铠侠宣布已开始试用新的通用闪存存储(1)（UFS）4.1版嵌入式存储器，采用4位每单元、四级单元（QLC）技术。这些新设备专为读取密集型应用和大容量存储需求设计，搭载了可喜亚第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术。
QLC UFS 比传统 TLC UFS 提供更高的位密度，适合需要更高存储容量的移动应用。控制器技术和纠错技术的进步使QLC技术能够实现这一目标，同时保持竞争力。
基于这些进步，新的Kioxia器件实现了显著的性能提升(2).与上一代（UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS）相比，Kioxia的QLC UFS使顺序写入速度提升了25%，随机读取速度提升了90%，随机写入速度提升了95%(3).写入放大因子（WAF）也提升了最高3.5×（禁用写增强器）。
Kioxia QLC UFS非常适合智能手机和平板，还支持需要更高容量和性能的新兴产品类别，包括PC、网络、增强现实/虚拟现实、物联网和AI设备。
新UFS 4.1设备提供512GB和1TB容量，结合了Kioxia BiCS FLASH™ 3D闪存和集成控制器，采用JEDEC标准封装。Kioxia第八代BiCS FLASH™ 3D闪存引入了CMOS直接结合阵列（CBA）技术——这是闪存设计的重大架构创新。
主要特点包括：
符合UFS 4.1规范。UFS 4.1 向后兼容 UFS 4.0 和 UFS 3.1。
第八代柯西亚BiCS闪存™三维闪存
WriteBooster 支持显著更快的写入速度
封装尺寸较之前的QLC UFS缩小：11×13毫米至9×13毫米
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