HMC349ALP4CE 需要在 VDD 引脚施加正电源电压。建议在电源线上并联去耦电容，以最小化射频（RF）耦合干扰。
该电子元器件在 RF 公共端口（RFC）和两个掷端（RF1、RF2）内部已匹配至 50 Ω，因此无需外部匹配元件。所有 RF 端口均为直流耦合（DC-coupled），若需隔离直流分量，则需在 RF 端口外接隔直电容。
HMC349ALP4CE 内置驱动电路，用于实现内部逻辑功能，并为用户提供简化的控制接口。该驱动器设有两个数字控制输入引脚：CTRL 和 EN，用于控制 RF 路径的状态。
当 EN 引脚为低电平时：
CTRL 引脚的逻辑电平决定哪条 RF 路径处于“插入损耗”状态（即导通路径），另一条则处于“隔离”状态。
导通路径将选中的 RF 掷端口信号传输至公共端口 RFC。
隔离路径则在导通路径与未选中的 RF 掷端口之间提供高衰减，且该未选中端口终接于内部 50 Ω 电阻。
当 EN 引脚为高电平时：
开关进入“全关断”状态，两条 RF 路径均处于隔离状态，无论 CTRL 引脚为何种逻辑电平。
此时，RF1 和 RF2 端口均终接于内部 50 Ω 电阻，RFC 端口呈现开路反射状态。
开关设计为双向结构：
无论 RF 输入信号是从 RFC 端口还是从选中的 RF 掷端口输入，其功率处理能力相同。此外，RF 信号也可施加于被终止的路径（即隔离路径），但该路径的功率承受能力低于导通路径（详见下图）。
理想上电顺序
首先接通 VDD 电源；
然后施加 CTRL 和 EN 控制信号（二者相对顺序无关紧要）；
最后接入 RF 输入信号。
理想断电顺序
与上电顺序相反：
先移除 RF 输入信号；
再关闭 CTRL 和 EN 控制信号；
最后切断 VDD 电源。