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ADMV1139A微波上变频器和下变频器的概述及特点

2024/4/2 16:06:42

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ADMV1139A是一款硅绝缘体（SOI）、微波、上变频器和下变频器，专为在37 GHz至50 GHz频率范围内工作的5G无线电设计而优化。

上变频器和下变频器都提供两种频率转换模式。一种模式是从复杂中频（IF）信号转换和/或转换为复杂中频信号，然后通过可选的片上90°IF混合，称为IF模式。

另一种模式是从差分基带同相/正交（I/Q）输入和输出的直接转换，称为基带模式。I/Q基带输出共模电压可在0.7 V和1.5 V之间编程。

当该设备被用作图像抑制下变频器时，在校准之前，不需要的图像项通常被抑制到26dBc。ADMV1139A提供平方律功率检测器，以允许监测下变频器的混频器输入处的功率电平。

射频接收输入、射频发射输出和本振（LO）接口均为单端，匹配50Ω。片上射频开关提供了将发射和接收射频端口组合在一起的选项，用于时分双工（TDD）应用。

串行端口接口（SPI）提供LO链I/Q相位的调整，以实现最佳边带抑制。此外，SPI允许在不需要载波馈通优化时关闭输出包络检测器以降低功耗。

ADMV1139A上变频器和下变频器安装在一个紧凑的、热增强的、6毫米×6.5毫米的球栅阵列（BGA）封装中。这种BGA封装能够使ADMV1139A从封装的顶部散热，以实现最有效的散热。ADMV1139A在−40°C至+95°C TC范围内工作。

特点

•将上变频器（发射机）、下变频器（接收机）和LO链与4×乘法器集成在一个芯片中

•射频频率范围：37 GHz至50 GHz

•发射器和接收器之间的可选片上射频开关端口

•LO输入频率范围：7.25 GHz至12.05 GHz

•上变频器和下变频器的两种操作模式

•差分基带I/Q的直接转换（基带模式）

•复杂的中频操作，可选片上混合（中频模式）

•可编程基带输出共模电压，在接收模式下为0.7 V至1.5 V，通过SPI或物理引脚设置

•可编程混频器栅极电压，以适应传输模式下0 V至1.5 V的基带输入共模

•匹配，50Ω阻抗，单端射频输入和输出，以及射频开关端口

•匹配的50Ω阻抗单端LO输入

•低相位变化与增益控制

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