ADG849是一款单芯片CMOS单刀双掷(SPDT)开关,采用+1.8 V至5.5 V电源供电。它具有超低导通电阻,典型值为0.5 Ω,因此非常适合要求极低开关失真的应用。
其电子元件引脚配置信息如下表:
| 符号/缩写 | 功能说明 |
| VDD | 最高正电源电压 |
| GND | 地(0 V)参考点 |
| IDD | 正电源电流 |
| S | 源极端子,可作为输入或输出 |
| D | 漏极端子,可作为输入或输出 |
| IN | 逻辑控制输入 |
| RON | D 与 S 之间的欧姆导通电阻 |
| ΔRON | 任意两通道间导通电阻匹配度,即 RON 最大值与最小值之差 |
| RFLAT(ON) | 导通电阻平坦度:在指定模拟信号范围内测得的最大与最小导通电阻之差 |
| IS (Off) | 开关关断时源极漏电流 |
| ID, IS (On) | 开关导通时通道漏电流 |
| VD (VS) | D、S 端子上的模拟电压 |
| VINL | 逻辑“0”的最大输入电压 |
| VINH | 逻辑“1”的最小输入电压 |
| IINL (IINH) | 数字输入端的输入电流 |
| CS (Off) | 关断状态下源极对地电容 |
| CD, CS (On) | 导通状态下漏极/源极对地电容 |
| tON | 从数字输入50%到90%点至开关完全导通所需延迟时间 |
| tOFF | 从数字输入50%到90%点至开关完全关断所需延迟时间 |
| tBBM | 从一个开关切换至另一个开关时,两个开关均处于80%状态的时间间隔(先断后合时间) |
| Charge Injection | 电荷注入:开关动作期间从数字输入耦合至模拟输出的毛刺脉冲量 |
| Crosstalk | 串扰:因寄生电容导致从一个通道耦合至另一通道的 unwanted 信号 |
| Off Isolation | 关断隔离度:通过关断开关耦合的 unwanted 信号程度 |
| Bandwidth | 带宽:输出衰减3 dB时的频率 |
| On-Response | 导通响应:开关导通状态下的频率响应 |
| Insertion Loss | 插入损耗:由开关导通电阻引起的信号损失 |
| THD + N | 总谐波失真加噪声:信号中谐波幅度与噪声之和相对于基波的比值 |