嗨,欢迎来到兆亿微波官方商城!
服务热线: 010-62975458  17600099251
购物车图片 购物车 ( )
全部商品分类

ADPA7002AEHZ-RF放大器模型解析

2020/12/24 13:51:19
浏览次数: 16

  兆亿微波商城主营产品ADPA7002CHIP,该产品为射频功率放大器,工作在20 GHz至44 GHz范围内。该放大器可提供15 dB的小信号增益,1 dB的增益压缩(P1dB)时的28 dBm输出功率以及40 dBm的典型输出三阶截距(IP3)。该放大器需要V DD2A,V DD2B和V DD1上的5 V电源提供600 mA电流。


  ADPA7002CHIP还具有内部匹配至50的输入/输出(I / O),并有助于集成到多芯片模块(MCM)中。所有数据都是通过两条宽为0.025毫米(1密耳)且长为0.31毫米(12密耳)的引线键合连接的基板上芯片获取的。


  主要应用领域军事与太空、测试仪器等。


  传统上,线性和非线性RF电路仿真占据了不同领域。为了仿真级联小信号增益和损耗,RF设备设计人员传统上一直广泛使用S参数器件模型。由于缺乏数字形式的数据(如IP3、P1dB和噪声),而且常用RF仿真器中历来没有频率变化模型结构,所以传统方式中非线性仿真更具挑战性。RF电路设计人员通常采用自制的电子表格来计算级联噪声和失真。但是,这些电子表格难以模拟系统级特性,例如误差矢量幅度(EVM)和邻道泄漏比(ACLR);当信号链由调制信号驱动时,这些特性变得很重要。


  表1.典型Sys参数数据集


  ADPA7002AEHZ-RF放大器模型解析


  ADPA7002AEHZ-RF放大器模型解析


  本文将探讨一些将线性S参数数据与非线性数据(如噪声系数、IP3、P1dB和PSAT)相结合的RF放大器模型结构。本文还会展示系统级仿真结果,以评估其对实际特性建模的准确程度。


  S参数


  S参数数据集是迄今为止使用非常广泛的RF仿真模型。它们是标准化的表格式数据集,包括不同频率下的输入回波损耗、增益、反向隔离和输出回波损耗,所有这些均为矢量格式。数据一般在驱动信号远低于信号压缩点的小信号条件下收集。S参数通常用于级联增益仿真、输入和输出匹配网络的设计以及稳定性的评估。然而,S参数不包含器件的噪声、压缩或失真特性的信息。


  Keysight Sys-参数


  表1列出了18 GHz至44 GHz、0.5 W功率放大器ADPA7002的sys-参数数据集的一部分。该sys-参数器件模型结构由Keysight定义,用于其PathWave RF频率合成(Genesys)和PathWave系统设计(SystemVue) RF电路与系统仿真器。数据集的表格结构包括了不同频率下的S参数数据以及相应的噪声、三阶交调和1 dB压缩数据。这些数据集提供了足够的信息,支持对RF信号电平、级联增益和反向隔离进行仿真。但是,IP3、P1dB和噪声系数数据的纳入为RF功率扫描和信噪比仿真提供了可能性。另外,还可以在器件的工作频率范围内进行高阶信号特性仿真,例如ACLR和EVM。


  ADI公司维护着一个丰富的RF放大器和混频器sys-参数库,该库可供下载,而且也包含在Keysight Genesys和SystemVue安装程序中。图1显示了Keysight Genesys的屏幕截图。ADI公司的sys-参数库可通过器件选择器轻松获取。每个器件的sys-参数器件模型均包含表1所示的数据,以及模型属性窗口中包含的额外信息。此额外数据包括电源信息以及PSAT和OIP2相对于OP1dB的默认偏移。


