PE4280是一款专为有线电视应用设计的UltraCMOS®开关电子元器件，覆盖从5 MHz到2.2 GHz的宽频率范围。这种单电源SPDT开关集成了一个双引脚CMOS控制接口。它还提供了低插入损耗和极低的偏置要求，同时在单个3V电源上运行。在典型的有线电视应用中，与机械继电器相比，PE4280提供了一种经济高效且可制造的解决方案。规格参数封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•75Ω特性阻抗•集成75Ω端子•CTB性能为85 dBc•1 GHz时高隔离60 dB•插入损耗低•高输入IP3:50 dBm•CMOS双引脚控制•单+3V电源操作•低电流消耗：8μA•独特的全断端模式•包装：4×4×0.85毫米QFN引脚图
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2025/1/10 14:08:24
PE42722是一款HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关电子元器件，专为DOCSIS 3.0/1电缆调制解调器和机顶盒等电缆应用而设计。它在5-1794 MHz频带内提供高线性度和出色的谐波性能。它还具有低插入损耗和高隔离性能，使PE42722成为DOCSIS 3.1应用的理想选择。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:1.794 GHz介入损耗:0.85 dB关闭隔离—典型值:29 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•支持DOCSIS 3.0/1要求•卓越的谐波性能•跨频带最佳线性度•低插入损耗和高隔离性能•1.5 kV HBM的高ESD性能•封装–32引线5×5mm QFN引脚图
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2025/1/10 14:03:22
PE423641是HaRP™技术增强型反射SP4T射频开关电子元器件。它已获得AEC-Q100 2级认证，符合质量和性能标准，使其适用于恶劣的汽车环境。它旨在覆盖从50 MHz到3 GHz的广泛无线应用，如蜂窝天线频带切换、汽车信息娱乐和交通安全应用。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP4T最小频率:50 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:0.95 dB关闭隔离—典型值:22 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi特性•AEC-Q100 2级认证•支持高达+105°C的工作温度•HaRP™技术增强提供了出色的线性•插入损耗低•高度隔离•高ESD性能•用于2针控制的集成解码器•封装：16引脚3×3mm QFN引脚图
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2025/1/10 13:59:34
PE42742是一款SPDT UltraCMOS®开关电子元器件，专为有线电视、数字电视、多调谐器DVR、机顶盒、个人电脑电视和游戏机等宽带应用而设计。它符合FCC 15.115规范，在216 MHz时具有80 dB的隔离度，在有电和独特的无电默认状态下都能提供高隔离度和低插入损耗。PE42742采用单正电源和CMOS控制，覆盖了从5 MHz到2200 MHz以上的宽频范围。它为机顶盒应用中的机械继电器提供了一种更小、更具成本效益、更可靠和可制造的替代方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:2.2 GHz介入损耗:1.8 dB关闭隔离—典型值:53 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:pSemi产品类型:RF Switch ICs特性•符合FCC 15.115规范，在216 MHz时隔离80 dB•无电源运行状态•3500 V HBM ESD容差，所有引脚•CTB性能为90 dBc•高隔离度：1000 MHz时为63 dB•低插入损耗：通常在5 MHz时为0.5 dB，在1000 MHz时为0.8 dB•带逻辑选择的CMOS单引脚控制•单+3V电源操作•低电流消耗：8μA•封装：20引脚4×4mm QFN引脚图
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2025/1/10 13:55:59
PE4256是一款专为有线电视应用设计的UltraCMOS®开关电子元器件，覆盖从5 MHz到3 GHz的宽频率范围。这种单电源SPDT开关集成了一个双引脚CMOS控制接口。它还提供了低插入损耗和极低的偏置要求，同时在单个3V电源上运行。在典型的有线电视应用中，与机械继电器相比，PE4256提供了一种经济高效且可制造的解决方案。规格参数开关配置:SPDT最小频率:5 MHz最大频率:3 GHz介入损耗:1.1 dB关闭隔离—典型值:52 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT特性•75Ω特性阻抗•集成75Ω端子•CTB性能为-90 dBc•1000 MHz时高隔离65 dB•低插入损耗：5 MHz时通常为0.5 dB，1000 MHz时为0.9 dB•高输入IP3:50 dBm•CMOS双引脚控制•单+3伏电源操作•低电流消耗：8μA•独特的全断端模式•包装：4×4毫米QFN引脚图
