日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款内置旋钮开关---P16F和PA16F，IP67密封的新型面板电位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F电位器介电强度高达5000 VAC，+40 C下额定功率为1 W，可用来简化工业和音频应用设计并优化成本。器件内置旋钮开关，IP67密封，介电强度高达5000 VAC，额定功率1 W美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年3月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款内置旋钮开关---P16F和PA16F，IP67密封的新型面板电位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F电位器介电强度高达5000 VAC，+40 C下额定功率为1 W，可用来简化工业和音频应用设计并优化成本。日前发布的器件在一个组件中集成了旋钮和面板电位器，无需采购组装单独的旋钮。此外，只有安装硬件和端子位于面板背面，微型电位器面板背面所需间隙小于15 mm。PA16F采用导电塑料电阻芯，适用于音频应用，P16F金属陶瓷旋钮电位器适用于工业电机驱动、焊接设备、暖通空调和照明系统以及控制面板。器件全密封符合IP67标准，能够在极端环境条件下可靠工作。电位器可定制旋钮刻度、阻值、导线和接头，以及棘爪和开关选项。器件还可根据要求提供金属旋钮。P16F和PA16F符合CECC 41000或IEC 60393-1测试标准。器件规格表：免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/21 17:07:55
美国存储芯片大厂美光上季营收有望激增45%，成为存储芯片需求回升的迹象，且人工智能（AI）热潮也将带来助益。市场除了紧盯DRAM芯片的价格展望，也将关注该公司供应给英伟达的AI存储芯片出货量，以掌握该公司受惠于AI热潮的程度。美光预定20日美股盘后发布止于2月底的年度第2季（上季）财报，营收预料将年比成长45%至53.4亿美元，净损将大幅缩小86%至约2.9亿美元，主要是DRAM营收成长带动。Wedbush预测，美光上季DRAM营收年增43%至39亿美元。花旗指出，美光的DRAM内存芯片订单已增加，AI热潮带来的数据中心需求也有所帮助。近来许多券商都已更看好美光的前景，Wedbush、Stifel Nicolaus、TD Cowen等业者都上调美光的股价目标价。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/21 17:06:20
3月20日消息，据CNBC报道，英伟达（Nvidia）CEO黄仁勋在接受其采访时表示，英伟达计划以 3 万至 4 万美元的价格出售用于 AI 和 HPC 工作负载的全新Blackwell GPU B200。不过，这只是一个大概的价格，因为英伟达更倾向于销售面向数据中心的整体解决方案，而不仅仅是芯片或加速卡本身。与此同时，Raymond James 分析师认为英伟达 B200 芯片的硬件成本约为 6,000 美元。在昨天的英伟达GTC 2024大会上，英伟达正式发布了全新一代AI加速芯片B200，基于台积电的N4P制程工艺，晶体管数量达到了2080亿个，是H100的800亿个晶体管两倍多，并且配备了 192 GB HBM3E 内存，远高于仅有 80GB HBM内存的H100芯片。其AI运算性能在FP8及新的FP6上都可达20 petaflops，是前一代Hopper构架的H100运算性能8 petaflops的2.5倍。在新的FP4格式上更可达到40 petaflops，是前一代Hopper构架GPU运算性能8 petaflops的5倍。成为了目前全球最快的AI芯片。不过，B200芯片的性能提升主要得益于晶体管数量（即芯片面积）的提升，其架构本身所带的性能提升相对有限，再加上价格高昂的192 GB HBM3E 内存，使得其硬件成本也将大幅提升。Raymond James 分析师估计，英伟达 H100的硬件成本约为 3,100 美元，而 B200的硬件成本则大幅提高到了 6,000 美元。如果英伟达计划以 3 万至 4 万美元的价格出售B200，那么则意味着该芯片的毛利率将会高达80%-85%。要知道在2023年，市场对于英伟达H100芯片的需求暴涨之时，由于先进封装产能紧缺导致H100供应严重不足，英伟达的合作伙伴就曾以 30,000 至 40,000 美元的价格出售 H10...
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2024/3/21 17:03:45
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36 A，比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉...
