您现在的位置：首页 > 新闻资讯 > 知识工厂

MAX4644模拟开关电子元件的应用信息简单解析

2026/2/28 10:51:15

浏览次数: 0

MAX4644 电子元件工作于 +1.8 V 至 +5.5 V 的单电源电压范围。器件在该供电范围内均能保证正常工作，但仅当使用 +5 V 供电时，其 TTL/CMOS 逻辑兼容性才有效。所有电压电平均以 GND 为参考。

正负直流模拟输入或交流信号均可通过适当调整 V+ 和 GND 的电平来适配（例如：若需处理 ±2.5 V 信号，可设 V+ = +5 V, GND = 0 V；若需处理 0~3.3 V 信号，可设 V+ = +3.3 V, GND = 0 V）。

ESD 保护二极管结构

每个模拟信号引脚内部均连接有 ESD 保护二极管，分别连接至 V+ 和 GND。

如任一模拟信号电压超过 V+ 或低于 GND（见下图），其中一个二极管将导通，从而钳位过压。几乎所有模拟漏电流都来自这些 ESD 二极管流向 V+ 或 GND。

MAX4644模拟开关电子元件的应用信息简单解析

虽然同一信号引脚上的两个 ESD 二极管结构相同、特性对称，但由于偏置方式不同（一个由 V+ 偏置，另一个由 GND 偏置），它们的反向漏电流会随信号电压变化而不同。这两个二极管漏电流之差即构成“模拟信号路径漏电流”。

所有模拟漏电流均在各信号引脚与电源端子（V+ 或 GND）之间流动，而非在开关的两个模拟端之间流动。因此，即使开关两侧同时出现同极性或反极性的大漏电流，也不会相互影响。

无直流通路及内部逻辑供电

在模拟信号路径与 V+/GND 之间不存在正常工作的直流通路。V+ 和 GND 同时也为内部逻辑电路及逻辑电平转换器供电。

逻辑电平转换器负责将外部输入的 TTL/CMOS 逻辑电平转换为驱动模拟开关栅极所需的内部开关控制信号（即切换后的 V+ / GND 电平）。

上一篇：ADI(亚德诺)MAX4644单刀双掷（SPDT）模拟开关的简单介绍下一篇：MAX14778双路 4:1 模拟多路复用器是什么？简单介绍

在线留言询价

品牌

型号

数量

联系人

联系电话

邮箱

备注

在线咨询

推荐阅读

HMC349ALP4CE单刀双掷 (SPDT) 开关的工作原理是什么？

点击次数: 0

2026-02-28

HMC349ALP4CE 需要在 VDD 引脚施加正电源电压。建议在电源线上并联去耦电容，以最小化射频（RF）耦合干扰。该电子元器件在 RF 公共端口（RFC）和两个掷端（RF1、RF2）内部已匹配至 50 Ω，因此无需外部匹配元件。所有 RF 端口均为直流耦合（DC-coupled），若需隔离直流分量，则需在 RF 端口外接隔直电容。HMC349ALP4CE 内置驱动电路，用于实现内部逻辑功能，并为用户提供简化的控制接口。该驱动器设有两个数字控制输入引脚：CTRL 和 EN，用于控制 RF 路径的状态。当 EN 引脚为低电平时：CTRL 引脚的逻辑电平决定哪条 RF 路径处于“插入损耗”状态（即导通路径），另一条则处于“隔离”状态。导通路径将选中的 RF 掷端口信号传输至公共端口 RFC。隔离路径则在导通路径与未选中的 RF 掷端口之间提供高衰减，且该未选中端口终接于内部 50 Ω 电阻。当 EN 引脚为高电平时：开关进入“全关断”状态，两条 RF 路径均处于隔离状态，无论 CTRL 引脚为何种逻辑电平。此时，RF1 和 RF2 端口均终接于内部 50 Ω 电阻，RFC 端口呈现开路反射状态。开关设计为双向结构：无论 RF 输入信号是从 RFC 端口还是从选中的 RF 掷端口输入，其功率处理能力相同。此外，RF 信号也可施加于被终止的路径（即隔离路径），但该路径的功率承受能力低于导通路径（详见下图）。理想上电顺序首先接通 VDD 电源；然后施加 CTRL 和 EN 控制信号（二者相对顺序无关紧要）；最后接入 RF 输入信号。理想断电顺序与上电顺序相反：先移除 RF 输入信号；再关闭 CTRL 和 EN 控制信号；最后切断 VDD 电源。
ADI(亚德诺)ADG804低压CMOS多路复用器的简单描述