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2025/1/10 13:51:05
PE423422是HaRP™技术增强型反射SPDT射频开关电子元器件。它已获得AEC-Q100 2级认证，符合质量和性能标准，适用于恶劣的汽车环境。它旨在覆盖从100 MHz到6 GHz的广泛无线应用，如汽车信息娱乐和交通安全应用。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SPDT最小频率:100 MHz最大频率:6 GHz介入损耗:0.9 dB关闭隔离—典型值:16 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 105 C安装风格:SMD/SMT特性•AEC-Q100 2级认证•支持高达+105°C的工作温度•插入损耗低•高度隔离•出色的线性•高ESD耐受性•2.3V至5.5V的宽电源范围•封装：12芯2×2mm QFN引脚图
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2025/1/10 13:42:54
PE4140是一款高线性、无源宽带四MOSFET阵列，具有高动态范围性能，能够在6 GHz以上运行。这种四元阵列在所有端口（RF、LO、IF）都使用差分信号工作，允许构建使用-7dBm至+20 dBm LO功率的混频器。典型的应用范围从频率上/下转换到蜂窝/PCS基站、无线宽带通信和STB/电缆调制解调器的相位检测。它采用小型6引脚3×3 DFN封装。规格参数射频:1.7 GHz to 2.2 GHz转换损失——最大:8.5 dBLO频率:1.63 GHz to 2.13 GHz中频:70 MHz最大工作温度:+ 85 C最小工作温度:- 40 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DFN-6OIP3 - 三阶截点:32 dBm工作电源电压:320 mVP1dB - 压缩点:22 dBm封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel点击购买：PE4140B-Z特性•终极四MOSFET阵列•超高线性度，超过6.0 GHz的宽带性能•非常适合搅拌机应用•上/下转换•转换损耗低•高LO隔离•包装：6芯3×3mm DFN引脚图
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2025/1/10 13:37:13
PE42850是一款HaRP™技术增强型SP5T高功率射频开关，支持高达1 GHz的无线应用。它提供42.5 dBm连续波（CW）的最大功率处理。它具有高线性和出色的谐波性能。它具有标准和衰减RX模式。如果射频端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容器。规格参数开关配置:SP5T最小频率:30 MHz最大频率:1 GHz介入损耗:0.45 dB关闭隔离—典型值:30 dB最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:QFN-32开关数量:Single工作电源电流:130 uA产品类型:RF Switch ICs电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.3 V特性•双模式操作：SP5T或SP3T•增强了HaRP™技术•50Ω内瞬时功率高达45 dBm•瞬时功率高达40 dBm•36 dB TX到RX隔离•2fo和3fo的低谐波=–90 dBc（1.15:1 VSWR）•ESD性能引脚图
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2025/1/10 13:31:44
在日新月异的数字存储领域，固态硬盘（SSD）已成为重塑数据存储和访问方式的关键技术。SSD得益于其更高的可靠性、更快的速度、更低的功耗、更佳的性能以及更轻巧紧凑的设计，因而比传统硬盘驱动器（HDD）更受欢迎。预计到2028年，SSD市场规模将达到670亿美元。其中，电源断电保护（PLP）所需的硬件、固件和软件占据了相当大的市场份额；这些对于确保SSD系统在断电后仍能正常运行至关重要。本文将深入探讨SSD技术的复杂世界，并阐述其优势以及对计算环境产生的变革性影响。此外，我们还将介绍SSD技术的最新进展，包括电源管理集成电路（PMIC）和PLP及其在企业数据存储中的作用。了解SSD中的断电保护在快速发展的数字存储领域，SSD在改变数据存储和检索方式方面扮演着举足轻重的角色。大型企业使用的企业数据存储系统用于处理、保存和保障诸如云计算、数据挖掘及在线交易等活动中的重要数据。这些系统部署在各大数据中心。如图1所示，SSD中的PLP在断电期间可提供足够的能量，将关键数据保存至NAND（NAND闪存作为一种非易失性存储技术，在无电源的情况下也能保持数据）。此类PLP系统已在SSD市场存在了一段时间，在断电时保护数据安全方面发挥了重要作用。PLP的主要任务是延长SSD的运行时间，以便安全地将数据从驱动器的临时存储移动到永久存储器，确保数据在系统重新通电后仍然存在且可访问。PLP系统通过使用特殊电容器使SSD保持时间足够长的供电，从而将缓存中的所有数据都保存到NAND闪存中，并更新目录信息。如下图2所示，此类电容器可存储足够的能量，在断电后使SSD能够继续运行并完成数据备份。这些能量为系统提供了额外的运行时间，使得系统能够在断电后完成向存储器写入数据的操作。此外，一些SSD使用特殊的软件规则来控制断电时数据的写入方式，从而确保数据安全并降低出错的可能性。接下来，让我们快速了解一下SSD的主...
