HMC704LP4E频率合成器采用SiGe BiCMOS工艺制造，由极低噪声数字相位检测器、VCO分频器、参考分频器和精密控制电荷泵组成。
其打开模式-串行端口读取操作如下：
典型的READ循环如文末图片所示。
一般来说，在打开模式下，LD_SDO线在写入周期内始终处于活动状态。在任何开放模式SPI周期内，LD_SDO将包含来自“Reg 00h”[4:0]中写入的当前地址的数据。如果“Reg 00h”[4:0]没有改变，那么在打开模式循环过程中，LD_SDO上将始终显示相同的数据。如果需要从特定地址读取，则有必要在第一个SPI周期中将所需的地址写入“Reg 00h”[4:0]，然后在下一个SPI周期中，LD_SDO上将提供所需的数据。
从任何随机地址读取的开放模式两周期程序示例如下：
a.主设备（主机）在SCLK的前24个下降沿上将24位数据d23:d0，MSB放在SDI上，如图39所示。d23:d5应设置为零。d4:d0=下一个周期要读取的寄存器的地址。
b.从属（PLL）在SCLK的前24个上升沿上对SDI上的数据进行移位
c.主机将5位寄存器地址r4:r0（读取地址寄存器的地址）MSB放在SCLK的下一个5个下降沿上（23-29）。r4:r0=00000。
d.从属设备在SCLK的下一个5个上升沿上移动寄存器位（23-29）。
e.主站将3位码片地址a2:a0，MSB放在SCLK的下一个3个下降沿（30-32）上。RF PLL VCO的芯片地址始终为000。
f.从属设备在SCLK的下一个3个上升沿上移动芯片地址位（30-32）。
g.Master在SCLK的第32个上升沿后断言SEN。
h.从属设备将SDI数据记录在SEN的上升沿。
i.主机清除SEN以完成两部分读取周期的地址传输。
j.如果我们不希望在第二个循环的同时向芯片写入数据，那么建议在循环的读回部分简单地将SDI上的相同内容重写为寄存器零。
k.Master将与前一个周期相同的SDI数据放置在SCLK的下一个32个下降沿上。
l.从属（PLL）在SCLK的下一个32个上升沿上移动SDI数据。
m.从属设备将所需数据（即来自“Reg 00h”[4:0]中地址的数据）放置在SCLK下一个32个上升沿的LD_SDO上。锁定检测已禁用。
n.主机在SCLK的第32个上升沿后断言SEN，以完成循环并在LD_SDO上恢复到锁定检测。
请注意，如果芯片地址位无法识别（a2:a0），从属设备将三态LD_SDO输出，以防止可能的争用问题。
