近期功率半导体和MCU芯片开启新一轮涨价潮，但市场需求回暖信号并不明确，价格上涨存在多方面因素。尽管看起来目前行业已经复苏，但一些从业者表示，价格上涨只是成本的反映。自2022年以来，从二极管到不同MOSFET等功率元件，以及各类应用MCU芯片，都经历了供需关系逆转和大幅度降价。与此同时，整体经济的低迷导致消费电子市场需求下降，因此企业在一年时间内集中精力调整库存。进入2024年，库存逐渐恢复至正常水平，此前激烈的降价竞争似乎已经结束。业界消息称，2023年末，中国台湾功率半导体制造商率先开始提价10%~20%，涨价原因是原材料和劳动力成本增加，导致运营成本上升。各公司正积极采取价格调整策略，以帮助实现收支平衡。此外，中国大陆公司也在提高中低端产品的价格。业界表示，短期内中低端产品线的提价对中国台湾企业影响不大；许多MCU厂商表示，库存预计将在一季度恢复正常。尽管消费电子需求仍未明显提升，但近期许多中国台湾MCU厂商已开始涨价。业界人士称，涨价的产品为通用产品，价格上涨的因素主要是市场价格触底，以及成本增加。关于2024年市场情况，MCU企业仍持谨慎态度，并将注意力投向海外市场，预计今年市场将好于2023年，但仍存在不确定性。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/11 15:45:02
半导体市场调研机构TECHCET近日发布报告，预计今年晶圆总面积出货量将增长5%，2025年将再增长7%。在2023-2028年预测期内，随着12英寸的增长继续超过其他直径，晶圆总出货量预计将以大于4%的复合年增长率增长，到2028年总出货量将接近160亿平方英寸。报告指出，2023年，半导体行业整体状况放缓，加上现有的高库存水平，导致硅晶圆出货量下降约13%。此次收缩是自2019年以来首次出现年度出货量下降。不过，由于长期协议 (LTA) 下的定价规定仍然存在，晶圆市场（不包括 SOI）2023年的收入下降其实并不那么明显。由于供应链仍在努力应对2023年以来库存水平上升的问题，预计今年晶圆出货量将逐渐增加。TECHCET预计下半年情况将有所改善，因为晶圆出货量复苏可能会落后半导体器件的复苏，时间差大约为一到两个季度。然而，随着晶圆库存水平的调整和产能上升，供应商的出货量将再次增加。此外，预计2024年内存的强劲增长也将有助于纠正晶圆库存状况。当前的行业状况已经减缓了全球晶圆产能的增长。然而，随着长期协议的到位和新协议的谈判，晶圆供应商预计将提高产能，以满足未来不断增长的客户需求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/11 15:38:45
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布推出一款面向高性能机器人应用的新产品——RZ/V2H，进一步扩展其广受欢迎的RZ产品家族微处理器（MPU）。RZ/V2H打造了产品家族中最高水平性能，可实现视觉AI与实时控制功能。RZ/V2H配备瑞萨新一代专有AI加速器DRP-AI3（动态可配置处理器-AI3），可带来10TOPS/W的能效，相比早期型号提高可达10倍之多。此外，DRP-AI3加速器采用的剪枝技术显著增强了AI计算效率，将AI推理性能提升至80TOPS。这种性能提升使工程师能够直接在边缘AI设备上处理视觉AI应用，而无需依赖云计算平台。最近，全新DRP-AI3加速技术的细节在美国旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC 2024）上公布。RZ/V2H集成了四个最大工作频率为1.8GHz的Arm® Cortex®-A55 CPU内核（用于Linux应用程序处理）、两个工作频率为800MHz的Cortex-R8内核（用于高性能实时处理），和一个Cortex-M33子内核。通过将这些内核集成至单个芯片中，该产品可有效管理视觉AI与实时控制任务，成为未来要求苛刻的机器人应用的理想之选。得益于RZ/V2H的较低功耗，因而无需使用冷却风扇和其它散热元件，让工程师可以设计出体积更小、成本更低、可靠性更高的系统。Daryl Khoo, Vice President of the Embedded Processing 1st Division at Renesas表示：“作为卓越的电机控制微处理器供应商，瑞萨已为迎接下一个挑战做好准备，以利用AI技术推动机器人市场的发展。RZ/V2H将促进具有视觉AI功能，且具备独立思考和实时动作控制能力的下一代自主机器人的研发。”OpenCV是用于计算机视觉处理的开源行业标准库。对此，瑞萨应用其专有的DRP技术开发了OpenCV加速...