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2025/1/10 13:22:00
DRAM市场将在2025年第一季度出现显著的价格下跌，PC、服务器和GPU VRAM细分市场预计将出现大幅下跌。根据TrendForce的最新预测，季节性需求波动加上买家的战略库存管理正在推动下降趋势。在PC DRAM市场，价格预计将下降8%-13%。这一下降主要是由于消费者需求疲软和DDR4内存模块供过于求。虽然DDR5的采用率正在稳步增长，但尚未达到抵消上一代DDR4模块供过于求所需的规模。因此，PC制造商正在利用较低的价格来增加库存，尽管他们很谨慎，以避免在需求不确定的情况下出现库存过剩。服务器DRAM价格预计也会下降，尽管降幅不如PC DRAM大，预测降幅为5%~10%。从DDR4到DDR5和高带宽存储器（HBM）的持续过渡继续影响着服务器DRAM市场。主要供应商正在将生产能力从DDR4重新分配到更新的技术，以满足数据中心和AI应用日益增长的需求。然而，DDR4内存的供过于求，加上企业客户谨慎的采购策略，导致价格受到抑制。虽然DDR5的采用率正在增长，但其目前的使用量仍不足以抵消DDR4的供应过剩。在GPU VRAM领域，价格预计将下跌5%~10%，这主要是由于需求低迷和库存水平上升。尽管部分生产能力已转向HBM，尤其是用于AI和数据中心应用的高性能GPU，但对传统图形DRAM的需求仍然疲软。游戏和专业图形市场尚未从高库存水平和疲软的消费者需求时期完全恢复，导致GPU VRAM价格持续下跌。DRAM价格的持续下跌与过去两年观察到的更广泛趋势一致。先前的报告表明，2023年初价格大幅下跌，仅第一季度DRAM成本就暴跌20%。这些降价是由供应过剩和消费者需求低迷共同推动的，导致全年价格持续下跌。到2024年，尽管下滑速度有所放缓，但市场仍面临挑战。制造商库存水平高企，消费电子、游戏和数据中心等关键领域的需求依然疲软。此外，DDR5和HBM等较新内存技术的缓慢采用导致老一...
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2025/1/10 13:17:40
台积电先进封装大扩产，其中CoWoS制程是扩充主力。随著群创旧厂购入后设备进机与台中厂产能扩充，2025年台积电CoWoS月产能将上看7.5万片。行业调研机构semiwiki分析称，台积电在中国台湾大举扩充先进封装产能，其中随着英伟达需求推动，预估2025年 CoWoS月产能估计6.5万片-7.5万片，2026年估计月产9-11万片。此外，2025年预计英伟达占据CoWoS总需求的63%，表明其在采用CoWoS技术方面的领导地位。紧随其后的是博通，占据13%的份额。AMD和Marvell各占据8%并列第三，表明两家公司对这项技术的兴趣相当。semiwiki指出，其他贡献者包括AWS + Al chip（3%）、英特尔（2%）、Xilinx（1%）和其他（3%）。另一方面，研调机构TrendForce在2024年11月亦发布报告称，随着英伟达最新Blackwell平台芯片2025上半年逐步放量，将带动台积电CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望逾60%，并驱动台积电CoWoS月产能于年底接近翻倍、达7.5万至8万片。此外，主要云端服务供应商（CSP）积极投入ASIC AI芯片建置，包括亚马逊AWS等巨头2025年对CoWoS需求量亦将明显上升。免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
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2025/1/10 13:11:25
NCV59801是一款1A LDO，下一代高PSRR、低噪声和低压差稳压器电子元器件，具有Power Good集电极开路输出。NCV59801器件旨在满足射频和敏感模拟电路的要求，提供低噪声、高电源抑制比和低静态电流，同时能够将输出电压调节到0.6V以下。该设备还提供出色的负载/线路瞬态。NCV59801设计用于4.7 uF输入和输出陶瓷电容器。规格参数输出电压:1.8 V输出端数量:1 Output极性:Positive静态电流:35 uA输入电压 - 最小值:1.6 V输入电压 - 最大值:5.5 VPSRR/纹波抑制—典型值:85 dB输出类型:Fixed最大工作温度:+ 150 C回动电压:175 mV回动电压—最大值:343 mV线路调整率:0.5 mV/V负载调节:2 mV电压调节准确度:1.5 %特性•1.6V至5.5V输入电压•从低VIN轨道运行•输出电压0.6V•宽VOUT设置•受控输出电压转换速率•可用于图像传感器或减少启动时的涌入电流•电源抑制比：1 kHz时为85 dB•改进了输入纹波抑制•低压差120mV ar 3.3V/1A•允许低VIN以提高效率•超低噪声：10µVRMS•超低自生噪声•WDFNW6 2 x 2mm和DFNW8 3 x 3mm•优异的热性能应用•通信系统•车载网络•远程信息处理、信息娱乐和集群•通用汽车引脚图
