ADI公司低噪声放大器可以覆盖从DC (IF)到RF微波和W波段(95 GHz)的频率范围。这些基于MMIC的设计覆盖各种增益和带宽，噪声系数低至0.7 dB。我们的低噪声放大器提供业界可用的最低噪声和最高线性度。许多设计提供自偏置拓扑结构，且内部匹配至50 Ω。它们可用于广泛的应用，包括电信、仪器仪表和军用/航空航天。所有ADI公司低噪声放大器在整个频率、温度和电源电压范围内提供额定性能。
1、ADCA3950
ADCA3950是一款采用工业标准SOT-115J封装的功率倍增混合模块。该器件采用先进的砷化镓（GaAs）、假晶高电子晶体管（pHEMT）和氮化镓（GaN）HEMT等电路设计技术，在18db的倾斜条件下获得了74dbmv的高射频输出。ADCA3950提供高增益，简化了DOCSIS 3.1的设计和制造? 基础设施设备。
2、ADL8104
ADL8104 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带高线性度放大器，工作范围为 0.4 GHz 至 7.5 GHz。
ADL8104 在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型增益为 15 dB，在 0.4 GHz 到 6 GHz 时的典型噪声系数为 3.5 dB，在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型输出功率为 1 dB 压缩的 (OP1dB) 20 dBm， 在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型三阶截取输出 (OIP3) 为 32 dBm，漏极电源为 5 V 时的电流仅为 150 mA。该低噪声放大器在 0.6 GHz 到 6 GHz 时具有典型值为 52 dBm 的高输出二阶截距 (OIP2)，使得 ADL8104 适合应用于军事和测试仪器。
ADL8104 还具有内部匹配至 50 Ω 的输入和输出特性。RFIN 和 RFOUT 引脚内部交流耦合，并集成了偏置电感器，使得 ADL8104 非常适合基于表面贴装技术 (SMT)、高密度的应用。
ADL8104 采用符合 RoHS 指令的 3 mm × 3 mm 16 引脚 LFCSP 封装。
3、ADCA3952
ADI公司的ADCA3952是一款功率倍增器混合模块，采用工业标准的SOT-115J封装。通过使用砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEM)和氮化镓(GaN) HEMT等先进的电路设计技术，该器件可实现极高的RF输出，总复合功率高达73.3 dBmV，倾斜度为9 dB。可从外部调整直流电流，以在输出电平范围内实现出色的失真性能和功耗。ADCA3952提供高增益，可以简化DOCSIS 3.1?基础设施设备的设计和制造。
4、ADH519S
ADH519S 是一款高动态范围 GaAs PHEMT MMIC 低噪声放大器 (LNA)，其频率范围为 17.5 至 31.5 GHz。ADH519S 可提供 11.4 dB 的小信号增益和 5.0 dB 的噪声指数，并且具有 19.2 dBm 的输出 IP3。
5、ADCA3990
ADCA3990是一款功率倍增器混合模块，采用工业标准的SOT115J封装。通过使用高级电路设计技术，该器件可实现极高的RF输出、高达76.8 dBmV的复合功率或67 dBmV虚拟电平，如砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)裸片和氮化镓(GaN) HEMT裸片。可从外部调整直流电源和电源电压，以在输出电平范围内实现最佳的失真性能和功耗。
6、ADCA3992
该ADCA3992是一个高增益，功率倍增混合放大器优化的功率效率和客户的灵活性为广泛的偏置条件。ADCA3992非常适合用于数字预失真（DPD）节点设计，以最大限度地节省功率。该器件采用砷化镓（GaAs）假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）芯片与氮化镓（GaN）HEMT芯片相结合，实现了极高的射频输出，达到76.8dbmv的复合功率或67dbmv的虚电平。直流电流和电源电压可以在外部进行调整，以便在一定的输出电平范围内获得最佳的失真性能和功耗。ADCA3992采用行业标准SOT115J封装。
7、HMC8412-Die
HMC8412 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.4 GHz 至 11 GHz。
HMC8412 提供 15.5 dB 的典型增益、1.4 dB 的典型噪声指数和 ≤33 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3)，只需要来自 5 V 漏极电源电压的 60 mA 的电流。≤ 20.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相和正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。
HMC8412 还具有可在内部匹配至 50 ? 的输入和输出，使得该套件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波射频应用。
HMC8412 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。
8、HMC8412LP2FE
HMC8412 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.4 GHz 至 11 GHz。
HMC8412 提供 15.5 dB 的典型增益、1.4 dB 的典型噪声指数和 ≤33 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3)，只需要来自 5 V 漏极电源电压的 60 mA 的电流。≤ 20.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相和正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。
HMC8412 还具有可在内部匹配至 50 ? 的输入和输出，使得该套件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波射频应用。
HMC8412 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。
9、ADL9006ACGZN
ADL9006 是一款砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单片微波集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器，工作范围为 2 GHz 至 28 GHz。该放大器可提供 15.5 dB 的增益，2.5 dB 的噪声系数，26 dBm 的输出三阶截距 (OIP3) 以及20 dBm 的输出功率，以进行 1 dB 压缩 (P1dB)，同时需要 5 V 电源提供 53 mA 的电流。ADL9006 具有自偏置功能，仅需一个正电源即可实现 53 mA 的电源电流 (IDD)。
ADL9006 放大器输入和输出内部匹配至 50 Ω。