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2024/3/6 15:31:27
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 宣布推出一款全能型、直接式飞行时间(dToF)3D LiDAR(光探测与测距)模块，具有优秀的2.3k分辨率，同时还宣布超小型的50万像素间接飞行时间(iToF)传感器获得首张订单。今天发布的VL53L9是一款新推出的直接ToF 3D激光雷达芯片，分辨率高达2300个检测区。这款LiDAR雷达集成的双扫描泛光照明在市场上独一无二，可以检测小物体和边缘，并捕获2D红外(IR)图像和3D深度图信息。这是一款直接可用的低功耗模块，具有片上dToF处理功能，无需额外的外部组件或校准过程。此外，这款芯片测距范围在5厘米到10米之间。VL53L9的功能特性可提升相机辅助对焦性能，支持微距到远摄拍照，让静态图像和每秒60帧视频拍摄具有激光自动对焦、散焦和电影图效功能。虚拟现实(VR)系统利用准确的深度图和2D图可以提高3D重构的准确度，提高沉浸式游戏的身临其境感和虚拟现实体验，例如，虚拟访问或3D化身。此外，近距和远距检测小物体边缘的能力，让这款传感器适用于虚拟现实或SLAM（同时定位绘图）等应用。意法半导体还公布了VD55H1 ToF传感器的消息，该产品已经开始量产，并与中国的移动机器人深度视觉系统专业开发公司蓝芯科技签订了首份供货合同。蓝芯科技的子公司迈尔微视(MRDVS)选用VD55H1提高3D摄像头的深度感知准确度。这款高性能、小尺寸摄像头内置意法半导体传感器，整合3D视觉能力和边缘人工智能，为移动机器人提供智能避障和高精度对接功能。除机器视觉外，VD55H1还非常适用于3D网络摄像头、PC机和VR头戴眼镜3D重建，以及智能家居和建筑中的人员计数和活动检测。这款传感器在一个微型芯片上集成了672 x 804个感知像素，可以通过测量传感器到50多万...
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2024/3/6 15:28:49
全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和认证，无需应对多个分立式元件。”以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，最大限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模块系列：Qorvo 功能强大的设计工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 软件）有助于产品选择和性能仿真。Qorvo SiC 模块系列已在美国加利福尼亚州长滩会议中心举行的国际电力电子应用展览会（APEC）上进行了首次亮相。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本...
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2024/3/5 15:49:29
三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。但到目前为止，3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。为此，三菱电机现已开发出一种高功率硅MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。产品特点行业先端的6.5W输出功率，有助于扩展无线电通信范围. 通过针对3.6V工作电压优化的结构降低导通电阻，提高了功率密度。. 内置两个MOSFET芯片的封装为3.6V无线电实现了无与伦比的6.5W输出功率。. 与现有型号*2相比，输出功率的增加将通信范围扩大了27%。行业先端的65%漏极效率，实现低功耗. 针对3.6V工作电压的优化，实现65%漏极效率。. 漏极效率的提高可降低无线电功耗，从而延长运行时间。双MOSFET封装，可节省空间并降低组装成本. 与两个单芯片产品相比，带有两个MOSFET芯片的新型封装可减少33%的空间。. 兼容表面贴装技术（SMT），可降低封装组装成本。环保意识本产品符合RoHS*3指令2011/65/EU和（EU）2015/863。*1：从电池电源到射频功率输出的转换效率*2：三菱电机现有的4W 射频高...
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2024/3/5 15:27:10
据台媒Digitimes报道，存储价格涨势近期明显走扬，农历春节假期导致市场观望气氛浓厚，DRAM及NAN Wafer现货市场价格涨势较为趋缓，涨幅呈现收敛。存储业界认为，3月市场价格仍将延续上涨行情，DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/5 15:09:57
2024年2月27日--智能电源和智能感知技术的企业安森美onsemi，宣布推出采用了新的场截止第 7 代 (FS7) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 技术的1200V SPM31 智能功率模块 (IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比， SPM31 IPM 能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。由于这些IPM集成了优化的IGBT，实现了更高效率，因此非常适合三相变频驱动应用，如热泵、商用暖通空调（HVAC）系统以及工业泵和风扇。据估计，全球温室气体排放量约有26%来自于运行中的住宅和商业建筑，其中供暖、制冷和建筑物供电等间接排放量约占18%。SPM31 IPM 通过调节三相电机供电的频率和电压来控制热泵和空调系统中变频压缩机和风扇的功率流，以实现出色效率。例如，安森美采用 FS7 技术的 25A SPM31 与上一代产品相比，功率损耗降低达 10%，功率密度提高达 9%。在电气化趋势和更高的能效要求下，这些模块助力制造商大幅改进供暖和制冷系统设计，同时提高能效。安森美的 SPM31 IPM 系列产品采用FS7技术，具备更佳的性能，实现高能效和更低能耗，进一步减少了全球的有害排放。这些高度集成的模块含栅极驱动 IC、多种模块内置保护功能及FS7 IGBT，实现优异的热性能，且支持15A至35A的宽广电流范围。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高，是节省贴装空间、提高性能预期、同时缩短开发时间的理想解决方案。此外，SPM31 IPM 还具有以下优势：栅极驱动和保护控件低损耗、具有抗短路能力的IGBT每一相有IGBT 半桥负端，以支持各种控制算法内置欠压保护 (UVP)内置自举二极管和电阻器内置高速高压集成电路单接地电源免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编...
