Vishay推出第三代650V/1200V SiC肖特基二极管系列（VS-3C0xEJxx-M3），采用革命性SlimSMA HV(DO-221AC)封装。在0.95mm超薄厚度下实现3.2mm爬电距离，结合7.2nC超低容性电荷与MPS结构，为服务器电源/工业驱动器提供高频高效解决方案。
核心作用
▶ 服务器PSU效率提升1.2%（满足80 PLUS钛金）
▶ 工业驱动器体积缩减35%（超薄封装优势）
▶ 并联均流偏差＜5%（正温度系数特性）
产品关键竞争力
1. 绝缘革命：
●3.2mm爬电距离（行业标准2.5mm）
●CTI 600级材料耐电弧性提升3倍
2. 高频性能：
●7.2nC@650V（竞品＞15nC）
●零反向恢复电流（Qrr=0μC）
3. 热管理突破：
●175℃结温下漏电流仅5μA
●1.30V@2A超低正向压降
4. 机械创新：
●0.95mm厚度兼容柔性板设计
●J-STD-020 MSL1级防潮认证
实际应用场景
●钛金服务器电源：PFC级1200V/2A二极管并联阵列
●光伏优化器：650V MPPT防反二极管
●医疗X光机：1200V高频逆变模块
●车载OBC：SiC桥臂并联均流设计
Vishay第三代SiC二极管以绝缘与薄型化双重突破，重新定义高压电源密度边界。其3.2mm爬电距离结合CTI 600材料，为潮湿/粉尘环境提供终极防护方案。该系列已导入多家头部服务器厂商，实测100kHz工况下温升降15℃。随着全球电气安全标准升级，此技术平台将延伸至1700V光伏市场，推动绿色能源设备可靠性革新。
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