一个有源理想二极管进入反向偏置状态时的动态行为，最准确的描述是：先经历一段延迟期，随后进入反向恢复期。在延迟阶段，由于寄生电阻和电感的限制，会积累一定的反向电流。在反向恢复阶段，储存在寄生电感中的能量会被转移到电路中的其他元件上。此时的电流变化率（slew rate）可能高达 100A/μs 或更高。
高变化率与串联在输入和输出路径上的寄生电感相结合，可能在 LTC4359 的 IN、SOURCE 和 OUT 引脚处引发潜在破坏性的瞬态电压——尤其是在反向恢复期间。若输入端对地发生零阻抗短路，则问题尤为严重，因为它允许在延迟阶段建立起最大可能的反向电流。当 MOSFET 最终切断该反向电流时，LTC4359 电子元器件的 IN 和 SOURCE 引脚将承受负向电压尖峰，而 OUT 引脚则出现正向电压尖峰。
为防止在输入短路条件下损坏 LTC4359，应按下图所示保护 IN、SOURCE 和 OUT 引脚：
IN 和 SOURCE 引脚：通过两个 TransZorb® 或 TVS 二极管钳位至 VSS 引脚进行保护。
对于 ≥24V 的输入电压，需使用 D4（70V TVS）以在输入短路期间保护 MOSFET 栅极氧化层。
在 MOSFET 关断后出现的负向尖峰，可通过 D2（24V TVS）进行钳位；D2 允许最高 24V 的反向输入电压，同时保持 MOSFET 关闭 —— 若无需反向输入保护，则可省略 D2。
D1（70V TVS）用于在负载阶跃和过压条件下保护 IN 和 SOURCE 引脚免受正向电压冲击。
OUT 引脚：可通过以下方式之一进行保护：
使用至少 1.5μF 的输出电容 C_OUT；
在 MOSFET 两端并联 TVS 二极管；
利用 MOSFET 自身的雪崩击穿能力。
注意：若依赖 MOSFET 的雪崩击穿来保护 OUT 引脚，必须确保其 BV_DSS 额定值远低于 100V，且其雪崩能量额定值足以吸收感性负载释放的能量。
若采用跨接 MOSFET 的 TVS 或利用 MOSFET 雪崩效应保护 OUT 引脚，C_OUT 可减小至 47nF。C_OUT 与 R1 的组合可在输出端因寄生电感导致 IN 和 OUT 电压快速跌落时，维持快速的关断时间。