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2024/3/18 14:49:59
英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。CoolSiC™ MOSFET 2000 V产品系列适用于最高1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC™ MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。除了2000 V CoolSiC™ MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将于 2024年第三季度推出采用 TO-247PLUS 4 引脚封装的 2000 V 二极管产品组合，随后将于 2024年第四季度推出采用 TO-247-2 封装的 2000 V CoolSiC™二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。免责声明：本文为转载文章，转载此文目...
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2024/3/18 14:36:07
华邦电敲定DDR3二季度合约价：涨价10%，急单及加单另计。中国台湾工商时报3月15日报道，存储芯片厂商华邦电第二季DDR3新合约价格已最终敲定，据调查指出，华邦电成功涨价10%，急单及加单另计，整体平均涨幅不会到20%。主要调涨原因是AI、网通需求窜升，DDR3供给吃紧。据调查，华邦电在第一季实际上并未调涨DRAM或NOR报价，以换取出货量成长。不过，第二季主力DDR3产品，则已确定调涨至双位数以上涨幅。业内人士认为，华邦电喊涨成功后，客户会有涨价预期心理，愿意提早下单，或将带动此类产品短期需求上升。随着高阶DRAM库存调整完毕及控制产出，价格已出现反弹，利基型DRAM市场价格也逐步回升，市场调研机构多预期，存储器产业在2024年下半年将达到供需平衡。华邦电对此表示，不评论价格问题。（来源：今日芯闻整理）免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/18 14:32:10
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了新一代的STM32MP2系列工业级微处理器 (MPUs)，以推动智能工厂、智能医疗、智能楼宇和智能基础设施等领域未来的发展。● 新STM32MP2 MPUs搭载64位处理器和边缘 AI加速器 ● 与生俱来的速度、安全性和可靠性● 依托STM32生态系统，加快应用开发，安全配置网络2024年3月12日，中国 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了新一代的STM32MP2系列工业级微处理器 (MPUs)，以推动智能工厂、智能医疗、智能楼宇和智能基础设施等领域未来的发展。数字化转型席卷全球，它推动企业提高生产效率、改善医疗服务质量，加强楼宇、公用设施和交通网络的安全和能源管理。数字化的核心赋能技术包括云计算、数据分析、人工智能 (AI)和物联网 (IoT)。意法半导体的新一代STM32MP2微处理器（MPUs）将为构建这个不断发展的数字世界的新一代设备提供动力。这些设备包括工业控制器和机器视觉系统、扫描仪、医疗可穿戴设备、数据聚合器、网关、智能家电以及工业和家庭机器人等。新的STM32MP2微处理器采用意法半导体专有的安全硬件、防篡改控制、安全固件和安全网络配置技术，并结合Arm®的TrustZone®架构，以确保敏感数据和密钥的机密性，使其具备了先进的安全性。STM32MP2 MPUs 正在进行SESIP Level 3认证，这是物联网设备安全和合规性的领先安全测试方法，旨在满足全球主要地区即将到来的更严格的网络安全保护要求, 其中包括将于 2025 年生效的美国 CyberTrust 标志认证和欧盟无线...
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2024/3/15 11:11:29
