反馈比较器监测VFB引脚上的电压，并将其与内部800mV参考电压进行比较。如果该电压大于参考值，比较器将激活睡眠模式，在该模式下，电源开关和电流比较器将被禁用，从而将VIN引脚电源电流降低到仅12µa。随着负载电流对输出电容器放电，VFB引脚上的电压降低。当该电压降至800mV参考值以下5mV时，反馈比较器会跳闸并启用突发循环。
在突发周期开始时，内部高压侧电源开关（P沟道MOSFET）接通，电感器电流开始上升。电感器电流增加，直到电流超过峰值电流比较器阈值或VFB引脚上的电压超过800mV，此时高压侧电源开关关闭，低压侧电源开关（N沟道MOSFET）打开。电感器电流下降，直到反向电流比较器跳闸，表明电流接近零。
如果VFB引脚上的电压仍然低于800mV参考值，则高压侧电源开关再次打开，并开始另一个循环。突发循环期间的平均电流通常会大于平均负载电流。对于这种架构，最大平均输出电流等于峰值电流的一半。
这种控制架构的滞后特性导致开关频率是输入电压、输出电压和电感器值的函数。这种行为提供了固有的短路保护。如果输出对地短路，电感器电流将在单个开关周期内非常缓慢地衰减。
由于高侧开关仅在电感器电流接近零时接通，LTC3642在启动或短路条件下固有地以较低的频率切换。