  ADPA7002AEHZ-RF放大器模型解析


  图1.Keysight Genesys屏幕截图,展示了典型的sys-参数模型。


  评估sys-参数模型的准确性


  为了评估sys-参数模型的准确性,我们现在将对实测结果和仿真进行一系列比较。图2显示了HMC788A(10 MHz至10 GHz RF增益模块)在10 GHz时的功率扫描的实测和仿真结果。可以看到,仿真功率扫描与实测数据非常接近。仿真器使用器件的增益和OP1dB数据以及PSAT_Delta来生成所示的图形。在本例中,PSAT_Delta为2 dB。这导致PSAT值比OP1dB水平高2 dB,这是GaAs RF放大器的典型默认值。


 ADPA7002AEHZ-RF放大器模型解析


  图2.砷化镓(GaAs) RF放大器的实测和仿真功率扫描。


  ADPA7002AEHZ-RF放大器模型解析


  图3.AM到AM和AM到PM失真的仿真和测量。


  ADPA7002AEHZ-RF放大器模型解析


  图4.HMC1114(3.2 GHz、10 W GaN放大器)的仿真和实测功率扫描。


  到AM和AAMM到PM失真


  为了更细致地研究仿真压缩特性,我们可以看看AM到AM和AM到PM失真。图3所示的实测和仿真结果是针对 HMC930A的。测得的AM到AM失真与仿真非常接近。但是,仿真结果看不出AM到PM失真,这是不正确的。这是因为器件模型和数据集仅包含小信号相位信息(即S21)。虽然仿真器可以使用器件模型中的OP1dB和PSAT_Delta数据来估算AM到AM失真,但它没有任何大信号S参数数据可供使用。在这种情况下,使用更详细的模型,例如X-参数格式(X-参数模型内置与电平相关的S参数),会很合适。


  氮化镓放大器的功率扫描仿真


  图4显示了10 W氮化镓(GaN) RF放大器 HMC1114LP5DE在3.2 GHz时的功率扫描。GaN RF放大器的压缩特性往往比GaAs器件要缓和得多。这需要调整PSAT_Delta,即1 dB压缩点与饱和点之差。在这种情况下,基于观察到的测量值,该变化量已设置为7 dB。虽然仿真器在某些情况下会因变化量较大而产生警告,但它仍会正确仿真并产生与实测性能非常接近的结果。


  ACLR仿真


  随着我们从CW信号测量和仿真转向调制信号,sys-参数数据集的价值变得更大。虽然有关器件增益、压缩、IP3和噪声系数的信息可在器件数据手册中轻松获得,但显示调制信号下性能的曲线不大可能在为一般用途而设计的器件数据手册中找到。另外,如果不进行仿真或测量,ACLR和EVM之类的指标也不容易预测。


  图5显示了0.25 W的驱动放大器 ADL5320在2140 MHz时,由5 MHz宽载波驱动下的功率扫描的仿真结果。仿真载波由11个均匀间隔的子载波组成,ACLR在5 MHz载波偏移下进行测量。


  ADPA7002AEHZ-RF放大器模型解析


  图5.ACLR仿真。


  仿真表明,ACLR在–15 dBm的输入功率下达到了最优值。在此输入功率以下,ACLR以1 dB/dB的比率随输入功率而降低。曲线的此区域主要由噪声系数数据决定。当输入功率提高到–15 dBm以上时,ACLR的衰减速率与器件的IP3密切相关。值得注意的是,此仿真的结果依赖于噪声系数数据(低功率时)和IP3数据(高功率时)来产生在宽功率范围内都很准确的ACLR扫描。


  该图还包括实测数据(蓝色)。对于–15 dBm的输入功率水平,它未达到相同的最优水平,这是由于测量设置的限制所致。值得注意的是,随着输入功率水平的增加,实测ACLR下降得更快。这是因为器件的OIP3会随输入/输出功率水平而稍有下降(理想情况下,它不应改变)。器件模型数据集中的IP3是单个数据集,不随功率水平而变化;可以认为它是器件的小信号IP3。这又是一个X-参数模型及其更详细的电平相关性建模可能会产生更准确仿真的例子。