随着国内机器人以及电池充电行业的发展，市场对非隔离大电流产品需求愈发旺盛。为满足客户多样化的需求，金升阳在升降压10A的基础上，推出了40A电流的KUB48xxHB-40A系列。有效解决市场上客户选择性少，交期长，成本太高的痛点问题。性价比高，售后服务优。二．产品优势• 物料100%国产化，产品交期有保障• 高功率，高效率，宽输入输出电压范围输出功率最高可达1920W，效率高达96%。该产品具有14.5-60V宽电压输入范围，15-55V的可调输出电压范围，输出电流0-40A可调。可兼容多种输入电压，满足不同应用的多样化需求，降低客户管理成本，提高效率。• 多模块并联升功率最高可四模块并联至160A。• 恒流模式满足充电应用。• 极低空载功耗空载输入电流低至10mA。• 引脚功能全面Ishare引脚可实时监控输出电流，保障产品在监控下正常运行。±sense引脚可补偿输出线损，适用于长线缆设备，例如管道机器人。Trim引脚调节输出电压。Ctrl引脚进行远程控制。• 保护功能全面，可靠性高。输入欠压保护，输入过压保护，输出过压、过流、短路、过温保护。允许工作温度范围：-40℃ to +100℃（壳温）。三．产品特性• 输入电压范围：14.5-60V• 输出电压范围：15 - 55V• 支持宽范围的可调稳压输出• 效率高达96%• 并联均流功能• 恒流功能• 输入欠压保护，输入过压保护，输出过压、过流、短路、过温保护• 工作温度范围:-40℃ to +100℃（壳温）• 国产化率：100%• 体积：1/2砖四．产品应用广泛应用于机器人，电池管理，通信，DC-DC分布式供电场合。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/15 11:08:13
英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。这为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等功率半导体应用领域的客户带来了巨大优势。与前几代产品相比，采用CoolSiC™ G2 的电动汽车直流快速充电站最高可减少10%的功率损耗，并且在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电功率。基于CoolSiC™ G2器件的牵引逆变器可进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用 CoolSiC™ G2的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时实现更小的尺寸，从而降低每瓦成本。英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 博士表示：“目前的大趋势是采用高效的新方式来产生、传输和消耗能量。英飞凌凭借 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的性能提升到了新的水平。新一代碳化硅技术使厂商能够更快地设计出成本更低、结构更紧凑、性能更可靠，且效率更高的系统，在实现节能的同时减少现场的每瓦二氧化碳排放。这充分体现了英飞凌坚持不懈持续推动工业、消费、汽车领域的低碳化和数字化的创新。”英飞凌开创性的CoolSiC™ MOSFET沟槽栅技术推动了高性能CoolSiC™ G2解决方案的发展，实现了更加优化的设计选择，与目前的SiC MOSFET技术相比，具有更高的效率和可靠性。结合屡获殊荣的.XT封装技术，英飞凌以更高的导热性、更优的...
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2024/3/15 11:04:54
2024年3月14日，中国-- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 发布了一款新的集MPU和MCU两者之长的高性能产品。微处理器(MPU)系统通常更加复杂，处理性能、系统扩展性和数据安全性更高，而微控制器(MCU)系统的优势是简单和集成度高。取两者之长，意法半导体新产品越级进化。在采用这些新的STM32H7 MCU后，设备厂商可以更快、更经济地开发智能家电、智能楼宇控制器、工业自动化和个人医疗设备，满足终端市场用户日益增长的需求。具体用例包括增加更丰富多彩的图形用户界面，同时执行多个不同的功能。这些设计往往需要用微处理器(MPU)才能实现。意法半导体通用MCU部门总经理Patrick Aidoune表示：“很荣幸我们的STM32是世界上很受欢迎的Arm Cortex-M微控制器，而最新的STM32H7系列能够让设计师依托这个强大的生态系统处理更多的用例，它的MPU级特性具有卓越的核心性能，兼备MCU的外设集成度和便利性，而且价格实惠。”STM32H7R/S MCU的潜在客户Riverdi公司的首席执行官Kamil Kozlowski表示： “这两款MCU集成专用图形处理器和快速存储接口，与我们突破嵌入式显示器极限的使命完美契合。Riverdi选用这款芯片设计下一代显示模组。新MCU有望提高未来屏显的视觉性能和响应速度，为用户带来更具吸引力的用户体验，这代表我们在向客户提供尖端屏显解决方案的研发过程中迈出重要一步。”STM32H7R和STM32H7S两款新微控制器具有强大的安全功能，能够满足物联网(IoT)应用对网络安全的要求。两款产品的共同安全功能包括防止物理攻击、存储器保护、在运行时保护应用程序的代码隔离保护功能，以及平台验证。此外，STM32H7S产品还增加了更多的强化的...
