W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了一种存储解决方案。下述是关于其状态寄存器分析。
擦除/写入进行中（BUSY）—— 仅状态位
BUSY 是状态寄存器 (S0) 中的一个只读位。当器件正在执行页编程、四路页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除、写状态寄存器或擦除/编程安全寄存器指令时，该位被置为 1。在此期间，除“读状态寄存器”和“擦除/编程挂起”指令外（参见交流特性中的 tW, tPP, tSE, tBE, tCE），器件将忽略所有其他指令。当编程、擦除或写入状态/安全寄存器的操作完成后，BUSY 位将被清零至 0，表示器件已准备好接收下一条指令。
写使能锁存位（WEL）—— 仅状态位
写使能锁存位（WEL）是状态寄存器 (S1) 中的一个只读位，在执行“写使能”指令后被置为 1。当器件处于写禁用状态时，WEL 位被清零为 0。以下任一操作发生后，写禁用状态即生效：上电复位，或执行“写禁用”、“页编程”、“四路页编程”、“扇区擦除”、“块擦除”、“芯片擦除”、“写状态寄存器”、“擦除安全寄存器”或“编程安全寄存器”指令。
块保护位（BP2, BP1, BP0）—— 易失性/非易失性可写
块保护位（BP2, BP1, BP0）是状态寄存器（S4, S3, S2）中的非易失性读/写位，用于提供写保护控制与状态。可通过“写状态寄存器”指令设置这些位（参见交流特性中的 tW）。整个内存阵列、部分区域或无任何区域均可受到编程与擦除指令的保护（详见“状态寄存器内存保护表”）。出厂默认设置为：块保护位 = 0，即无任何区域受保护。
顶部/底部块保护（TB）—— 易失性/非易失性可写
非易失性顶部/底部块保护位（TB）控制块保护位（BP2, BP1, BP0）是从数组顶部（TB=0）还是底部（TB=1）开始实施保护，具体对应关系见“状态寄存器内存保护表”。出厂默认设置为 TB=0。TB 位可通过“写状态寄存器”指令进行设置，其有效性取决于 SRP/SRL 和 WEL 位的状态。扇区/块保护位（SEC）—— 易失性/非易失性可写
非易失性扇区/块保护位（SEC）控制块保护位（BP2, BP1, BP0）是在数组顶部（TB=0）或底部（TB=1）保护 4KB 扇区（SEC=1）还是 64KB 块（SEC=0），具体对应关系见“状态寄存器内存保护表”。出厂默认设置为 SEC=0。
补码保护位（CMP）—— 易失性/非易失性可写
补码保护位（CMP）是状态寄存器（S14）中的非易失性读/写位。它与 SEC、TB、BP2、BP1 和 BP0 配合使用，以提供更灵活的阵列保护机制。一旦 CMP 被置为 1，先前由 SEC、TB、BP2、BP1 和 BP0 设定的保护方案将被反转。例如：
当 CMP=0 时，可保护顶部的一个 64KB 块，其余部分不受保护；
当 CMP=1 时，顶部 64KB 块变为未保护状态，而其余部分则变为只读。