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MAT01GHZ晶体管的规格参数、特性应用及引脚图

2024/12/19 13:20:33
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MAT01是一款单芯片双通道NPN晶体管电子元器件。专有的氮化硅“三重钝化”工艺使器件的关键参数在温度和时间范围内具有出色的稳定性。匹配特性包括失调电压40µV、温度漂移0.15µV/°C及hFE匹配为0.7%。 该器件通过60倍范围的集电极电流提供极高的h，包括在集电极电流仅为10nA的情况下具有出色的hFE 值590。该器件能够在较低集电极电流的情况下提供高增益，适合在低功耗、低电平输入级中使用。

规格参数

晶体管极性: NPN

配置: Dual

最大直流电集电极电流: 25 mA

集电极—发射极最大电压 VCEO: 45 V

集电极—基极电压 VCBO: 45 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: 800 mV

Pd-功率耗散: 500 mW

增益带宽产品fT: 450 MHz

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 125 C

集电极连续电流: 25 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min: 250

直流电流增益 hFE 最大值: 610

高度: 4.7 mm

长度: 9.4 mm

宽度: 9.4 mm

单位重量: 1 g

特性

• 低VOS（VBE匹配）： 40 μV（典型值）；100 μV（最大值）

• 低TCVOS： 0.5 μV/°C（最大值）

• 高hFE： 500（最小值）

应用

磅秤

低噪音、运算放大器、前端

电流镜和电流吸收器/源

低噪声仪表放大器

电压控制衰减器

对数放大器

引脚图

MAT01GHZ晶体管的规格参数、特性应用及引脚图
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