ADRF5162是亚德诺一种采用硅工艺制造的反射式单极双掷（SPDT）开关。
ADRF5162的工作频率为0.4 GHz至8 GHz，典型的插入损耗为0.6 dB，典型的隔离度为45 dB。该设备具有45.5 dB平均功率和50 dBm插入损耗路径峰值功率的射频（RF）输入功率处理能力。
ADRF5162在+3.3 V的正电源上消耗130μa的低电流，在-3.3 V的负电源上消耗500μa的电流。该器件采用互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管对晶体管逻辑（LVTTL）兼容的控制。ADRF5162不需要额外的驱动器电路，这使其成为GaN和PIN二极管开关的理想替代品。
ADRF5162采用24引脚、4.0 mm×4.0 mm、符合RoHS标准的引线框架芯片级封装（LFCSP），可在-40°C至+105°C的温度范围内运行。
特性
频率范围：0.4 GHz至8 GHz
低插入损耗：4 GHz时典型为0.6 dB
高隔离度：4 GHz的典型值为45 dB
高输入线性度
0.1 dB功率压缩（P0.1dB）：49 dBm
三阶截距（IP3）：>76 dBm
TCASE=85°C时的高功率处理：
插入损耗路径
平均值：45.5 dBm
脉冲（脉冲宽度>100ns，占空比15%）：48.5dBm
峰值（峰值持续时间≤100ns，占空比5%）：50 dBm
RFC下的热切换：43 dBm
PIN≤43 dBm时0.1 dB射频稳定时间：1.2μs
无低频杂散
正向控制接口：CMOS/LVTTL兼容
24导联，4.0毫米×4.0毫米LFCSP封装
应用
军用无线电、雷达和电子对抗措施
蜂窝基础设施
测试和仪器
GaN和PIN二极管的更换
功能框图