  EVM仿真


  sys-参数模型还可用来可靠地进行EVM仿真。图6显示了EVM相对于RF功率扫描的实测和仿真结果,输入信号为1 MSPS、16 QAM载波,驱动50 MHz至4 GHz增益模块 ADL5602。这表明在低功率和高功率水平下,测量与仿真之间都有出色的相关性。


  温度仿真


  ADI库中的默认sys-参数数据集仅包含环境温度数据。但是,通过向包含温度数据的数据集添加额外工作表可以扩展模型。图7显示了18 GHz至44 GHz、1 W功率放大器 ADPA7007的数据集。该数据集具有多个工作表,包含–55°C、+25°C和+85°C下的增益、噪声和失真数据。Genesys和SystemVue仿真器可以利用这三个数据点生成其他温度下的插值数据,如图7所示。


  在ADS中进行仿真


  sys-参数数据集对Keysight Genesys和SystemVue是原生数据集,但不适用于Keysight ADS。有一种解决办法可以将sys-参数数据集导入ADS,从而进行噪声、失真和压缩仿真。这需要使用Amplifier2模型。Amplifier2模型对Keysight ADS是原生的,提供与sys-参数模型类似的功能。图8显示了包括Amplifier2模型的ADS原理图。该原理图还包含两个数据访问器件:DAC1和DAC2。这些DAC用于将sys-参数数据与Amplifier2模型相关联。噪声系数、OIP3和OP1dB数据格式化为文本文件,并通过DAC1器件与Amplifier2模型相关联。DAC2器件用于将S-参数数据与Amplifier2模型相关联。这将在ADS中产生一个Amplifier2模型,使用该模型可执行上面讨论过的所有仿真,但是在Keysight ADS中执行。


  使用此方法时须小心。当执行RF功率扫描,Amplifier2模型被强驱进入压缩时,仿真性能往往与观察到的实测性能有很大差异。此外,创建一个使用S-参数数据及噪声、失真和压缩数据的Amplifier2模型,适合于具有良好基线输入和输出回波损耗(S11和S22)的器件,大多数不需要外部RF匹配器件的ADI RF放大器就是这种情况。通过将标量增益添加到DAC1器件并省略S-参数数据(即省略DAC2),可以创建一个更简单的Amplifier2模型。  


ADPA7002AEHZ-RF放大器模型解析  

  图7.18 GHz至44 GHz、1 W功率放大器ADPA7007的仿真增益和噪声系数与温度的关系。


  结论


  sys-参数数据集代表了一种新颖且有用的RF放大器仿真工具。它们比S-参数更强大,后者不能进行噪声、失真和压缩建模。它们不像X-参数模型那么复杂,后者可以改善依赖模型级别的特性,例如AM到PM失真和ACLR。但是,sys-参数模型具有简单的表格式结构,可以通过将S-参数数据与噪声系数、OIP3和OP1dB数据结合起来轻松创建。仿真和实测数据的比较显示出极好的一致性。尽管sys-参数模型无法在ADS中使用,但可以利用一个相对简单的流程来迁移数据集,以使用ADS原生的Amplifier2模型结构。


  ADI公司致力于维护和扩充其sys-参数模型库。随着新模型添加到库中,我们将增加对温度仿真的支持。Keysight Genesys和SystemVue的最新库可以在analog.com/sys-parameters下载。


  ADPA7002AEHZ-RF放大器模型解析


  图8.在使用Amplifier2模型的Keysight ADS中使用sys-参数数据。


  ADI公司是兆亿微波商城长期原厂代理商家,兆亿微波商城凭借自身雄厚的经济实力,为广大客户备了充足的常用电子元器件产品库存,除此之外,对于紧缺物料的备货也有充分准备,将每位客户的需求都录入了系统,备货准备中。


