英飞凌科技股份公司凭借其硅基功率 MOSFET 技术 CoolMOS™，正在推动服务器电源管理领域的创新，助力打造能够满足数据中心严苛要求的高性能电源解决方案。英飞凌的600V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET 产品系列，助力长城电源技术有限公司在更高功率等级的电源中实现更高的功率密度与更卓越的性价比。
MOSFET 产品聚焦高性能、高可靠性和易用性，可实现出色的能效表现和高功率密度。600V CoolMOS™ 8 超结（SJ）MOSFET 专为实现出色的效率、可靠性并节约成本而设计。能够在600V CoolMOS™ 7与CoolMOS™ 8之间无缝切换以实现供应灵活性，以及在 LLC 阶段的易用性，是长城电源选择该技术的主要原因之一。
英飞凌最新推出的600V CoolMOS™ 8在全球高压超结 MOSFET 技术，为全球范围内的技术水平及性价比树立了标杆。该技术提升了整体系统性能，并进一步助力推动在充电器、适配器、光伏及储能系统、电动汽车充电设备，以及不间断电源（UPS）等领域的低碳化进程。与 CFD7系列相比，CoolMOS™ 8 超结（SJ）MOSFET 的栅极电荷降低了18%；与 P7系列相比，栅极电荷降低了33%。栅极电荷减少意味着使 MOSFET 从关断状态（非导通）切换至导通状态所需提供的电荷量更少，从而实现更高能效的系统性能。此外，该 MOSFET 拥有市面上更快的关断时间，且热性能较上一代产品提升了14%至42%。600V CoolMOS™ 8 超结（SJ）MOSFET 内置快速体二极管，提供 SMD-QDPAK、TOLL 及 ThinTOLL-8x8等封装形式，适用于广泛的消费类及工业类应用场景。
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多电子元器件行业信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行删除。