全球最大的存储芯片制造商三星电子计划在2026年前推出400层V-NAND闪存芯片，以在人工智能（AI）热潮中引领快速增长的存储设备市场。
根据三星的存储芯片发展规划，其负责半导体业务的设备解决方案部门（DS）目标是最早在2026年生产出至少有400层单元垂直堆叠的V-NAND，以最大限度地提高容量和性能。
三星目前批量生产286层大容量V9 NAND闪存芯片。在现有的NAND芯片中，存储单元堆叠在外围设备的顶部，其功能相当于芯片的大脑。然而，堆叠300层或更高存储单元往往会损坏外围设备。
在V10 NAND中，三星计划采用创新的键合技术，在不同的晶圆上分别创建单元和外围设备，然后进行键合。
三星表示，这种方法将实现“超高”NAND堆叠，具有大存储容量和出色的散热性能，是AI数据中心使用的超大容量固态硬盘（SSD）的理想选择。
据三星称，这种芯片被称为键合垂直NAND闪存或BV NAND，是“AI的理想NAND”。
2013年，三星在业内率先推出垂直堆叠存储单元，从而开创了V NAND芯片的先河，实现了容量的最大化。
据三星称，其BV NAND可将单位面积的比特密度提高1.6倍。
三星的目标是在2027年推出V11 NAND，将数据输入和输出速度提高50%，从而进一步发展堆叠技术。
该公司还计划推出SSD订购服务，目标客户是希望管理AI半导体投资高成本的科技公司。
到2030年，NAND芯片将超过1000层
三星誓要巩固其在大容量、高性能NAND闪存市场的领导地位。
基于NAND的存储设备竞争非常激烈，因为AI芯片侧重于推理，而推理需要大容量的存储设备来存储和处理图像及视频。
NAND闪存是一种非易失性存储芯片，即使在电源关闭时也能存储数据。它目前用于智能手机、U盘和服务器等设备。
根据市场追踪机构TrendForce的数据，截至第二季度，三星已成为NAND领域的主导企业，控制着全球36.9%的市场份额。
三星高管表示，公司的目标是到2030年开发出超过1000层的NAND芯片，以提高密度和存储能力。
DRAM发展
为了加强其在DRAM领域的领导地位，三星计划最早于2024年底推出第六代10nm DRAM（或称1c DRAM）和第七代10nm DRAM（或称1d DRAM），用于HBM4等AI芯片。
根据三星的内存规划，该公司将在2027年推出10nm以下的DRAM，即0a DRAM。
0a DRAM的主要特点是采用垂直沟道晶体管（VCT）三维结构，类似于NAND闪存中使用的技术，以提高性能和稳定性。
三星表示，通过垂直堆叠单元，VCT DRAM可以减少单元之间的干扰，提高容量。
该公司还计划加快开发HBM以外的AI专用存储产品，如低功耗内存处理（LP-PIM）。
三星推广NAND时，三星公司副董事长、DS部门主管Jun Young-hyun表示要对公司进行大刀阔斧的改革。
尽管三星在整个DRAM市场上处于领先地位，但在HBM市场上却在奋力追赶竞争对手SK海力士，后者是全球第二大存储制造商，也是英伟达高端HBM芯片的主要供应商。
据市场研究公司Gartner预计，到2026年，全球存储市场将从2024年的920亿美元增长到2270亿美元。
三星预计，在2024年至2029年期间，服务器DRAM和企业级SSD（eSSD）市场的年增长率将分别达到27%和35%。
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