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2024/3/1 16:20:55
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET 的安全控制进行了专门优化，并可在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的绝佳选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBC DC-DC，STGAP2SICS系列可简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。STGAP2SICSA 是一款符合汽车AEC-Q100 标准的单通道栅极驱动器，优化控制SiC MOSFET，其采用了节省空间的窄体 SO-8封装 (相关型号：STGAP2SICSAN)和宽体 SO-8W 封装(相关型号：STGAP2SICSA)，通过精确PWM控制提供强大的性能。STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。STGAP2SICSA 具有带米勒钳位功能的单输出配置。单输出增...
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2024/3/1 16:16:47
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT，与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局，与34 mm工业标准封装100%兼容，可采用机械插接方式更换。这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。模块符合RoHS标准，集电极至发射极电压为650 V，集电极连续电流为100 A至200 A，结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证，可直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/1 16:14:00
TDK 公司推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同，同时从可靠设计角度出发，还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 （1.0 × 0.5 × 0.7毫米 - 长 x 宽 x 高），电感范围从1.0 nH至56 nH，将于2024年2月开始量产。基于独特的设计专业知识，为汽车行业提供高安全性、高可靠性采用TDK开发的原创内部结构，高频性能等同或优于与传统产品采用积层方法，满足电感精细增量要求工作温度范围为-55 至 +125 ℃产品的实际外观与图片不同。TDK标志没有印在实际产品上。TDK 公司（TSE：6762）推出用于汽车高频电路的新型电感器MHQ1005075HA系列。该产品使用的材料和构造方法与传统产品相同，同时从可靠设计角度出发，还将TDK的专有设计知识应用于内部设计。该系列为 1005尺寸 （1.0 × 0.5 × 0.7毫米 - 长 x 宽 x 高），电感范围从1.0 nH至56 nH，将于2024年2月开始量产。用于汽车或基础设施的高频电路电感器必须满足更高的安全性和可靠性标准，基于AEC-Q200设计。该产品将 TDK 独特的设计专业知识用于设计内部结构，高频性能等同或优于传统产品。比如，电感器的内部结构设计能够降低因设备安装点中的裂纹导致断路故障的几率。结合汽车电路板制造指引，TDK MHQ1005075HA 电感器大幅提升了在汽车环境中的可靠性。TDK将进一步扩大产品线，满足不断变化的客户需求。主要应用用于汽车设备的高频电路（汽车内外通信的发射器-接收器电路，如远程信息处理和 V2X）智能手机、平板电脑、基站等设备的无线电通信高频电路发射器-接收器（用作阻抗匹配或滤波电路的元件）主要特点与优势采用TDK开发的原创内部结构，高频性...
