使用非易失性存储器的应用必须考虑噪声及其他不利系统条件可能损害数据完整性的风险。为解决这一问题，W25N01GV 提供了多种机制以防止意外写入操作。
当 VCC 低于阈值时，器件自动复位
擦除或编程后自动禁用写使能指令
通过保护寄存器（SR-1）实现软件与硬件（/WP 引脚）写保护
对保护寄存器（SR-1）实施“锁定”写保护，直至下次上电
通过保护寄存器（SR-1）对存储阵列提供一次性可编程（OTP）写保护
当 WP-E 位设置为 1 时，通过 /WP 引脚启用硬件写保护
在上电或掉电过程中，当 VCC 低于 VCC(min) 时，所有操作均被禁用，且不识别任何指令。在上电阶段，当 VCC 电压超过 VCC(min) 且 tVSL 时间结束后，所有与编程和擦除相关的指令仍会进一步禁用一段时间 tPUW。这包括：写使能、执行编程、块擦除以及写状态寄存器等指令。请注意，片选引脚（/CS）必须在上电期间跟踪 VCC 供电电平，直到达到 VCC(min) 电平和 tVSL 时间；同时，在掉电期间也必须跟踪 VCC 电平，以防出现错误的命令序列。如有需要，可在 /CS 引脚外接一个上拉电阻来实现此功能。
上电后，器件会自动进入写禁用状态，此时状态寄存器中的写使能锁存器（WEL）被清零为 0。在执行编程、块擦除或坏块管理指令前，必须先发出“写使能”指令。完成编程或擦除指令后，WEL 位会自动清零，恢复至写禁用状态。
软件控制的写保护可通过“写状态寄存器”指令实现，通过设置状态寄存器保护位（SRP0, SRP1）和块保护位（TB, BP[3:0]），可将部分或全部存储阵列配置为只读模式。若与写保护（/WP）引脚配合使用，则对状态寄存器的修改可由硬件控制启用或禁用。
保护寄存器（SR-1）中的 WP-E 位用于启用硬件写保护功能。当 WP-E 设置为 1 时，将 /WP 引脚拉低即可阻止任何向 W25N01GV 发出的写/编程/擦除命令，使器件变为只读模式。此外，当 WP-E 设置为 1 时，四路 SPI 操作也会被禁用。