  由于近期各种电子元器件产品需求量较大,因此,尽量提前预定,兆亿微波商城将为您提前备货。


在线留言询价
推荐阅读
  • 点击次数: 4
    2026-06-22
    数据存储器的地址范围,指的是存储器中所有可用地址的起始地址到结束地址之间的范围。换句话说,它表示了一个计算机系统或存储器模块能够访问的所有存储单元的地址集合。每个存储单元都有一个唯一的地址,CPU通过这些地址来读写数据。例如,若一个存储器的地址范围是从0x0000到0xFFFF,则它能够访问的存储单元数量为地址总数的大小,即2的16次方个单元,也就是65536个地址单元。地址范围与存储器容量的关系存储器容量通常以字节(Byte)为单位衡量,而地址范围决定了系统可以定位和访问多少个存储单元。其计算关系为:存储器容量 = 地址范围的大小 × 每个存储单元的大小其中,“地址范围的大小”是指地址的总个数,即地址最高值减去地址最低值再加1。例如,对于一个8位地址线的存储器,地址范围是0到255(共256个地址),如果每个地址单元存储1字节,那么存储器容量就是256字节。地址范围的决定因素1. 地址线的数量存储器的地址线数量决定了地址范围的大小。地址线越多,能够表示的地址越多,存储空间越大。地址线为n根时,理论最大地址范围为0到2ⁿ - 1。2. 存储器的物理设计存储器芯片的设计决定了实际可用的地址范围,有时芯片会只使用部分地址线,或通过分段管理,划分不同的地址区域以满足系统需求。3. 系统架构与地址映射操作系统和处理器体系结构会对地址空间进行管理和划分,例如内存映射、虚拟地址空间等,这也影响了有效地址范围的使用。地址范围的作用和意义1. 指导存储容量设计设计者根据系统需求确定合理的地址范围,从而配备合适容量的存储器,既避免资源浪费,也满足性能需求。2. 确定存储地址的边界地址范围清晰定义了存储器的有效访问区间,防止系统访问非法地址,提高系统的稳定性和安全性。3. 支持地址译码和访问控制通过地址范围,可以实现对不同存储模块的地址译码,避免地址冲突,实现多存储器协同工作。4. ...
  • 点击次数: 2
    2026-06-22
    随机存取存储器,即RAM,是一种能够在任意时间内随机访问任何存储单元的存储器,与顺序访问存储器不同,RAM不需要按照固定顺序读取数据。它通常用来临时存储计算机正在运行的程序和数据,属于易失性存储器,即断电后数据会丢失。随机存取存储器的主要功能1. 临时数据存储RAM为CPU提供临时的数据存储空间,用于保存目前正在执行的程序指令和相关数据。因其高速读写特点,能够快速响应CPU的访问请求,确保系统运行的流畅性。2. 支持程序执行当程序启动时,程序代码和数据会被加载进RAM中,CPU直接从RAM读取指令执行。RAM的高速访问能力显著提高了程序运行效率,相较于从外部硬盘读取数据,RAM访问速度快了数百倍甚至更多。3. 数据缓存和缓冲RAM还用于存储输入输出设备的数据缓存,协调数据传输。比如在视频播放、游戏运行等场景,RAM缓存临时数据,避免因数据传输延迟导致性能瓶颈。4. 临时工作区RAM充当计算机系统中的临时工作区,为操作系统和应用程序提供足够的空间进行数据处理和运算。它支持多任务并行处理,提高系统资源的利用效率。随机存取存储器的作用1. 提升系统性能RAM的高速读写功能直接决定了计算机和电子设备的响应速度和处理能力。RAM容量越大,系统能够同时处理的任务越多,运行速度越快。2. 支持多任务处理现代操作系统依赖于RAM对多个程序进行有效管理,实现多任务并行运行。RAM为各个程序分配独立的存储空间,确保系统稳定高效运行。3. 保障数据临时存储安全性在程序运行过程中,RAM提供一个安全、快速的存储环境,确保临时数据的快速传输和处理,保障程序执行的连续性。4. 支持系统启动和加载计算机启动时,BIOS和操作系统核心文件被加载到RAM中,准备系统工作环境。RAM的可靠性和容量影响系统启动速度和稳定性。总结来说,随机存取存储器(RAM)因其高速的数据访问能力和灵活性,成为各类电子设备中不可...
