全球领先的GaN（氮化镓）功率半导体厂商GaN Systems宣布与Silanna Semiconductor合作，推出了一款基于GaN的最高功率密度、高效率的65W有源箝位反激式（ACF）充电器的新参考设计。该参考设计现已在Silanna Semiconductor上市，为ACF USB-C PD GaN充电器提供了一个简单的设计，为客户缩短了设计周期和产品上市时间。
该解决方案消除了ACF拓扑设计的困难，因为ACF拓扑设计通常在高侧和低侧配置两个晶体管。新的充电器参考设计采用Silanna Semiconductor的SZ1130 ACF PWM控制器和GaN Systems GS-065-008-1-L 650V GaN功率晶体管，高侧FET集成到控制器中。这种设计通过在二次侧使用传统的RM8变压器和100V SR MOSFET，降低了BoM成本。
超高密度：30W / in ^ 3（无外壳）
高效率：峰值效率> 94％
低温度：<95 ? C最大值部件温度
更好的EMI设计：几乎零电压尖峰或振铃可清洁波形
支持广泛的应用：5V/3A，9V/3A，15V/3A和20V/3.25A输出电压；USB-PD
“ Silanna Semiconductors非常适合65W ACF设计，这是该公司开发创新解决方案的另一个例子，以认识到GaN对电源工程师的重要性日益提高，” GaN Systems首席执行官Jim Witham说道，“随着GaN成为标准建筑跨市场，很高兴看到生态系统继续增长。”
GaN Systems是全球领先的GaN功率半导体公司，拥有最大的晶体管组合，能独特地满足当今最苛刻的行业需求，包括消费电子、数据中心服务器和电源、可再生能源系统、工业电机和汽车电子。