W25Q128JVSIQ可以使用非易失性存储器的应用必须考虑噪声及其他可能破坏数据完整性的不利系统条件。为解决这一问题，W25Q128JV 提供了多种机制以防止意外写入。
W25Q128JVSIQ写保护特性
当 VCC 低于阈值时，器件复位
上电后延迟禁止写入
擦除或编程操作完成后自动禁用写入（含写使能/禁用指令）
通过状态寄存器实现软件与硬件（/WP 引脚）写保护
额外的独立块/扇区锁用于阵列保护
通过掉电指令实现写保护
锁定状态寄存器的写保护直至下次上电
一次性编程（OTP）写保护，用于阵列和安全寄存器
在上电或掉电期间，当 VCC 低于阈值电压 VWI 时，W25Q128JV 将保持复位状态。在复位状态下，所有操作均被禁用，且不识别任何指令。在上电过程中以及 VCC 电压超过 VWI 后的一段时间 tPUW 内，所有与编程和擦除相关的指令仍被进一步禁用，包括写使能、页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除和写状态寄存器指令。请注意，片选引脚 /CS 必须在上电期间跟踪 VCC 供电电平，直到达到 VCC 最小电平和 tVSL 时间延迟；同时，在掉电期间也必须跟踪 VCC 供电电平，以防止错误的命令序列。如有需要，可在 /CS 引脚上加一个上拉电阻以实现此功能。
上电后，器件会自动进入写禁用状态，此时状态寄存器中的写使能锁存位（WEL）被清零为0。在执行页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除或写状态寄存器指令之前，必须先发出写使能指令。完成一次编程、擦除或写入指令后，写使能锁存位（WEL）会自动清零回写禁用状态（0）。
软件控制的写保护通过设置状态寄存器保护位（SRP, SRL）和块保护位（CMP, TB, BP[3:0]）来实现。这些设置允许将部分或整个内存阵列配置为只读模式。结合写保护（/WP）引脚使用时，对状态寄存器的更改可在硬件控制下启用或禁用。详见“状态寄存器选择”章节获取更多信息。此外，“掉电”指令提供了一层额外的写保护——除“释放掉电”指令外，所有其他指令都将被忽略。
W25Q128JV 还提供另一种写保护方法：独立块锁。每个64KB块（顶部和底部块除外，共126个块）以及顶部/底部块内的每个4KB扇区（共32个扇区）均可配备一个独立块锁位。当该锁位为0时，对应的扇区或块可被擦除或编程；当锁位设为1时，针对该扇区或块发出的擦除或编程命令将被忽略。当器件上电时，所有独立块锁位默认为1，即整个内存阵列受保护，无法进行擦除或编程。若要解锁特定扇区或块，必须发出“独立块解锁（39h）”指令。
状态寄存器-3中的WPS位用于决定采用哪种写保护方案：
当 WPS=0（出厂默认值）时，器件仅使用 CMP、SEC、TB、BP[2:0] 位来保护数组的特定区域；
当 WPS=1 时，电子元件将利用独立块锁位进行写保护。