HMC860LP3E 是一款 BiCMOS 超低噪声四路输出稳压器。它采用外部去耦的低噪声带隙基准源，以实现最佳片内噪声性能。
该电子元器件在 0.1 MHz 至 10 MHz 范围内具有高电源抑制比（PSRR），可有效抑制前级开关稳压器的噪声。其四路电压输出非常适用于频率生成子系统，包括 Hittite 公司带有集成 VCO 的广泛 PLL 产品线。
稳定性
为确保高电流稳压器 VR1 和 VR4 的稳定性，推荐采用以下两种方法：
若输出端仅使用一个去耦电容，则该电容的等效串联电阻（ESR）必须在 0.2 Ω 至 2 Ω 之间，以保证在所有负载条件下系统稳定。此要求已在应用电路图中的 VR4 输出端体现。请注意，陶瓷电容通常具有极低的 ESR（谐振时甚至可低至 0.02 Ω），因此在这种情况下，需额外串联一个电阻以确保稳定性。
若输出端连接多个电容（常见于对噪声和杂散信号敏感的电路中），另一种替代方案是在负载前、但在 100nF 反馈电容之后，串联一个小阻值电阻。此方法已在应用电路图中 VR1 输出端的 Rs1 处展示。该电阻的最小值为 0.1 Ω，最大值则由允许的输出电压降决定。
由于 VR2 和 VR3 的工作电流较低，它们没有特殊的稳定性要求。典型的 10μF 陶瓷电容（ESR ≈ 0.02 Ω）即可满足其稳定性需求。