ADuC832上的Flash/EE程序和数据存储器阵列完全符合两个关键的Flash/EE存储器特性,即Flash/EE存储器循环耐久性和Flash/EE存储数据保留。
耐久性量化了Flash/EE存储器在许多编程、读取和擦除周期中循环的能力。实际上,单个Flash/EE内存耐久周期由以下四个独立的连续事件组成:
初始页面擦除顺序
读取/验证序列
字节程序序列
第二次读取/验证序列
在可靠性鉴定中,程序和数据Flash/EE存储器中的每个字节都从00H循环到FFH,直到记录到第一次故障,这表示片上Flash/EE内存的耐久极限。
如规范部分所述,ADuC832闪存/EE存储器耐久性鉴定已根据JEDEC规范A117在-40°C至+25°C和+85°C至+125°C的工业温度范围内进行。结果允许规定100000次循环的供应和温度下的最小耐久值,其中700000次循环是25°C下运行的典型耐久值。
保留量化了Flash/EE存储器随时间保留其编程数据的能力。同样,ADuC832已在特定结温(TJ=55°C)下根据正式的JEDEC保留寿命规范(A117)进行了鉴定。作为此鉴定程序的一部分,在对数据保留进行特征描述之前,将Flash/EE存储器循环到之前描述的指定耐久极限。这意味着,每次对Flash/EE存储器进行重新编程时,都可以保证其数据在指定的完整保留寿命内保留。还应注意的是,基于0.6 eV活化能的保留寿命随着TJ的降低而降低,如文末图片所示。
