嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-62975458  17600099251
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

混频器拓扑快速指南

2022/3/9 10:52:11
浏览次数: 19

    射频/微波混频器位于每个射频收发器系统的中心,是在发射端将基带信号转换为射频的基本元件,反之亦然。所有混频器都有三个端口,一个用于中频或基带 (IF),一个用于本地振荡器或载波 (LO),另一个用于射频信号 (RF)。在发射路径中,IF 和 LO 输入组合成一个 RF 输出;在接收端,RF 和 LO 组合并下变频为 IF 输出。在这两种情况下,两个输入信号被“混合”以在输出端产生两个新信号——和频 (LO +RF) 和差频 (LO – RF)。取决于是否需要上转换或下转换,这些混合产物中的一种被抑制。RF 混频器的基本框图如图 1 所示。


混频器拓扑快速指南


    现实世界的混音器有多种口味。Mini-Circuits 提供数百种独特的混频器模型,代表六种不同的电路拓扑。好消息是,这种多样性为设计人员提供了几乎所有应用需求的选择。这个问题虽然是一个高级问题,但理解混频器设计之间的差异可能会使组件选择过程复杂化。


    本文将提供不同混频器拓扑的广泛概述,包括平衡和非平衡架构。需要注意的是,理论上,任何非线性器件都可以用来制作混频器,但最常见的是肖特基二极管和场效应晶体管(FET)。Mini-Circuits 设计了基于二极管和 FET 的混频器,但为简单起见,此处的拓扑将使用二极管混频器来呈现。然而,同样的原理也可以应用于其他技术。


    不平衡(单二极管)混频器


    单个二极管或不平衡混频器是最简单和最古老的混频器拓扑。单二极管混频器基本上是一个双端口器件,RF 和 LO 组合并馈入二极管,IF 传送到二极管的另一侧。该拓扑的示意图和时域响应如图 2 所示。


混频器拓扑快速指南


    不平衡混频器的限制之一是除了所需的中频频率(和或差)外,输出频谱还包括射频和本振信号内容,因此需要一个窄带中频滤波器来抑制射频和本振频率分量的输出信号。图 2 中的输出 RLC 谐振回路经过调谐以匹配 IF 频率。这意味着单设备混频器具有相当窄的中频带宽,因为它没有端口隔离。单二极管混频器用于经济的接收器前端,带通滤波器可用于输入和输出以分离 LO、RF 和 IF 信号。但是,如果 RF 和 LO 频率重叠并且滤波要求变得过于困难,它们可能会出现问题。


    不平衡二极管混频器的优缺点


    优点


    在毫米波段非常有用


    经济


    最低本振要求


    缺点


    没有隔离


    过滤导致窄操作带


    不抑制 LO AM 噪声或互调产物


    单平衡混音器


    通过使用两个二极管和一个 180° 混合耦合器作为巴伦,单平衡混频器可以在不使用滤波器的情况下从 IF 输出中去除 LO 或 RF 内容。早期的宽带接收器使用 90° 混合组合器,它仍然将 RF 和 LO 分开,但隔离度取决于二极管的阻抗匹配程度。180°混合耦合器解决了这个问题。[来源 09-21] 这种技术隔离 RF 和 LO 端口并减少不需要的互调产物。RF 和 LO 信号被施加到混合器的 sum 和 delta 端口,两个输出分别为一个二极管供电,一个面向混合器,另一个远离。两个二极管的外端连接在一起作为 IF 输出。根据配置,只有 LO 或 RF 会与 IF 一起出现(施加到混合器 180° 端口的输入信号将是平衡的,不会出现在 IF 输出上)。单平衡混频器的框图如图 3 所示。


混频器拓扑快速指南


    单平衡混频器的示例示意图如下图 4 所示,在 RF 和 LO 输入端口具有 180° 混合,在 IF 输出端口(L1、C2 和 C3 网络)具有低通滤波器 (LPF)。LO 是平衡的并驱动肖特基二极管的开/关动作。RF 信号通过一个接地电容器 (C1) 以及一个专用低通滤波器 (LPF) 抑制 IF 输出。在较高的 LO 功率下,二极管会自偏置,导致不可接受的转换损耗和隔离。为了避免这种情况,RF 扼流圈 (RFC) 在耦合器和二极管之间被分流到地。


