W25N01GV（1 Gb）串行 SLC NAND 闪存为系统资源受限（如空间、引脚数和功耗有限）的应用提供存储解决方案。W25N SpiFlash 系列融合了流行的 SPI 接口与传统大容量 NAND 非易失性存储空间，非常适合用于代码影子加载至 RAM、直接通过双路/四路 SPI（XIP）执行代码，以及存储语音、文本和数据。
该器件在单电源 2.7V 至 3.6V 下工作，典型活动电流低至 25mA，待机电流仅 10μA。所有 W25N SpiFlash 系列器件均采用节省空间的封装形式，这些封装在过去无法用于典型的 NAND 闪存。
W25N01GV 的 1Gb 存储阵列由 65,536 个可编程页组成，每页大小为 2,048 字节。整个页可通过内部 2,048 字节缓冲区一次性编程写入。擦除操作以组为单位进行，每组包含 64 页（即 128KB 块擦除）。W25N01GV 共有 1,024 个可擦除块。
W25N01GV 支持标准串行外设接口（SPI）、双路 I/O 和四路 I/O SPI：串行时钟、片选、串行数据输入（DI）、输出（DO）、I/O2（WP）及 I/O3（HOLD）。其 SPI 时钟频率最高可达 104MHz，支持等效时钟速率：双路 I/O 模式下为 208MHz（104MHz × 2），使用快速读取双路/四路 I/O 指令时，四路 I/O 模式下可达 416MHz（104MHz × 4）。
W25N01GV 提供了一种新的连续读取模式，允许通过单一读命令高效访问整个存储阵列，此功能特别适用于代码影子加载应用。
此外，该电子元器件还提供保持引脚（Hold pin）、写保护引脚（Write Protect pin）及可编程写保护机制，提供更灵活的控制选项。同时，它支持 JEDEC 标准制造商与设备 ID、唯一 ID 页、参数页以及十个 2,048 字节的 OTP（一次可编程）区域。为提升 NAND 闪存管理效率，用户可配置的内部 ECC（纠错码）、坏块管理等高级功能也在 W25N01GV 中可用。