英飞凌推出第二代CoolSiC™ MOSFET 750V G2，以4mΩ全球最低导通电阻与Q-DPAK顶部散热封装革新功率设计。支持-11V瞬态栅极耐压及175℃结温运行，在车载充电器、光伏逆变器等场景实现98.5%峰值效率。
核心作用
●能效跃升：硬开关拓扑效率＞98.5%（较IGBT方案+3.2%）
●功率密度：体积比D²PAK缩小50%，电流密度提升3倍
●安全增强：抗寄生导通能力提升5倍（VGS(th) 4.5V）
●兼容拓展：驱动电压兼容-7V~+22V，无缝替换硅基方案
关键竞争力
●电阻王者：4mΩ导通电阻（当前全球SiC MOSFET最低值）
●开关标杆：Qfr降低35%（软开关场景损耗减半）
●散热革命：顶部散热热阻较底部散热降低70%
●车规认证：AEC-Q101 Grade0（175℃结温）
实际应用场景
●800V超充桩：25kW模块并联（4mΩ器件降低损耗30%）
●车载OBC：22kW拓扑效率＞98%（支持3C快充）
●光伏逆变器：1500V系统MPPT（175℃高温无降额）
●数据中心电源：钛金认证CRPS模块（功率密度100W/in³）
●储能PCS：100kHz开关频率（体积缩小40%）
●固态断路器：μs级关断（4mΩ实现2000A分断能力）
CoolSiC™ MOSFET 750V G2的发布标志着碳化硅功率器件进入4mΩ时代。其顶部散热Q-DPAK封装破解高功率密度散热难题，-11V栅极耐压为工业恶劣环境提供安全冗余。随着800V电动车平台普及，这款兼具“极致能效-顶级功率密度-车规可靠”三重优势的器件，将重新定义新能源电力电子系统的性能边界。
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