CSD95377Q4M NexFET™功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器应用进行了高度优化。此电子元器件集成了驱动器 IC 和功率 MOSFET，从而可以实现功率级开关功能。此驱动器 IC 具有内置可选二极管仿真功能，该功能支持非连续导通模式 (DCM) 运行，从而提高轻负载效率。该组合在小型 3.5mm x 4.5mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效率和高速开关功能。此外，PCB 封装已经过优化，可帮助减少设计时间并简化总体系统设计。
规格参数
激励器数量: 1 Driver
输出端数量: 1 Output
输出电流: 35 A
电源电压-最小: 4.5 V
电源电压-最大: 5.5 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
工作电源电流: 8.6 mA
Pd-功率耗散: 8 W
单位重量: 56.200 mg
特性
• 电流为 15A 时的效率约为 94%
• 最大额定持续电流 35A
• 高频运行（高达 2MHz）
• 高密度 3.5mm × 4.5mm SON 封装
• 超低电感封装
• 系统优化的 PCB 封装
• 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
• 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
• 输入电压最高可达 16V
• 三态 PWM 输入
• 集成型自举二极管
• 击穿保护
• 符合 RoHS 环保标准-无铅引脚镀层
• 无卤素
应用
•服务器、网络、电信系统中的负载点同步降压
•多相Vcore、DDR和图形解决方案
引脚图