混频器拓扑快速指南


    在平衡混频器中,单平衡混频器需要最少的 LO 功率。IF 输出的 LO或RF 抑制通常在 20 到 30 dB 之间。


    单平衡混频器拓扑的优缺点


    优点


    需要最少的平衡类型的 LO


    抑制来自 LO 的 AM 噪声


    (不平衡不会)


    缺点


    仅隔离 RF 或 LO,无需滤波


    过滤导致窄操作带操作


    需要比不平衡更多的 LO


    线性不如双平衡


    比双平衡更多的转换损失


    双平衡混合器


    双平衡混频器拓扑具有四个呈环形或星形配置的二极管以及两个巴伦(RF 和 LO 各一个),并在 IF 输出端提供对 LO 和 RF 成分的抑制。这意味着所有端口本质上都是相互隔离的,无需过滤。这是由于环形二极管电路和宽带巴伦的综合特性。


    与单平衡混频器相比,双平衡二极管混频器具有更高的线性度和更少的杂散发射。它们还往往具有更好的转换效率,并且可以实现更宽的带宽,因为在 IF 端口不需要滤波。然而,这种混频器架构需要更高的 LO 驱动电平,并且端口对无功端接高度敏感。


    双平衡混频器的理想应用是成本较低的应用,在这种应用中,本振功率适中,RF 和 IF 频率不重叠。


混频器拓扑快速指南


    图 6:双平衡二极管混频器的简化框图。


    图 6 中框图的示例双平衡混频器示意图如图 7 所示。IF 信号从 LO 和 RF 巴伦分接。为 RF 和 LO 端口使用单独的巴伦可在 RF 和 LO 端口之间提供隔离,与不平衡混频器相比,可降低互调产物的水平。


混频器拓扑快速指南


    图 7:双平衡二极管混频器的详细原理图。


    双平衡二极管混频器的优缺点


    优点


    RF 和 LO 的固有隔离


    比单平衡更线性


    与单平衡相比,杂散更少


    宽带设备(无需过滤)


    缺点


    需要比单平衡更多的 LO


    对反应性终端敏感的端口


    三重平衡


    三平衡混频器拓扑进一步提高了双平衡设计的线性度,但也需要更高的 LO 功率电平才能运行。三平衡混频器使用八个二极管和几个巴伦,有时被称为“双双平衡”,因为它由推挽配置的两个双平衡混频器组成。


    三平衡混频器的框图如图 8 所示,更详细的原理图如图 9 所示。RF 和 LO 端口需要两个混合器,IF 端口需要一个混合耦合器。


混频器拓扑快速指南


    图 8:三平衡二极管混频器的框图。


混频器拓扑快速指南


    图 9:三平衡二极管混频器的详细原理图。


    与双平衡混频器拓扑相比,这种架构提供了更好的杂散和互调产物隔离和抑制。三重平衡混频器还具有较宽的中频带宽。三平衡混频器非常适合需要将宽带信号从一个频率范围转换到另一个频率范围且互调产物最少的应用。


    三重平衡混频器拓扑的优缺点


    优点


    比双平衡更好的线性度


    宽带应用的理想选择


    射频/中频重叠情况的理想选择


    缺点


    需要比双平衡更多的 LO


    不平衡和平衡混频器拓扑的总结比较


    下表提供了迄今为止介绍的所有平衡混频器拓扑的广泛比较。

混频器拓扑快速指南


    智商混频器


    IQ 中的“I”代表“同相”,“Q”代表“正交”。IQ 混频器允许使用正交调制分别处理两个频率边带,其中相位成为数据传输中的一个变量。正交调制最终使双边带传输中的信息内容加倍,因为每个边带可以包含不同的信息。IQ 混频器的框图如图 10 所示。

混频器拓扑快速指南

    图 10:IQ 混频器框图。


    一个 IQ 混频器包括两个混频器,每个混频器的 LO 相位通过一个混合耦合器与另一个相移 90°。一个混频器处理同相 LO 分量,另一个处理正交分量。I和Q输出信号是基带信号组合成RF信号进行传输。在接收器,该过程相反,RF 信号被分离回 1 和 Q 基带通道。此处讨论的任何不平衡或平衡混频器拓扑均可用于创建 IQ 混频器配置。