点击次数: 0

2026-02-28

ADG804 是一款低压 4 通道 CMOS 多路复用器电子元器件，包含四个独立单通道。该器件在整个温度范围内提供超低导通电阻（小于 0.8 Ω）。其数字输入可兼容 1.8 V 逻辑电平，而电源电压范围为 2.7 V 至 3.6 V。ADG804 根据 3 位二进制地址线 A0、A1 和使能引脚 EN 的状态，将四路输入中的一路切换至公共输出端 D。当 EN 引脚为逻辑“0”时，器件被禁用。ADG804 采用“先断后合”（Break-Before-Make）开关动作，避免信号短路或冲突。该器件完全规格化支持 3.3 V、2.5 V 和 1.8 V 三种电源电压工作模式，并提供 10 引脚 MSOP 封装。特性典型导通电阻：0.5 Ω最高导通电阻 @ 125°C：0.8 Ω工作电压范围：1.65 V 至 3.6 V汽车级温度范围：–40°C 至 +125°C高电流承载能力：连续 300 mA轨到轨开关操作（支持从 GND 到 VDD 的完整信号摆幅）快速开关时间：25 ns典型功耗：0.1 μW（超低静态功耗）应用领域MP3 播放器电源路由管理电池供电系统PCMCIA 卡蜂窝手机调制解调器音频与视频信号路由通信系统
了解ADI(亚德诺)MAX14778模拟多路复用器的应用信息（仅供参考）

点击次数: 0

2026-02-28

应用信息连接器共享（Connector Sharing）MAX14778 电子元器件支持每路输入/输出独立处理 ±25V 模拟信号范围，因此允许在不同接口类型之间实现物理连接器共享——即使这些接口的信号电平范围不同。一个多协议连接器共享应用实例：RS-232、半双工 RS-485、全速 USB 1.1 和音频信号共用同一个连接器。该器件允许各标准所规定的完整信号范围通过，同时安全隔离未使用的收发器，避免干扰或损坏。无供电状态（Non-Powered Condition）当 MAX14778 未上电时（即 VDD = 0V），其 A_、B_、ACOM、BCOM 引脚仍可耐受 ±25V 范围内的输入电压。此时，流入上述引脚的直流漏电流通常低于 1 μA。但受工艺离散性影响，部分器件漏电流可能高达 mA 级别。需要注意：当 VDD 未供电时，若对模拟引脚施加正/负电压，内部二极管会将外部电容（连接至 VP/VN）充电。这会导致瞬态输入电流流动。若输入端存在 large dv/dt（电压变化率），将产生大容性充电电流，必须限制在 300 mA 绝对最大额定值内，以防损毁内部二极管。若 VP/VN 外接 100 nF 电容，则一旦电容充至最终电压，dv/dt 必须限制在 3 V/μs 以内，否则输入电流会衰减至前述漏电流水平以下。高 ESD 保护（High-ESD Protection）所有引脚均内置静电放电（ESD）保护结构，可抵御高达 ±2 kV HBM（人体模型）的静电冲击，适用于正常操作及组装过程中的静电防护。其中，A_ 和 B_ 引脚额外提供高达 ±6 kV HBM 的增强型 ESD 保护，且不会造成器件损伤。关键特性：ESD 结构在器件有电和无电状态下均有效。经历 ESD 事件后，MAX14778 仍能正常工作，无闩锁效应（lat...
MAX14778双路 4:1 模拟多路复用器是什么？简单介绍

