TPS51916设备以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4内存系统提供完整的电源。它集成了一个同步降压调节器控制器(VDDQ)和一个2-a宿和2-a源跟踪LDO(VTT)以及缓冲低噪声参考(VTTREF)。
该设备采用D-CAP? 模式与300kHz或400kHz频率耦合,便于使用和快速瞬态响应或D-CAP2? 该模式与更高的500kHz或670kHz频率耦合,以支持陶瓷输出电容器而无需外部补偿电路。VTTREF跟踪VDDQ/2的准确率为0.8%。VTT提供2-A宿和2-A源峰值电流能力,只需要10?F的陶瓷电容。专用LDO电源输入可用。
该设备还提供了优异的电源性能。它支持灵活的电源状态控制,在S3中将VTT置于高Z,在S4或S5状态下将VDDQ、VTT和VTTREF(软关闭)放电。可编程OCL具有低侧MOSFET RDS(开启)传感、OVP、UVP、UVLO和热关机保护。