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2025/1/9 14:26:09
ADP3335属于ADP330x系列精密低压差anyCAP电压稳压器电子元器件。ADP3335输入电压范围为+2.6 V至+12 V，最大连续负载电流为500 mA。ADP3335采用所有MSOP-8封装中的最低热阻和改良工艺，与传统LDO相比性能更出色，比竞争产品更具性能优势。它采用专利设计，仅需一个1.0 µF输出电容便可保持稳定。这款器件对输出电容的等效串联电阻(ESR)不敏感，使用任何优质电容均可稳定工作，其中包括适合空间受限应用的陶瓷(MLCC)型电容。ADP3335在室温条件下可达到±0.9%的出色精度，温度、线路和负载变化的精度为±1.8%。ADP3335在500 mA时的压差仅为200 mV（典型值）。该器件还具有安全限流、热过载保护和关断特性。在关断模式下，地电流降至2 µA以下。在轻负载情况下，ADP3335具有60 µA（典型值）超低静态电流。ADP3335ARMZ-3.3-RL的规格参数输出端数量:1 Output极性:Positive输出电压:3.3 V输出电流:500 mA输出类型:Fixed输入电压 - 最小值:2.6 V输入电压 - 最大值:12 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C静态电流:80 uA高度:0.85 mm长度:3 mm线路调整率:0.04 mV/V负载调节:0.04 mV/mA宽度:3 mm单位重量:140 mg特性高线路和负载精度：±0.9%(25℃)、全部温度下±1.8%超低压差：500 mA时，200 mV（典型值）仅需CO = 1.0 µF便可保持稳定anyCAP = 使用任意类型的电容（包括MLCC）均可保持稳定限流、限热低噪声低关断电流：小于10 nA（典型值）电源电压范围：2.6 V至12 V环境温度范围：-40&...
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2025/1/9 14:18:42
LT7101是一款高效率、单芯片同步降压DC/DC转换器电子元器件，利用恒频、平均电流模式控制架构。该转换器在4.4V至105V的输入电压范围内工作并提供1V至VIN的可调稳压输出电压，同时提供高达1A的输出电流。LT7101采用高频工作和低较小导通时间，即使在极高降压比下也可缩小电感尺寸并支持恒频工作。此外，LT7101还可达到尽可能低的压差，并以较大占空比工作。在轻负载工作期间，可通过选择突发模式、跳脉冲或强制连续工作模式来优化转换器效率和输出纹波。LT7101内置精确的高速平均电流编程和监控功能，无需外部检测电阻。其他特性包括旁路LDO以较大程度地提高效率、固定或可调输出电压和环路补偿以及众多保护特性以增强可靠性。规格参数拓扑结构:Buck输出电压:1 V to 105 V输出电流:1 A输出端数量:1 Output输入电压 - 最小值:4.4 V输入电压 - 最大值:105 V静态电流:2 uA开关频率:200 kHz to 2 MHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C输入电压:4.4 V to 105 V电源电压-最小:4.4 V特性• 宽 VIN 范围：4.4V 至 105V（110V 绝对最大值）• 超低 EMI/EMC 发射：符合 CISPR 25 标准• 将 48VIN 调节到 3.3VOUT 时 IQ 为 2µA• 快速准确的输出电流设置和监控，无需外部 RSENSE• 砖墙式限流值• 最短接通时间低至：35ns• 宽 VOUT 范围：1V 至 VIN• 较大占空比操作• 可编程固定频率：200kHz 至 2MHz应用• 电池充电器和CC/CV电源• 汽车和军用系统• 工业、航空电子和重型设备• 医疗仪器和电信系统引脚图