  • 点击次数: 2
    2026-06-22
    嵌入式闪存指的是集成在主控芯片或系统内的闪存存储单元,常见的类型有NOR闪存和NAND闪存。嵌入式闪存存储芯片通常与处理器紧密集成,广泛应用于微控制器(MCU)、系统单芯片(SoC)以及智能设备中,用于存储程序代码、配置数据和应用数据。嵌入式闪存存储芯片的优势1. 高度集成,节省空间嵌入式闪存直接集成到芯片内部,减少了外部存储器的需求,极大减少了系统电路板面积,满足现代电子产品对小型化、紧凑化的设计需求。这对于便携设备和空间受限的应用尤为重要。2. 低功耗设计嵌入式闪存通常优化了功耗管理,支持低功耗运行模式,适合对能耗敏感的设备,如可穿戴设备、无线传感器节点等。低功耗不仅延长了设备的电池寿命,还提升了系统的整体能源效率。3. 快速的访问速度嵌入式闪存通过与处理器的紧密耦合,提供较快的读写速度,缩短程序启动和数据访问时间,提升系统响应性能。尤其是在执行代码存储应用中,能够直接从闪存运行程序,大幅提升启动速度。4. 高可靠性和耐用性嵌入式闪存设计时注重耐久性和可靠性,具备较强的抗震动、抗干扰能力,且具备较高的擦写寿命,满足工业控制、汽车电子等严苛环境的应用需求。5. 成本效益优越集成度高的嵌入式闪存减少了外部元件数量,降低了整体硬件成本和系统复杂度。同时,生产制造过程中,由于减少了PCB设计和组件数量,降低了装配与测试费用。6. 安全性支持部分嵌入式闪存芯片集成了安全功能,如加密存储、防篡改机制、读写保护等,为安全关键应用(如金融、医疗、智能卡)提供了可靠保障。应用领域实例微控制器(MCU)系统:嵌入式闪存用于存储固件和配置数据,保障设备高效可靠运行。消费电子:智能手机、智能手表、智能家居设备中集成闪存,实现快速启动和持久存储。汽车电子:满足汽车对稳定性和安全性的高要求,支持车载娱乐系统和自动驾驶功能。工业控制:保证工业设备在复杂环境下数据的完整性和可用性。嵌入式闪存存储芯片凭...
  • 点击次数: 2
    2026-06-22
    非易失性存储器作为一种能够断电后依然保存数据的存储介质,其归属到底是内存还是外存,在实际应用和理论分类中常常引发讨论。那么,非易失性存储器属于内存还是外存?什么是非易失性存储器?非易失性存储器指的是断电后仍能保存数据的存储介质,典型代表包括闪存、固态硬盘(SSD)、只读存储器(ROM)、磁性存储器等。与之对应的是易失性存储器,如动态随机存储器(DRAM)、静态随机存储器(SRAM),它们需要持续供电才能保持数据。内存和外存的区别内存(主存):计算机中直接与CPU交互,速度快、容量相对较小,用于临时存储数据和指令的存储器,例如DRAM。内存通常是易失性的。外存(辅助存储器):用于长时间存储数据,容量大,速度较内存慢,例如硬盘、光盘和USB闪存驱动器。外存一般为非易失性。非易失性存储器的定位挑战传统上,内存强调速度和对CPU的直接访问能力,而外存强调数据的长期保存和大容量。非易失性存储器因具备持久保存数据的能力,天然具备外存的特质;但某些高速非易失性存储器随着技术进步,也开始具备内存的性能表现,模糊了内存和外存的界限。1. 作为外存的非易失性存储器最典型的是闪存和SSD,它们容量大,速度比传统机械硬盘快,广泛作为外部存储设备使用。