当HBM4传输速率冲破10Gbps大关，当AI芯片巨头不再满足于DRAM厂商的"黑盒交付"——英伟达正式启动3nm HBM Base Die自研计划，预计2027年下半年试产。此举将打破SK海力士等存储巨头的技术壁垒，为NVLink Fusion开放生态注入底层芯片级掌控力。
一、技术破壁：3nm Base Die重塑HBM4游戏规则
制程飞跃：锁定台积电3nm工艺，攻克10Gbps+高速传输的物理瓶颈（当前HBM3e上限8Gbps）
架构革新：Base Die集成逻辑控制单元，优化GPU-HBM数据通路延迟（较传统方案降低30%）
生态协同：兼容创意电子12Gbps HBM4 IP方案，支持UCIe-A/3D异构互联标准
行业意义：首度将HBM控制权从DRAM厂延伸至AI芯片架构层
二、产业博弈：自研Base Die的双刃剑效应
冲击现有格局：
SK海力士市占率承压（当前HBM市占超50%）
台积电成关键赢家（通吃3nm代工+CoWoS封装订单）
合作机遇：
联发科、世芯等合作伙伴获模块化设计红利
CSP大厂仍持谨慎态度（避免二次绑定英伟达生态）
技术悖论：DRAM巨头主导HBM堆叠，但Logic Die需晶圆代工——英伟达自研恰卡位核心环节
三、HBM4世代：三高趋势下的产业洗牌
高速：12Gbps传输速率成基准，UCIe接口成异构互联标配
高堆叠：12-Hi立体结构量产在即，散热挑战催生硅中介层革新
高整合：
逻辑芯片与存储单元协同优化（英伟达Base Die+SK海力士堆叠DRAM）
3D封装成本占比升至40%（倒逼台积电CoWoS-L产能扩张）
竞争拐点：2027年HBM4产能争夺战提前三年打响
结语：HBM控制权争夺进入深水区
英伟达自研Base Die绝非简单替代DRAM厂，而是以3nm逻辑芯片为支点，撬动HBM4生态主导权。当SK海力士加速HBM4量产，当台积电3nm产能成战略资源——2027年的试产线，实为AI芯片巨头重构存储供应链的起跑枪。未来HBM战场，将是架构整合力与制程掌控力的双重对决。