ADMV1139是一款绝缘体上硅(SOI)、微波、上变频器和下变频器,它针对在37 GHz至48.2 GHz频率范围内运行的5G无线电设计进行了优化。

上变频器和下变频器均提供两种频率转换模式。一种模式是从和/或向复杂的中频(IF)信号进行转换,然后通过片内90°IF混合,称为IF模式。
另一种模式是从和/或向单端或差分基带同相/正交(I/Q)输入和输出的直接转换,称为基带模式。I/Q基带输出共模电压可在0 V和1.5 V之间进行编程。SPI提供正交相位的微调,以优化I/Q解调性能。
当该器件用作镜像抑制下变频器时,不需要的镜像项通常会在校准之前被抑制到26 dBc。ADMV1139提供平方律功率检波器,可监控下变频器混频器输入端的功率电平。
RF接收输入、RF发射输出和本振(LO)接口均为单端,并且匹配至50 Ω。片内RF开关提供将发射和接收RF端口组合在一起的选项,以支持时分双工(TDD)应用。
串行端口接口(SPI)可调整正交相位,以实现优化边带抑制。此外,SPI在不需要载波馈通优化时可关断输出包络检波器,以降低功耗。
ADMV1139上变频器和下变频器采用紧凑的散热增强型6 mm ×6.5 mm球栅阵列(BGA)封装。这种BGA封装能够让ADMV1139从封装顶部进行散热,以实现高效散热。ADMV1139的工作温度范围为−40°C至+95°C(TC)。
应用
毫米波5G应用
点对点微波无线电
雷达和电子战系统
仪器仪表和自动测试设备(ATE)