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2024/3/15 10:58:32
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出适于IrDA®应用的升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外（IR）收发器模块，链路距离延长20 %，抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2 kbit/s 数据速率（SIR），链路距离为1米，适用于能量表和监控器、工业自动化控制、手机和医疗设备无线通信和数据传输。为提高便携式设备电池使用寿命，模块降低了功耗，闲置供电电流 器件符合IrDA®标准，采用内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，可以即插即用的方式替换现有解决方案Vishay Semiconductors TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件在单体封装中包括PIN光电二极管、红外发射器（IRED）和低功率控制IC。升级版红外收发器采用Vishay内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，旨在确保IRDC产品向客户长期供货。作为现有器件即插即用的替代品，这些模块不需要重新设计PCB，有助于节省成本。符合最新IrDA物理层标准的TFBS4xxx和TFDU4xxx系列器件向后兼容，具有顶视和侧视表面贴装封装。增强型解决方案可以即插即用的方式替换现有系列器件。器件符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，具有多种封装尺寸，工作电压2.4 V至5.5 V，工作温度-25 °C至+85 °C。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/14 17:09:37
开关电源的防倒灌能力是指外部电压对开关电源的影响力，避免产品的输出端存在倒灌电压时损坏开关电源。对于在不同输出电压间切换的系统、后端负载为电机类的感性负载的系统中，都有可能产生反灌电压，功率越大的感性负载情况也会越明显，实际产生倒灌电压的大小、持续时间的长短，由系统应用的多样性及复杂性决定。一、产品介绍开关电源的防倒灌能力是指外部电压对开关电源的影响力，避免产品的输出端存在倒灌电压时损坏开关电源。对于在不同输出电压间切换的系统、后端负载为电机类的感性负载的系统中，都有可能产生反灌电压，功率越大的感性负载情况也会越明显，实际产生倒灌电压的大小、持续时间的长短，由系统应用的多样性及复杂性决定。金升阳推出可搭配我司750W以下电源产品使用的防止后端电压倒灌的模块产品FS-A(B)xxW系列，防倒灌电压分别为24V、48V和75V。二、产品优势1、支持N+1冗余产品可实现开关电源并联冗余设计，N+1并联冗余设计提高系统的可靠性2、支持2倍防倒灌电压产品具有开关电源输出端防倒灌电压功能，输出电压倒灌时，可保护电源不损坏，提高开关电源可靠性3、热插拔功能支持热插拔功能4、安装方式可选可兼容导轨安装，方便客户端使用安装三、产品特点• 输入电压范围：12V：10-15VDC24V：20-28VDC48V：42-54VDC• 工作温度范围：-40℃ to +85℃• 效率高达99.5%• 兼容各种安装方式• 支持输出2倍电压倒灌• 支持N+1并联冗余• 符合EN62368认证标准四、产品应用1、应用场合防倒灌模块产品FS-A(B)xxW搭配金升阳750W以下电源产品使用。防倒灌模块产品主要适用的情况：①系统在不同的输出电压之间切换时会存在高压电压倒灌到低压电源中，此问题在直流充电桩设备中比较常见；②开关电源的负载是感性负载，负载工作时会产生感应电动势，感应电动势生成的电压倒灌到开关电源的输出...
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2024/3/13 10:47:27
意法半导体新推出的八路高边开关兼备智能功能和设计灵活性，每条通道导通电阻RDS(on)(典型值)仅为110mΩ，保护系统能效，体积紧凑，节省 PCB 空间。目标应用包括可编程逻辑控制器、工业 PC外设和数控机床2024 年 3 月 11日，中国——意法半导体新推出的八路高边开关兼备智能功能和设计灵活性，每条通道导通电阻RDS(on)(典型值)仅为110mΩ，保护系统能效，体积紧凑，节省 PCB 空间。0.7A IPS8200HQ和 1.0A IPS8200HQ-1 可以控制容性负载、阻性负载或感性负载，一边接地，工作电压10.5V-36V，兼容3.3V/5V逻辑输入，用于可编程逻辑控制器 (PLC)、分布式 I/O、工业 PC 外设和计算机数控 (CNC)机床。此外，每个开关可以通过串行接口(SPI)或并行接口连接主控制器，带来更高的系统设计灵活性。两款开关都集成了设备保护功能，并通过专用诊断引脚指示电压状态，辅助智能系统管理运行。安全保护功能包括每条通道输出过载(OVL)保护、结点过热(OVT)保护、短路保护、欠压锁定 (UVLO)，以及接地断开自动关闭功能。诊断输出可以指示电源电压正常、外壳过热、SPI 故障和结过热现象。此外，这两款器件都集成了 LED 驱动器，以指示每个输出通道的工作状态。100mA嵌入式DC/DC 稳压器为 LED 驱动器、SPI 逻辑和输入电路供电，也可用于光耦合器或数字隔离器等外部组件的电源。两款开关符合 IEC 61000-4技术标准中关于ESD静电放电、突发和浪涌抗扰度的规定，适用于必须符合IEC 61131-2 标准对工业控制的功能性和 EMC 要求的设备。IPS8200HQ 和IPS8200HQ-1现已投产，采用 8mm x 6mm DFN48 封装。