这类非易失性存储器主要用于存储文件、操作系统和大规模数据,不能作为CPU的直接工作内存。2. 作为内存的非易失性存储器随着技术发展,出现了非易失性内存技术(如MRAM、PRAM、ReRAM等),这些存储器速度接近传统内存,且能保留数据,即使断电也不丢失。目前,这类非易失性存储器被研究和部分应用于可直接作为主存或辅助主存的角色,促进内存和存储层次结构的融合。3. 缓存级别与内存层次优化部分非易失性存储器被用于CPU缓存层或作为内存与外存之间的高速缓存桥梁,增强系统整体性能。这种应用进一步模糊了传统的内存与外存界限。总结来说,非易失性存储器的归属并非绝对,...
  • 点击次数: 3
    2026-06-22
    动态随机存储器(DRAM)作为计算机系统中重要的存储器之一,具有存储密度高、成本低等优点,但由于其存储单元采用电容器存储电荷的方式,会随着时间的推移而慢慢漏电,导致存储的数据逐渐丢失。因此,DRAM需要定期刷新以保持数据的完整性。什么是DRAM刷新?DRAM中的每个存储单元包含一个电容,用于存储一个数位的电荷。由于电容会自发放电或漏电,存储的数据位会随时间衰减。为了防止数据丢失,必须周期性地对存储单元进行“刷新”,即重新给电容充电,使其电荷恢复到正常水平,从而确保数据安全。DRAM的刷新方式分类DRAM的刷新方式主要可以分为以下几种:1. 循环刷新方式循环刷新是最常见和传统的刷新方式,控制器按照固定顺序依次对存储器中的每一行(或一部分行)进行刷新。它的特点是刷新操作均匀分布在整个存储周期中,不会集中产生刷新峰值。优点:实现简单,刷新均匀,系统负载平稳。缺点:刷新频率固定,可能导致不必要的刷新操作,降低存储器区块利用效率。2. 自刷新方式自刷新是DRAM芯片内置的一种刷新模式,当系统进入待机或休眠状态时,DRAM自身的内部电路能够自动管理刷新,独立于外部刷新请求,保持数据不丢失。优点:省去外部刷新控制逻辑,降低功耗,非常适合低功耗设计。缺点:刷新周期较长,刷新速度较慢,适合静止或低活动状态下使用。3. 按需刷新方式按需刷新方式根据实际数据访问需求进行刷新操作,只刷新当前或即将被访问的存储区域,减少不必要的刷新次数。优点:提高刷新效率,减少能耗,适合高性能和低延迟系统。缺点:实现复杂,刷新控制逻辑复杂,难以保证所有数据均能及时刷新。4. 批量刷新方式批量刷新是指DRAM在一段时间内集中完成多行的刷新工作,之后进入正常访问状态。它通常以刷新命令为单位,在限定时间内连续刷新多行存储单元。优点:刷新操作完成快,适用于系统可以短暂“冻结”访问的场景。缺点:刷新过程可能对系统正常访问造成...
热门分类
关于我们

───  公众号二维码  ───

兆亿微波商城微信公众号

兆亿微波商城www.rfz1.com是一个家一站式电子元器件采购平台,致力于为广大客户提供高质量、高性能的电子元器件产品。产品覆盖功放器件、射频开关、滤波器、混频器、功分器、耦合器、衰减器、电源芯片、电路板及射频电缆等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为客户提供一站式供应链采购服务。 

  • 品质 • 正品行货 购物无忧
  • 低价 • 普惠实价 帮您省钱
  • 速达 • 专业配送 按时按需
Copyright ©2020 - 2021 兆亿微波科技有限公司
X
1

QQ设置

    1
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

5

电话号码管理

电话 电话 电话
010-62975458
    1
6

二维码管理

    1
返回顶部
展开