    Mini-Circuits 使用术语调制器/解调器对 IQ 混频器产品进行分类,可在网站的“调制器/解调器”部分找到。


混频器拓扑快速指南


    图 11:镜像抑制/单边带混频器的框图。


    IR/SSB 混频器是一种 IQ 混频器,带有一个由 I 和 Q 端口馈电的附加混合耦合器。这个附加耦合器的目的是取消一个带有端接负载的边带端口。剩余的耦合器端口用作混频器的输出(IR/接收)或输入(SSB/发射)。上面讨论的任何不平衡或平衡混频器拓扑均可用于创建 IR/SSB 混频器配置。


在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 5
    2026-04-27
    AD558 是一款完整的电压输出8位数模转换器,包括输出放大器、全微处理器接口和单片芯片上的精密电压基准。无需外部组件或微调即可将8位数据总线完全准确地连接到模拟系统。DACPORT的性能和多功能性是最近开发的几种单片双极技术的结果。完整的微处理器接口和控制逻辑采用集成注入逻辑(I²L)实现,这是一种极其密集和低功耗的逻辑结构,与线性双极制造工艺兼容。内部精密电压基准是获得专利的低压带隙电路,可在单个+5 V至+15 V电源上实现全精度性能。薄膜硅铬电阻器在整个工作温度范围(所有等级)内提供了保证单调操作所需的稳定性,而这些薄膜电阻器的激光晶片微调的最新进展允许在工厂进行绝对校准,误差在±1 LSB以内;因此不需要用户对增益或偏移进行微调。一种新的电路设计可在800 ns内实现满量程步长的±1/2 LSB电压稳定。AD558有四种性能等级可供选择。AD558J和K指定用于0°C至+70°C的温度范围,而AD558S和T等级指定用于-55°C至+125°C的操作。“J”和“K”等级有16针塑料(N)或密封陶瓷(D)DIPS两种。它们也有20针JEDEC标准PLCC封装。“S”和“T”级采用16针密封陶瓷DIP封装。产品亮点1.8位FL输入寄存器和完全兼容微处理器的控制逻辑允许AD558直接连接到8位或16位数据总线,并使用标准控制信号进行操作。锁存器可能被禁用以进行直接DAC接口。2.激光修整的片上SiCr薄膜电阻器在工厂进行了绝对精度和线性校准。因此,在工作温度范围内,无需用户微调即可达到完全额定精度。3.包含精确的低电压带隙基准消除了指定和应用单独基准源的需要。4.AD558 DAC部分的电压切换结构以及高速输出放大器和激光微调电阻器为用户提供了0 V至+2.56 V或0 V至+10 V输出范围的选择,...
  • 点击次数: 3
    2026-04-27
    ISL68221是一款数字三输出多相(X+Y+Z≤3)PWM控制器,兼容PMBus V 1.3。控制器可配置为支持三个输出(X、Y和Z)上最多三个相位的任何所需相位分配。例如,支持1+1+1、1+1+0,甚至作为3+0配置的单输出操作。当与瑞萨智能功率级和DrMOS器件系列结合使用时,可以创造出具有卓越密度和性能的设计。ISL68221使用瑞萨专有的数字合成电流调制方案,在整个负载范围内实现瞬态响应、易于调谐和效率的行业最佳组合。二极管仿真和自动相位添加/删除功能允许您从转换器中提取最大效率,而不管负载条件如何。可以使用直观的瑞萨PowerNavigator™软件来配置和监控设备。凭借最少的外部组件、简单的配置、强大的故障管理和高度精确的调节能力,实现高性能的多相调节器从未如此简单。常见应用:•人工智能/加速器卡(FPGA、ASIC)•网络设备•服务器/存储设备•电信/数据通信设备•负载点电源(存储器、DSP、ASIC、FPGA)ISL68221引脚配置信息
  • 点击次数: 6
    2026-04-27