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2024/3/1 16:11:05
随着科技行业寻求下一个增长动力，英特尔高管2月27日表示，该公司的目标是到2025年为多达1亿台支持人工智能的个人电脑（AI PC）提供核心处理器。英特尔客户端计算集团副总裁David Feng称，英特尔预计今年将为4000万台“AI PC”提供芯片，2025年扩大至6000万台，占2025年全球个人电脑市场预计总量的20%以上。“在人工智能个人电脑时代，英特尔不仅需要关心芯片性能，还需要关心服务和用户体验，这使得与软件和应用程序开发商的合作变得更加重要。我们的业务是销售CPU和GPU性能芯片。现在我们真正进入了销售体验的行业，我所描述的东西只能通过软件来实现，因此越来越需要与应用程序开发人员合作。”他说，英特尔正在与微软合作定义人工智能个人电脑。这一概念有三个关键要素：英特尔的酷睿Ultra PC芯片组，其特点是该公司的第一个内置神经处理单元（NPU）的平台，旨在处理人工智能工作负载；微软的人工智能聊天机器人Copilot以及键盘上还有一个专用的“Copilot键”。David Feng表示，由于人工智能个人电脑提高工作效率的潜力，预计企业支出会增加。除了苹果之外，所有的主要个人电脑制造商都表示，他们计划在今年晚些时候推出人工智能个人电脑。据悉，英特尔是全球最大的个人电脑微处理器供应商，控制着笔记本电脑芯片约76%的市场份额。然而，苹果和高通正试图通过基于Arm的电脑设计抢占更大的市场份额。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/1 15:57:57
据韩联社报道，据市场调研机构Omdia27日发布的一组数据，三星电子2023年第四季度DRAM全球市占率为45.7%，位居榜首，继2016年第三季度（48.2%）之后时隔7年创下最高值。三星电子DRAM的市占率环比提升7个百分点，与排名第二的SK海力士（31.7%）的差距拉大到14个百分点。美光以19.1%位列第三。同期，三星电子DRAM销售环比和同比分增21%和39%，时隔6个季度首次由负转正。分析指出，DDR5内存和HBM等高附加值产品销售大增，拉动整体销售增长。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/3/1 15:54:58
非对称稳压输出适合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动 - 现在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 转换器为 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共栅栅极驱动器供电变得空前简单。SMT 器件采用紧凑型 36 引脚 SSOP 封装，尺寸为 7.5 x 12.83 mm，可方便提供非对称双路输出电压，并可通过外部电阻网络进行编程。路输出电压范围可设置在 +2.5 至 +22.5 VDC，另一路可设置为 -2.5 至 -22.5 VDC，总正负电压范围为 18 至 25 VDC，例如 +15/-3 V，以高效驱动 SiC 栅极。电压保持在 +/-1.5% 范围内，防止过电压和损坏的风险。总功率2W时工作温度高达 82°C，2.5W时可达 75°C。即使在最高温度 125°C 时，转换器仍然可以提供有效的降额功率。R24C2T25 的隔离电压为 3 kVAC/1 min，具有 3.5 pF 的超低耦合电容和 +/-150 V/ns 的共模瞬态抗扰度。所以这款产品非常适合为具有快速 dV/dt 和 dI/dt 电源开关斜率的高侧栅极驱动器供电。R24C2T25 可以提供软启动、输入欠压和过压锁定、热关断以及输出过功率保护功能。还提供输出过压和欠压锁定功能，以确保功率器件不会受到无效栅极电压的影响。同时提供电源良好信号和开/关控制功能，当电流消耗低于 700 μA时产品会进入待机模式。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/2/28 16:22:17
金升阳深耕大功率开关电源领域，为响应全国产化趋势，现推出5000W AC/DC机壳电源产品LMF5000-25Bxx系列。该系列具有高效率(90%)、宽工作温度范围、超宽范围调压、调流等优势，是一款高效率、高可靠的优质电源，为工程师提供更优选择。一、产品优势（1）小体积：460.00×211.00×83.5mm（2）兼容多种输入方式：3相4线，3相3线，单相和直流（3）高效率：效率高达90%（4）宽工作温度范围：-40℃ to +70℃（5）20%-120%超宽范围调压、调流（6）并联均流可达20000W（3+1）（7）高可靠性：a.传导/辐射骚扰满足CLASS A；静电放电 ±8KV/Air±15KVb.4000VAC高隔离耐压c.符合IEC/EN/UL62368等认证标准d.五年质保二、产品应用可广泛适用于激光设备、半导体设备等领域。三、产品特点• 输入电压范围：3W+PE △196-305VAC或3W+N+PE Y340-530VAC• 兼容多种输入方式：3相4线，3相3线，单相和直流• PF值高达0.98• 工作温度范围：-40℃ to +70℃• 低待机功耗、高效率、低纹波噪声• 20%-120%超宽范围调压、调流• 并联均流可达20000W（3+1）• 485通信• 双面三防漆• 4000VAC高隔离电压• 输出短路、过流、过压、过温保护• 满足5000m海拔应用• 过电压等级Ⅱ• 符合IEC/EN/UL/BSEN62368等认证标准免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/2/28 16:17:39
