ADRF5142是一种采用硅工艺制造的反射式单极双掷（SPDT）开关。
ADRF5142的工作频率为8 GHz至11 GHz，典型插入损耗为1.2 dB，典型隔离度为40 dB。该设备具有41 dBm平均功率和46 dBm插入损耗路径峰值功率的射频（RF）输入功率处理能力。
ADRF5142在+3.3 V的正电源上消耗130μa的低电流，在-3.3 V的负电源上消耗500μa的电流。该器件采用互补金属氧化物半导体（CMOS）/低压晶体管对晶体管逻辑（LVTTL）兼容的控制。ADRF5142不需要额外的驱动器电路，这使其成为GaN和PIN二极管开关的理想替代品。
ADRF5142采用20引脚、3.0 mm×3.0 mm、符合RoHS标准的焊盘栅格阵列（LGA）封装，工作温度范围为-40°C至+85°C。
规格参数
开关配置:SPDT
最小频率:8 GHz
最大频率:11 GHz
介入损耗:1.2 dB
关闭隔离—典型值:40 dB
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
高控制电压:1.2 V to 3.3 V
空闲时间—最大值:60 ns
运行时间—最大值:60 ns
工作频率:8 GHz to 11 GHz
工作电源电流:130 uA, 500 uA
电源电压-最大:3.45 V
电源电压-最小:3.15 V
特性
频率范围：8 GHz至11 GHz
低插入损耗：1.2 dB（典型值）
高隔离度：40 dB（典型）
高输入线性度
0.1 dB功率压缩（P0.1dB）：46 dBm
三阶截距（IP3）：70 dBm
TCASE=85°C时的高功率处理：
插入损耗路径
平均值：41 dBm
脉冲（脉冲宽度>100ns，占空比15%）：44dBm
峰值（峰值持续时间≤100ns，占空比5%）：46 dBm
RFC（引脚3）处的热切换：41 dBm
快速切换时间：60 ns
0.1 dB射频稳定时间：65 ns
无低频杂散
正向控制接口：兼容CMOS-/LVTTL
20引脚，3.0毫米×3.0毫米LGA封装
引脚与ADRF5141和ADRF5144兼容
应用
X波段通信和雷达
电子战
卫星通信
氮化镓（GaN）和PIN二极管更换
引脚图