    德州仪器LM2675系列稳压器是采用LDMOS工艺构建的单片集成DC-DC转换器电路。这些调节器为降压(降压)开关调节器提供了所有主动功能,能够以出色的线路和负载调节驱动1-a负载电流。这些设备有3.3V、5V、12V的固定输出电压和可调输出版本。这些稳压器需要最少数量的外部组件,使用简单,包括专利的内部频率补偿和固定频率振荡器。LM2675系列的开关频率为260 kHz,因此允许使用比低频开关稳压器更小的滤波器组件。由于其非常高的效率(90%),印刷电路板上的铜迹线是唯一需要的散热装置。具备的特性如下:•效率高达96%•提供8引脚SOIC、PDIP和16引脚WSON封装•只需要5个外部组件•3.3V、5V、12V和可调输出版本•可调版本输出电压范围:1.21 V至37 V•在线路和负载条件下,最大输出电压容差为±1.5%•确保1-A输出负载电流•宽输入电压范围:8 V至40 V•260 kHz固定频率内部振荡器•TTL关机功能,低功耗待机模式•热关断和电流限制保护应用:•简单高效(90%)降压(降压)调节器•线性调节器的高效预调节器•正负转换器典型应用图
  • 点击次数: 6
    2026-04-27
    管芯应直接通过共晶或导电环氧树脂连接到接地平面(见HMC一般处理、安装、粘合说明)。建议在0.127mm(5 mil)厚的氧化铝薄膜基板上使用50欧姆微带传输线,用于将射频引入和引出芯片(图1)。如果必须使用0.254mm(10密耳)厚的氧化铝薄膜基板,则应将模具抬高0.150mm(6密耳),使模具表面与基板表面共面。实现这一点的一种方法是将0.102mm(4密耳)厚的芯片连接到0.150mm(6密耳)宽的钼散热器(钼片)上,然后将其连接到接地平面(图2)。微带基板应尽可能靠近管芯,以尽量减少带状键合长度。典型的芯片到基板间距为0.076mm(3密耳)。建议使用0.075毫米(3密耳)宽、最小长度0.31毫米(12密耳)的金带,以尽量减少RF、LO和IF端口上的电感。Vdd输入端应使用RF旁路电容器。建议使用距离芯片不超过0.762mm(30mils)的100pF单层电容器(共晶或导电环氧树脂安装)。安装芯片背面金属化,可以用AuSn共晶预成型件或导电环氧树脂进行芯片安装。安装表面应清洁平整。共晶模具连接:建议使用80/20金/锡预成型件,工作表面温度为255摄氏度,工具温度为265摄氏度。当施加热90/10氮气/氢气时,工具尖端温度应为290摄氏度。不要将芯片暴露在高于320摄氏度的温度下超过20秒。连接时不需要超过3秒的擦洗。环氧树脂芯片连接:在安装表面涂上最少量的环氧树脂,以便在芯片放置到位后,在芯片周围观察到薄的环氧树脂圆角。按照制造商的计划固化环氧树脂。引线键合使用直径为0.025mm(1 mil)的纯金线进行球形或楔形键合。建议使用标称阶段温度为150摄氏度、球键合力为40至50克或楔形键合力为18至22克的热超声引线键合。使用最低水平的超声波能量来实现可靠的引线键合。接线应从芯片上开始,在封装或基板上终止。所有粘合应尽可能短0.31mm(12密耳)。操作注意事...
  • 点击次数: 5
    2026-04-27
    TPS7A52是一款高电流(2 a)、低噪声(4.4µVRMS)、高精度(1%)低压差线性稳压器,输入范围为1.1 V至6.5 V,输出电压范围为0.8 V至5.1 V。TPS7A/52具有集成电荷泵,便于使用,并具有外部偏置轨,可在整个输出电压范围内实现最低的压降。其电路板设计如下所示:电路板设计为了获得最佳的整体性能,请将所有电路组件放置在电路板的同一侧,并尽可能靠近相应的LDO引脚连接。将接地回路连接到输入和输出电容器,并尽可能靠近LDO接地引脚,通过宽的组件侧铜表面连接。为了避免负面的系统性能,不要在输入和输出电容器上使用通孔和长迹线。文末图片所示的接地和布局方案最大限度地减少了电感寄生,从而减少了负载电流瞬变,最大限度地降低了噪声,并提高了电路稳定性。为了提高性能,使用接地参考平面,可以嵌入PCB本身,也可以放置在PCB底部与组件相对的位置。该参考平面用于确保输出电压的准确性,屏蔽噪声,并且当连接到热垫时,其行为类似于热平面,以从LDO设备传播(或吸收)热量。在大多数应用中,这种接地平面是满足热要求所必需的。布局示例
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
1

QQ设置

    1
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

5

电话号码管理

电话 电话 电话
010-62975458
    1
6

二维码管理

    1
返回顶部
展开