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2024/3/13 10:44:24
英飞凌日前推出了新的固态继电器 (iSSI) 系列，该系列利用无芯变压器技术来提高器件性能和效率。英飞凌推出新型固态继电器英飞凌设计了新的固态继电器系列，从而促进更快、更可靠的电路切换。 据该公司称，这些器件提供了一套超越传统光耦固态继电器 (SSR) 的保护功能。例如，新推出的固态继电器支持比前代产品高 20 倍的能量传输。 此外，这些继电器的 RDS(on) 比现有光耦解决方案低 50 倍，使其能够部署在需要更高电压和功率的应用中。英飞凌报告称，iSSI 通过消除额外部件，提供优于电磁继电器的性能和可靠性，从而使启动功率降低 40%。英飞凌表示，新的 iSSI 系列与英飞凌开关产品组合中的其他产品兼容，包括 CoolMOS S7、OptiMOS 和线性 FET 产品组合。 例如，当与英飞凌的 CoolMOS S7 开关配合使用时，继电器驱动器可简化开关设计，其电阻显着低于光耦解决方案。 这意味着系统具有更长的使用寿命和更低的拥有成本。 在驱动英飞凌 MOS 控制功率晶体管栅极的应用中，与使用可控硅整流器 (SCR) 和 Triac 开关的固态继电器相比，功耗最多可降低 70%。英飞凌的固态继电器支持定制固态继电器配置，可控制超过 1,000 V 和 100 A 的负载。这种功能与设备的无芯变压器技术一起，使继电器特别适合用于电池管理系统、储能解决方案 、可再生能源系统以及工业和楼宇自动化应用。固态继电器的关键固态继电器可防止各种系统中出现不需要的电流反馈。 此功能在从信号处理到电源设计的各种应用中至关重要，在这些应用中，保持电信号的完整性和隔离至关重要。固态继电器的核心是通过半导体材料实现电隔离的原理。 与可能使用开关元件或光电二极管作为实现隔离手段的机械继电器或光耦继电器不同，固态继电器显着提高了可靠性并减少了响应时间。 例如，通过在半导体衬底内采用电容或磁耦合等方法...
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2024/3/13 10:40:55
在竞争激烈的全球半导体市场，制造商一直在努力缩短产品上市时间。同时，他们对流畅、高分辨率图形显示器的需求也在日益增长。为了满足这些市场需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布与科尤特（Qt Group）展开战略合作。科尤特是一家全球软件公司，为整个软件开发生命周期提供跨平台解决方案。此次合作将科尤特的轻量级、高性能图形框架加入到英飞凌拥有图形功能的TRAVEO™ T2G cluster微控制器系列，标志着图形用户界面（GUI）开发模式的转变。如今的微控制器具有丰富的图形功能，能够实现紧凑设计、高成本效益和更低的功耗。凭借即时启动、占用空间小和实时处理效率高等特点，它们被广泛应用于汽车仪表盘、两轮车、建筑机械、工业等各个领域。英飞凌的TRAVEO T2G MCU专为满足这些应用需求而设计，尤其是TRAVEO T2G cluster系列。该系列器件可为图形用户界面提供出色的刷新率和达到全高清水平的分辨率。英飞凌通过将Qt图形解决方案直接集成到这些MCU中，进一步优化了这些器件并实现了智能渲染技术，其优点包括：内存利用效率较市场平均水平提高多达5倍。启动时间较市场平均水平加快多达2倍。产品从设计到生产的上市时间缩短多达50%。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/12 16:42:48
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.布，推出新系列浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C（R25）条件下阻值范围宽，具有高电压处理和高能量吸收能力，可提高汽车和工业应用有源充放电电路的性能。日前发布的器件R25阻值为60 W至1 kW，500 W 最大额定直流电压高达1000 VDC，1 kW 达1200 VDC，最大能量吸收能力达240 J，比竞品器件高四倍。多个热敏电阻并联，能量吸收能力高于1000 J。PTCEL系列电阻工作温度达+105 °C、所有阻值的热容为2.3 J/K。新型热敏电阻符合AEC-Q200标准，具有自我保护功能，无过热危险，主要用于各种过载保护，包括AC/DC和DC/DC转换器、抛负载、DC-Link、电池管理、紧急放电电路、车载充电器、家庭储能系统、电机驱动以及焊接设备。元件可承受至少10万次浪涌循环，以及在25 kW功率条件下（不触发跳变）具备高度迅速的恢复能力。PTCEL系列有两种尺寸可供选择：小电阻PTCEL13R和大电阻PTCEL17，分别用于低能量和高能量应用。所有器件采用卷盘式包装，引线节距为5 mm。此外，PTCEL17R还有7.5 mm和10 mm引线节距，适用于更高电压，还可采用自动贴片加工，降低加工成本。钛酸钡热敏电阻由瓷片组成，两端焊接镀锡CCS引线，涂有符合UL 94 V-0标准的耐高温硅树脂涂料。器件符合RoHS标准，经过C-UL-US认证，文件编号E148885，适于 AC和DC使用，提高并控制安全水平。PTCEL13R和PTCEL17R具有SPICE和3D两种型号。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，...