这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用，从而简化并加快系统集成万物电气化推动了碳化硅 （SiC）技术在交通、电网和重型汽车等中高压应用领域的广泛采用。为了帮助开发人员部署SiC解决方案并快速推进开发流程，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出采用Augmented Switching™ 专利技术的3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™栅极驱动器。该驱动器采用预配置模块设置，开箱即用，可显著缩短设计和评估时间。为了加快产品上市，这款即插即用的解决方案已经完成了栅极驱动器电路设计、测试和验证等复杂的开发工作。XIFM 数字栅极驱动器是一种结构紧凑的解决方案，具备数字控制、集成电源和可提高抗噪能力的坚固光纤接口。该栅极驱动器具有预配置的“开/关”栅极驱动曲线，可量身定制以优化模块性能。它具有10.2 kV初级到次级强化隔离，内置监控和保护功能，包括温度和直流链路监控、欠压锁定（UVLO）、过压锁定（OVLO）、短路/过流保护（DESAT）和负温度系数 （NTC）。这款栅极驱动器还符合铁路应用的重要规范EN 50155标准。Microchip碳化硅业务部副总裁Clayton Pillion表示：“随着碳化硅市场的不断发展和对更高电压极限的不断突破，Microchip推出3.3 kV即插即用mSiC栅极驱动器等交钥匙解决方案，使电源系统开发商更容易采用宽带隙技术。与传统模拟解决方案相比，该解决方案通过预配置栅极驱动电路，可将设计周期缩短 50%。”Microchip在SiC器件和电源解决方案的开发、设计、制造和支持等方面拥有20多年的丰富经验，能够帮助客户轻松、快速、放心地采用SiC。Microchip的mSiC™产品可提供最低的系统成本、最快的上市时间和最低的风险。Microchip...
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2024/2/28 16:14:53
根据路线图，英伟达将于今年推出下一代采用Blackwell架构的AI芯片B100。英伟达首席财务官Colette Kress在财报电话会议上表示：“我们预计，由于需求远远超过供应，我们的下一代产品将供不应求。”此外，黄仁勋表示，目前正在扩产当前的旗舰产品H200。当前最火热的H100芯片交货时间刚刚缩短几天，作为下一代旗舰AI芯片，英伟达B100采用全新的Blackwell有望显著提升AI计算性能可达2~3倍。鉴于市场对AI芯片巨大的需求，海外业界称英伟达现有客户很可能已经预购了一部分B100产品。根据此前爆料，B100预计将采用台积电3nm制程工艺，采用多芯片设计；另一升级之处便是搭载更大容量的HBM3e高带宽存储，可集成8片HBM芯片，显存带宽也将增加。根据路线图，英伟达还将推出GH100的迭代款GB100，整合英伟达自研CPU和GPU。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2024/2/28 16:11:51
SRAM（静态随机存取存储器）作为一种传统存储方案，近两日相关概念连续点燃A股半导体板块。2月21日，SRAM概念股再度拉升，西测数据20CM涨停，北京君正、恒烁股份等个股盘中一度涨超10%，万润科技、东方中科等个股跟涨。消息面上，谷歌TPU第一代设计者Jonathan Ross所创立的Groq公司正式宣布，其新一代LPU在多个公开测试中，以几乎最低的价格，相比GPU推理速度翻倍。并且后续有三方测试结果表明，该芯片对大语言模型推理进行优化效果显著，速度相较于英伟达GPU提高了10倍。与GPU不同的是，LPU的内存采用了SRAM。据介绍，Groq的大模型推理芯片是全球首个LPU（Language Processing Unit）方案，是一款基于全新的TSA架构的Tensor Streaming Processor (TSP) 芯片，旨在提高机器学习和人工智能等计算密集型工作负载的性能。虽然Groq的LPU并没有采用更本高昂的尖端制程工艺，而是选择了14nm制程，但是凭借自研的TSA架构，Groq LPU芯片具有高度的并行处理能力，可以同时处理数百万个数据流，并该芯片还集成了230MB容量的SRAM来替代DRAM，以保证内存带宽，其片上内存带宽高达80TB/s。根据官方的数据显示，Groq的LPU芯片的性能表现相当出色，可以提供高达1000 TOPS (Tera Operations Per Second) 的计算能力，并且在某些机器学习模型上的性能表现可以比常规的 GPU 和 TPU 提升10到100倍。Groq表示，基于其LPU芯片的云服务器在Llama2或Mistreal模型在计算和响应速度上远超基于NVIDIA AI GPU的ChatGPT，其每秒可以生成高达500个 token。相比之下，目前ChatGPT-3.5的公开版本每秒只能生成大约40个token。由于Cha...
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2024/2/26 14:54:15