基本的 PCB 布局要求设置一个专用的接地层平面。此外，对于大电流应用，多层板可为功率元件提供散热路径。
PGND 接地层平面不应布设任何走线，并应尽可能靠近功率 MOSFET 所在的层。
将输入电容 C_IN、开关 M1、M2 和二极管 D1 放置在一个紧凑区域内；将输出电容 C_OUT、开关 M3、M4 和二极管 D2 放置在另一个紧凑区域内。
使用过孔（via）直接连接各元件（包括 LT3790 的 SGND 和 PGND 引脚）至接地层平面。每个功率元件应使用多个大型过孔。
为 V_IN 和 V_OUT 使用完整的铜箔平面，以维持良好的电压滤波效果并降低功率损耗。
将所有未使用的层用铜箔填充（铺铜）。铺铜有助于降低功率元件温升，并应将铜区连接到任意直流网络（如 V_IN 或 PGND）。
分离信号地与功率地。所有小信号元件的地应统一返回至 SGND 引脚的一点，该点再就近连接至功率源（即开关 M2 和 M3）附近的 PGND。
尽量将开关 M2 和 M3 靠近控制器放置，同时保持 PGND、BG 和 SW 走线短而粗。
将高 dV/dT 节点（SW1、SW2、BST1、BST2、TG1、TG2）远离敏感的小信号节点。
由开关 M1、M2、D1 和输入电容 C_IN 构成的回路应具有短的引线长度和 PCB 走线；同样，由开关 M3、M4、D2 和输出电容 C_OUT 构成的回路也应尽量缩短引线和走线。
输出电容的负极（–）端子应尽可能靠近输入电容的负极（–）端子连接。
将顶部驱动器自举电容 C1 紧邻 BST1 和 SW1 引脚放置；将顶部驱动器自举电容 C2 紧邻 BST2 和 SW2 引脚放置。
将输入电容 C_IN 和输出电容 C_OUT 尽量靠近功率 MOSFET 放置。这些电容在升压和降压操作中承载 MOSFET 的交流电流。
SNSN 和 SNSP 引脚的走线应并行布置，且间距最小化。避免让检测走线穿过噪声区域（如开关节点），并在 SENSE 电阻处采用开尔文（Kelvin）连接以确保精确电流检测。
将 Vc 引脚补偿网络尽量靠近 IC 放置，位于 Vc 与信号地之间。该电容有助于滤除 PCB 噪声及输出电压纹波对补偿环路的影响。
将 INTV_CC 旁路电容 C_VCC 尽量靠近 IC 放置，位于 INTV_CC 与功率地之间。该电容用于承载 MOSFET 驱动器的峰值电流。额外增加一个 0.1μF 陶瓷电容紧贴 INTV_CC 和 PGND 引脚放置，可显著改善噪声性能。