点击次数: 0

2026-02-28

MAX14778 是一款双路 4:1 模拟多路复用器，支持高达 ±25V 的模拟信号输入，仅需单电源 3.0 V 至 5.5 V 供电。每路多路复用器拥有独立的控制输入端，可实现独立开关操作，使其非常适合通过同一组连接器引脚对多种通信信号进行复用。该电子元器件具备扩展型 ESD 保护能力（人体模型 ±6kV），可直接与电缆和连接器 interfacing，无需额外保护元件。MAX14778 具有低至 1.5 Ω（最大值）的导通电阻和 3 mΩ（典型值）的导通电阻平坦度，可在整个共模电压范围内最大化信号完整性。每路多路复用器可承载高达 300 mA 的连续电流，且支持双向流通。该器件支持全速 USB 1.1 信号（12 Mbps）及最高达 20 Mbps 的 RS-485 数据速率切换。MAX14778 采用 20 引脚 TQFN（5 mm × 5 mm）封装，工作温度范围为 –40°C 至 +125°C，适用于工业级应用环境。具备特征优势单电源电压支持的宽信号范围消除了负电源•±25V信号范围•单路3.0V至5.5V电源两个独立的多路复用器•操作前先休息•1.5ΩRON（最大）•3mΩRON平整度（典型值）•通过多路复用器的最大电流为300mA•78pF输入电容•75MHz大信号带宽•20针TQFN（5mm x 5mm）封装常见应用领域RS-485 / RS-232 / USB 1.1 信号复用POS 终端外设手持式工业设备通信系统音频/数据信号复用连接器共享设计游戏机
MAX4644模拟开关电子元件的应用信息简单解析

点击次数: 0

2026-02-28

MAX4644 电子元件工作于 +1.8 V 至 +5.5 V 的单电源电压范围。器件在该供电范围内均能保证正常工作，但仅当使用 +5 V 供电时，其 TTL/CMOS 逻辑兼容性才有效。所有电压电平均以 GND 为参考。正负直流模拟输入或交流信号均可通过适当调整 V+ 和 GND 的电平来适配（例如：若需处理 ±2.5 V 信号，可设 V+ = +5 V, GND = 0 V；若需处理 03.3 V 信号，可设 V+ = +3.3 V, GND = 0 V）。ESD 保护二极管结构每个模拟信号引脚内部均连接有 ESD 保护二极管，分别连接至 V+ 和 GND。如任一模拟信号电压超过 V+ 或低于 GND（见下图），其中一个二极管将导通，从而钳位过压。几乎所有模拟漏电流都来自这些 ESD 二极管流向 V+ 或 GND。虽然同一信号引脚上的两个 ESD 二极管结构相同、特性对称，但由于偏置方式不同（一个由 V+ 偏置，另一个由 GND 偏置），它们的反向漏电流会随信号电压变化而不同。这两个二极管漏电流之差即构成“模拟信号路径漏电流”。所有模拟漏电流均在各信号引脚与电源端子（V+ 或 GND）之间流动，而非在开关的两个模拟端之间流动。因此，即使开关两侧同时出现同极性或反极性的大漏电流，也不会相互影响。无直流通路及内部逻辑供电在模拟信号路径与 V+/GND 之间不存在正常工作的直流通路。V+ 和 GND 同时也为内部逻辑电路及逻辑电平转换器供电。逻辑电平转换器负责将外部输入的 TTL/CMOS 逻辑电平转换为驱动模拟开关栅极所需的内部开关控制信号（即切换后的 V+ / GND 电平）。

热门分类

品牌排行

热卖产品

关于我们

─── 公众号二维码 ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台，致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域，平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等，为客户提供一站式供应链采购服务。