应用中，出于类似原因，可在输入端添加一个简单的 RC 网络构成低通滤波器。该低通滤波器一般应置于信号发生器一侧（即耦合电容之前），从而在给定高通转角频率下降低所需电容值。