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MCP608 2.5V至6.0V微功耗CMOS运算放大器

2022/12/1 14:42:35
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MCP608运算放大器(运算放大器)的增益带宽积为155 kHz,典型工作电流为18.7 uA,偏置电压小于250µV。MCP608采用Microchip先进的CMOS技术,提供低偏置电流、高速操作、高开环增益和轨对轨输出摆动。MCP608采用了带芯片选择的单放大器,工作电压低至2.5V,静态电流消耗小于25uA。MCP608有标准8引脚PDIP、SOIC和TSSOP封装。该放大器非常适合电池和环路供电应用,以及工业过程控制、低功耗电池操作设备、便携式设备、数据采集设备、测试设备和低端音频应用。


MCP608  2.5V至6.0V微功耗CMOS运算放大器

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    LTC5551 是一款工作电压 2.5 V–3.6 V 的混频器,专为需要极高动态范围的射频下变频应用而优化。其射频(RF)频率覆盖 300 MHz–3.5 GHz,本振(LO)频率范围 200 MHz–3.5 GHz。该器件在保持低功耗的同时,提供非常高的输入三阶截点(IIP3)和 1 dB 压缩点(P1dB)。典型应用为 700 MHz–2.7 GHz 频段基站接收机。RF 输入可在宽频段内完成匹配,中频(IF)可用至 1 GHz。将 ISEL 引脚拉高即可进入低功耗模式,功耗降低约 1/3,但 IIP3 会相应降至约 +29 dBm。通过 EN 引脚可对混频器进行开关控制。LTC5551 的高集成度最大程度地降低了整体方案成本、占用板面积及系统级差异,同时为严苛的接收机应用提供业界最高的动态范围。特征+36dBm输入IP32.4dB转换增益低噪声系数:10dB+18dBm超高输入P1dB670mW功耗2.5V至3.6V操作50Ω单端射频和本振输入0dBm LO驱动电平低电量模式–40°C至105°C操作(TC)解决方案规模小启用引脚16引脚(4mm×4mm)QFN封装应用GSM、LTE、LTE-Advanced基站中继器DPD观测接收机公共安全无线电、军事和国防航空电子设备无线电和空中交通预警和防撞系统应答机有源相控阵天线空白频段无线电接收机如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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    2025-12-23
    ADL5350 是一款基于 GaAs pHEMT 工艺的单端无源混频器,内部集成了本振(LO)缓冲放大器。该器件利用 FET 结漏-源沟道电导随电压变化的特点,对射频(RF)信号进行调制。其简化原理图见图 57。本振信号施加于 FET 缓冲放大器的栅极。缓冲放大器为 LO 提供足够增益,以驱动作为电阻开关的混频核心。同时,内部反馈回路为 FET 缓冲放大器和 RF/IF 端口提供所需偏置,使其在常见蜂窝频段内获得最佳调制效率。混频过程通过“以 LO 频率将 RF/IF 端口沟道电导切换至地”来完成。RF 信号先经外部带通网络,抑制镜像频段并降低进入混频器的宽带噪声。受带限后的 RF 信号被加到 RF/IF 端口这一时变负载上,使其包络按 LO 频率被幅度调制。IF 端口需外接滤波网络,用于滤除 RF 分量并保留所需混频产物。在下变频应用中,IF 滤波网络设计为让差频通过,并对入射 RF 频率呈现开路;在上变频应用中,则让和频通过并抑制入射 RF。因此,混频器的整体频率响应由外部 RF/IF 滤波网络的频率特性决定。如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元件商城。
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    2025-12-23
    LT5560 内部包含一个双平衡混频器、一个共基极输入缓冲放大器以及偏置/使能电路。该芯片专为最高 4 GHz 的频率转换应用而设计,若在更宽频段内工作,性能会有所下降。为获得最佳性能,射频输入与输出应作差分连接。本振(LO)输入可由单端源驱动,支持低本振或高本振两种注入方式。LT5560 在量产测试时采用单端本振驱动进行表征。芯片的静态直流电流可通过外接电阻在 4 mA 以下至约 13.5 mA 范围内调节,使用户能够根据具体应用在三阶交调性能(IIP3)与功耗之间做出权衡。依据不同应用需求,提供三块演示板,详见表 1。所列输入/输出频率范围基于实测 12 dB 回波损耗带宽,而本振端口频率范围则基于 10 dB 回波损耗带宽。DC963B、DC991A 与 DC1027A 的通用电路拓扑分别示于图 1、图 2 与图 3,其 PCB 布局分别见图 23、图 24 与图 25。低频演示板 DC1027A 还可重新配置用于上变频应用。如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元器件采购商城。
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    2025-12-22
    功能概述FM25W256 是一款串行 F-RAM 存储器。其存储阵列逻辑上组织为 32 768 × 8 位,通过工业标准的串行外设接口(SPI)总线进行访问。F-RAM 的功能操作与串行 Flash 和串行 EEPROM 类似,主要区别在于 FM25W256 具备更优异的写入性能、更高的擦写寿命以及更低的功耗。存储器架构访问 FM25W256 时,用户可对 32 K 个 8 位数据单元进行寻址,数据以串行方式移入或移出。地址通过 SPI 协议传输,包含片选信号(允许多器件共享总线)、操作码和 2 字节地址。地址最高位为“无关”位,完整的 15 位地址可唯一指定每个字节地址。FM25W256 的大部分功能由 SPI 接口控制或由片内电路自动处理。存储器操作的访问时间几乎为零,仅受限于串行协议本身,即读写操作以 SPI 总线速度进行。与串行 Flash 或 EEPROM 不同,无需轮询“就绪”状态——写入操作在总线传输完成时即已结束。接口章节将对此做更详细说明。注意:FM25W256 内部仅集成简单的上电复位电路,不含其他电源管理电路。用户必须保证 VDD 在数据手册规定范围内,以防止异常操作。建议不要在片选有效时断电。串行外设接口 — SPI 总线FM25W256 作为 SPI 从器件,最高工作频率 20 MHz。该高速串行总线为 SPI 主器件提供高性能通信。常见微控制器大多自带硬件 SPI 端口,可直接连接;若无,也可用普通 I/O 口模拟 SPI 时序。FM25W256 支持 SPI 模式 0 和模式 3。如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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    2025-12-22
    FM25W256-GTR 是英飞凌一款高速 256 Kbit F-RAM,具有 151 年的数据保留时间、快速的总线速度写入操作和相当强的写入耐久性,使其成为可靠的非易失性存储器应用的理想选择。它的性能优于传统的串行闪存和 EEPROM,在 -40°C 至 +85°C 的宽工业温度范围内提供高效可靠的性能。其保证的规格和高速 SPI 总线兼容性使其适用于支持 1014 读/写周期或比 EEPROM 多 1 亿倍写入周期的关键应用。具备的特征• 256 Kbit F-RAM 逻辑组织为 32K × 8 • 高耐用性,100 万亿 (1014) 次读/写• 数据保留 151 年• NoDelay ™写入• 高可靠性铁电工艺• 非常快速的串行外设接口 (SPI)• 频率高达 20 MHz• 完善的写保护方案• 低功耗• 宽电压操作:VDD = 2.7 V 至 5.5 V• 工业温度:-40°C 至 +85°C应用• 车载充电(OBC)如有型号采购及选型需求,可直接联系兆亿微波电子元器件商城。
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