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CGHV96050F2氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管概述

2026/4/17 13:52:46
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CGHV96050F2是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种GaN内部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，GaN具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供了更大的功率密度和更宽的带宽。该IM FET采用金属/陶瓷法兰封装，可实现最佳的电气和热性能。

CGHV96050F2氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管概述

具备的特性：

•8.4-9.6 GHz操作

•典型功率为80 W

•10 dB功率增益

•55%典型PAE

•内部匹配50欧姆

•功率下降<0.1 dB

应用程序：

•海洋雷达

•天气监测

•空中交通管制

•海上船舶交通管制

•港口安全
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