HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信号增益，1.8 dB的噪声系数，28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。
16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC902LP3E还具有隔直输入/输出，内部匹配50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和C频段甚小孔径终端(VSAT)应用。
规格参数
工作频率:5 GHz to 10 GHz
工作电源电压:3.5 V
工作电源电流:80 mA
增益:19.5 dB
NF—噪声系数:1.8 dB
P1dB - 压缩点:16 dBm
OIP3 - 三阶截点:28 dBm
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
Pd-功率耗散:450 mW
单位重量:57.100 mg
点击购买：HMC902LP3ETR
特性
• 低噪声系数：1.8 dB（典型值）
• 高增益：19.5 dB
• 高P1dB输出功率：16 dBm（典型值）
• 单电源：3.5 V (80 mA)
• 输出IP3：28 dBm
• 50 Ω匹配输入/输出
• 通过可选偏置控制实现自偏置，以降低静态漏极控制(IDQ)。
• 3 mm × 3 mm、16引脚芯片级(LFCSP)封装：9 mm²
应用
点对点无线电
点对多点无线电
军事与太空
测试仪器
引脚配置