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2024/3/11 15:54:25
电子产品智能化、小型化发展日新月异，行业对电源模块等元器件的高集成度、小型化、超薄化要求也不断提高。对此，金升阳依托强大的产研实力，不断进行技术突破与创新，重磅推出兼备超小型和高效能的芯片级电源模块KAP05_T-1A，完美适配便携设备、手持设备等对体积要求非常高的行业应用需求。一、产品优势• 微型体积，尊享体验金升阳非隔离PSiP产品——KAP05_T-1A系列，采用DFN封装工艺技术，体积极小，仅2.5*2*1.2mm（小于1颗1206电容）；同时用极少器件即可搭建外围电路（仅需滤波电容）；有效减小占板面积，提高空间利用率，简化设计。• 高效能、高可靠性传统线性稳压器方案效率较低、发热严重，存在较多可靠性隐患。而金升阳KAP05_T-1A系列非隔离电源产品满载效率最高可达91%，在70℃条件下仍可带满载工作，有效保障后端使用；同时空载输入电流低至0.3mA，匹配低功耗待机应用需求。• 国产化率100%微型电源市场长期以海外品牌居多，金升阳本次重磅推出的KAP05_T-1A系列基于国产物料平台，满足国产化率100%，即元器件国产化、技术国产化、制造国产化，可最大程度上保障稳定可靠的交付周期及售后服务。二、产品应用超小体积的KAP05_T-1A模块可广泛应用于可穿戴设备、智能手机、掌上电脑、手持游戏机、便携式导航仪等，特别是需要高效率且对安装元器件的面积要求严格的小型便携式仪器。三、产品特点• 输入电压范围：2.5-5.5VDC• 输出电压固定：1.2、1.8、3.3VDC• 满载效率高达91%• 空载输入电流低至0.3mA• 宽工作温度范围：-40℃ to +85℃• 超小体积、超薄DFN封装(2.5*2*1.2mm)免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/11 15:51:50
意法半导体SRK1004同步整流控制器降低采用硅基或GaN晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和AC/DC适配器。有助于简化工业电源、便携式设备充电器和交流/直流适配器操作，节省电能。2024 年3 月7 日，中国——意法半导体SRK1004同步整流控制器降低采用硅基或GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和AC/DC适配器。SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平MOSFET、标准MOSFET 或GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。这款控制器能够让功率转换器缩减尺寸，同时提高额定输出功率。500kHz的最高开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用GaN 晶体管时，还能最大限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅(SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可以采用2mm x 2mm 的DFN-6L微型封装。SRK1004的电源电压是4V至36V，可以使用各种标准工业总线电源。宽压输入还可以灵活地调整降压比，以获得最佳的能效。此外，该控制器还内置快速短路检测功能，有助于开发稳健可靠的设备。在新推出的四款产品中，SRK1004A和SRK1004B的栅极驱动电压为5.5V，可与逻辑电平MOSFET 或GaN 晶体管配合使用。栅极驱动电压9V的SRK1004C和SRK1004D适用采用标准栅极驱动信号的MOSFET。SRK1004x 同步整流控制器全系产品现已量产。四款产品的评估板EVLSRK1004A、EVLSRK1004B、EVLSRK1004C和EVLSRK1004D现已上市，这些板子可以...
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2024/3/11 15:48:06