W632GU6NB 是一款 2Gb DDR3L SDRAM，组织方式为 16,777,216 字 × 8 个 Bank × 16 位。
该器件可实现高达 2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速数据传输速率，适用于多种应用。
本器件按以下速度等级分类：-09、-11、-12、-15、09I、11I、12I、15I、09J、11J、12J 和 15J。
-09、09I 和 09J 速度等级符合 DDR3-2133L (14-14-14) 规范：
09I 工业级保证支持 -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C；
09J 工业增强级保证支持 -40°C ≤ TCASE ≤ 105°C。
-11、11I 和 11J 速度等级符合 DDR3L-1866 (13-13-13) 规范：
11I 工业级保证支持 -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C；
11J 工业增强级保证支持 -40°C ≤ TCASE ≤ 105°C。
-12、12I 和 12J 速度等级符合 DDR3L-1600 (11-11-11) 规范：
12I 工业级保证支持 -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C；
12J 工业增强级保证支持 -40°C ≤ TCASE ≤ 105°C。
-15、15I 和 15J 速度等级符合 DDR3L-1333 (9-9-9) 规范：
15I 工业级保证支持 -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C；
15J 工业增强级保证支持 -40°C ≤ TCASE ≤ 105°C。
W632GU6NB 设计符合以下关键 DDR3L SDRAM 特性：
后置 CAS#；
可编程 CAS# 写入延迟（CWL）；
ZQ 校准；
片上终端（ODT）；
异步复位。
所有控制与地址输入均同步于一对外部提供的差分时钟。输入在差分时钟的交叉点锁存（CK 上升沿和 CK# 下降沿）。所有 I/O 均以源同步方式与差分 DQS-DQS# 对同步。
W632GU6NB电子元件具备哪些特征？
电源电压：典型值 1.35V（VDD），VDDQ = 1.283V 至 1.45V
向后兼容 VDD、VDDQ = 1.5V ± 0.075V
双倍数据率架构：每个时钟周期两次数据传输
八个内部 Bank，支持并发操作
8 位预取架构
CAS 延迟：5、6、7、8、9、10、11、13 和 14
突发长度 8（BL8）和突发截断 4（BC4）模式：可通过模式寄存器（MRS）固定或通过 On-The-Fly（OTF）选择
可编程读突发排序：交错式或半字节顺序式
双向差分数据选通信号（DQS 和 DQS#）随数据发送/接收
读数据边沿对齐，写数据中心对齐
DLL 使 DQ 和 DQS 转换与时钟对齐
差分时钟输入（CK 和 CK#）
命令在每个 CK 正边沿输入，数据和数据掩码参考差分数据选通对的两个边沿（双倍数据率）
后置 CAS，带可编程附加延迟（AL = 0、CL - 1 和 CL - 2），以提升命令、地址和数据总线效率
读延迟 = 附加延迟 + CAS 延迟（RL = AL + CL）
自动预充电操作，用于读写突发
刷新、自刷新、自动自刷新（ASR）和部分阵列自刷新（PASR）
预充电掉电和主动掉电模式
写数据的数据掩码（DM）
每工作频率可编程 CAS 写入延迟（CWL）
写入延迟 WL = AL + CWL
多用途寄存器（MPR），用于读取预设系统时序校准比特序列
通过写均衡和 MPR 读模式提供系统级时序校准支持
使用外部接地参考电阻进行输出驱动器和 ODT 的 ZQ 校准
异步 RESET# 引脚，用于上电初始化序列和复位功能
可编程片上终端（ODT），用于数据、数据掩码和差分选通对
动态 ODT 模式，提升信号完整性，并在写入期间预选终端阻抗
2K 字节页大小
封装形式：VFBGA 96 球（7.5 x 13 mm²，厚度 1.0 mm），采用无铅材料，符合 RoHS 标准