全球DRAM市场正经历一场前所未有的供应危机。根据最新市场数据，2025年7月份DRAM代表性产品DDR4 8Gb批发价达到每个4.28美元，较6月上涨4%，容量较小的4Gb产品价格也上涨至每个3.26美元，同样涨幅4%。这已经是DRAM价格连续第四个月上涨，创下近两年来的持续上涨纪录。
市场分析表明，此轮涨价潮主要源于三大DRAM制造商（三星电子、SK海力士和美光）将产能从DDR4转向DDR5和AI用HBM（高带宽存储器），导致DDR4供应急剧减少。与此同时，中国厂商长鑫存储也计划逐步将生产转向DDR5，进一步加剧了DDR4的供应紧张。
01 市场现状：连续四月上涨，DDR4领跑市场
DRAM市场价格持续攀升已形成稳定趋势。2025年7月，DDR4 8Gb批发价达到每个4.28美元，DDR4 4Gb产品价格则为每个3.26美元，均较6月上涨4%。这标志着DRAM价格已经连续第四个月保持上涨态势。
价格上涨不仅限于DDR4产品。由于供应有限，加上部分品牌厂商主动提高价格，DDR4与DDR5模组价格呈现同步小幅上涨态势，反映出市场对传统规格的延续需求与新规格受限供应的矛盾局势。
02 供应分析：产能转移导致短缺加剧
此轮DRAM供应紧张的根本原因在于主要制造商的大规模产能转移。三星电子、SK海力士和美光正在将生产重点从DDR4转向DDR5及AI用HBM（高带宽存储器）。
HBM作为人工智能应用的关键组件，需求呈现井喷态势。2025年HBM出货量预计同比增长65%，同步拉动DDR5相关产品需求。这种结构性转变导致DDR4产能被大幅压缩。
据分析，到2026年第四季度，全球DDR4产能将仅剩2025年第一季度的25-33%。四大厂商（三星电子、SK海力士、美光与长鑫存储）相继关闭DDR4产线，仅保留少量产能供应车用、工控与网通等长约市场需求。
03 厂商动态：台系厂商逆势扩张
面对国际大厂的产能调整，台系厂商采取了逆势操作策略。指出，南亚科将DDR4产能提升50%，以填补国际大厂退出后的缺口；华邦电也投入新增产能，生产8Gb DDR4产品。
这种策略转变使得台系厂商市场地位显著提升。据预测，2026年下半年，DDR4前二大供应商将由"三星加南亚科"取代原本的"三星加SK海力士"，显示台厂角色日益吃重。
市场传闻称，南亚科第三季合约价季对季大涨70%，第四季预计再涨50%；华邦电第三季涨幅达60%，第四季再涨二成。这意味着华邦电第四季合约价相较第二季低谷，涨幅高达80-90%。
04 需求端：传统应用仍依赖DDR4
尽管高端PC与智能手机已快速升级至DDR5与LPDDR5/5X，但传统应用领域对DDR4仍有强劲需求。
低于200美元的平价手机因成本限制仍以LPDDR4/4X为主要配置。此外，机顶盒（STB）、电视、WiFi路由器等消费性电子产品，以及工控、车用等长周期市场，依旧对DDR4有高度依赖。
即使在保守情境假设下，2026年DDR4/DDR3的需求仍将维持一定水准，形成"供给快速萎缩、需求缓步下降"的缺口。这种供需失衡成为推高价格的关键因素。
05 价格趋势：罕见倒挂现象持续
市场出现了罕见的价格倒挂现象。到2025年6月，DDR4 8Gb的批发价已攀升至约4.12美元，4Gb版本则约3.14美元，均比5月价格（分别为2.06美元和1.57美元）翻了一倍。
6月下旬，DDR4现货价格首次超过同容量DDR5内存价格一倍以上。根据专业内存报价平台6月23日的数据，DDR4 16Gb（1Gx16）3200规格的现货价已上涨至12美元，而同容量DDR5 16G（2Gx8）4800/5600版本当日报价仅为6.014美元。
这种反常现象主要是因为DDR5产能较为集中，且处于市场扩张阶段，价格波动相对温和，而DDR4则面临供应急剧减少但需求依然坚挺的局面。
06 市场反应：订单远超产能，供应紧张持续
供需失衡已经导致市场出现极端紧张的状况。引用电子产品商社负责人的话指出："部分DRAM厂的订单达工厂产能的8倍。且似乎有DRAM厂持续无法回复有关客户询问何时能供应的问题。"
这种供应紧张不仅影响现货市场，也反映在合约价格上。预计2025年第三季度Consumer DDR4 DRAM合约价季增高达85%-90%。
的分析显示，全球记忆体供需结构已彻底改观，传统景气循环模式正在被改写。AI浪潮带動运算与储存需求持续飙升，特别是DDR4产品，随着减产与停产进程推进，供不应求格局几乎确立。
07 未来展望：涨势或将持续至2026年
多数分析认为，DRAM价格上涨趋势可能持续到2026年。指出，由于全球供需缺口确立，DDR3/DDR4报价有望持续走扬，价格弹升趋势将进一步推升台厂营运动能。
市场预计2025年第四季度DRAM价格仍可望季增20%-50%。这意味着涨价风潮可能至少持续到年底。
不过，也警告称，当前涨价缺乏可持续需求支撑。TrendForce预测，2026年第一季度存储芯片价格将进入下跌周期，其中NAND因消费端需求未达预期，价格环比跌幅可能达10%-15%。
全球DRAM市场正经历一场深刻的结构性变革。在AI技术革命推动HBM和DDR5需求爆发式增长的同时，传统DDR4产品却因产能急剧减少而出现供应危机，导致价格连续四个月上涨，甚至出现罕见的新旧产品价格倒挂现象。
台系厂商南亚科和华邦电通过逆势扩大DDR4产能，成功抓住了市场机遇，预计将显著提升其市场份额。然而，市场也存在隐忧，当前涨价行情很大程度上由供给端调控而非真实需求全面拉动，2026年可能面临价格回调压力。
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