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2025/1/9 14:11:59
AD737是一款低功耗、精密、单芯片真有效值直流转换器电子元器件。它经过激光调整，采用正弦波输入时最大误差为±0.2 mV ±读数的0.3%。此外，它能以高精度测量广泛的输入波形，包括可变占空比脉冲和三端双向可控硅（相位）控制的正弦波。这款转换器具有低成本和小尺寸特性，因而适合升级许多应用中的非均方根精密整流器性能。与这些电路相比，AD737能以相同或更低的成本提供更高的精度。AD737可以计算交流和直流输入电压的RMS值。增加一个外部电容时，它也可以交流耦合方式工作。这种模式下，即使存在温度或电源电压波动，AD737也能分辨100 μV rms或更低的输入信号电平。对于波峰因数为1至3的输入波形，也同样能保持高精度。此外，在200 mV满量程输入电平，波峰因数可以高达5（测量仅引入2.5%的额外误差）。AD737没有输出缓冲放大器，因而输出端的直流失调误差大大降低，这使它能够与高输入阻抗ADC高度兼容。其电源电流仅160 μA，并针对便携式万用表和其它电池供电应用进行了优化。在掉电模式下，待机电源电流典型值为25 μA。AD737同时提供高阻抗(1012 Ω) 和低抗阻输入。高阻抗FET输入可以直接与高源阻抗输入衰减器连接，低阻抗(8 kΩ)输入可以在±2.5 V的低电源电压下工作，同时接受0.9 V的均方根电压。两个输入可以采用单端或差分配置。AD737实现了1%的读数误差带宽，对于20 mV rms至200 mV rms的输入幅度，误差带宽超过10 kHz，功耗仅为0.72 mW。AD737按性能分为两种等级。AD737J和AD737K的工作温度范围为0°C至70°C商用温度范围。AD737JR-5在±2.5 V直流电源电压下进行过测试。AD737A的工作温度范围为−40°C至+85°C工...
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2025/1/9 14:04:37
AD694是一种单片电流变送器电子元器件，可接受高电平信号输入，以驱动标准4-20mA电流回路，用于控制阀门、执行器和过程控制中常用的其他设备。输入信号由输入放大器缓冲，该放大器可用于缩放输入信号或缓冲电流模式DAC的输出。通过简单的销钉捆扎选择0V至2V和0V至10V的预校准输入跨度；其他跨度可以用外部电阻器编程。输出级的顺应性扩展到Vs的2V以内，其特殊设计允许输出电压在双电源操作中扩展到低于正常值。警报警告4-20mA回路开路或输出级不符合要求。AD694薄膜电阻器的主动激光微调可实现高精度，无需额外的调整和校准。外部传输晶体管可与AD694配合使用，以降低功耗，从而扩大工作温度范围。AD694是需要抗噪声4-20mA信号传输来操作阀门、执行器和其他控制设备的系统以及压力、温度或流量等过程参数传输的理想构建块。它被推荐作为工业过程控制、工厂自动化和系统监控中各种应用中离散设计的替代品。AD694提供密封的16针CERDIP和塑料SOIC，适用于-40℃至+85℃的工业温度范围，以及16针塑料DIP，适用于0℃至+70℃的温度范围。规格参数CMRR - 共模抑制比:80 dBIb - 输入偏流:5 nAVos - 输入偏置电压 :150 uV电源电压-最大:36 V电源电压-最小:4.5 V工作电源电流:1.5 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C高度:2.35 mm (Max)输入类型:BufferIos - 输入偏置电流 :1 nA长度:10.5 mm (Max)最大输入电阻:5 MOhms工作电源电压:4.5 V to 36 V每个通道的输出电流:20 mA特性4-20mA、0-20mA输出范围预校准输入范围：0V至2V，0V至10V精密电压基准可编程为2.000 V或10.000 V单电源或双电源操作宽电源范围：4.5V至36V宽输出合规性输...
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2025/1/9 13:50:42
这款放大器具有超低失调、漂移和偏置电流特性。AD8628为宽带宽、自稳零放大器电子元器件，具有轨到轨输入和输出摆幅以及低噪声特性，采用2.7 V至5 V单电源供电。AD8628可提供以前只有昂贵的自稳零或斩波稳定放大器才具有的特性优势。这些零漂移放大器采用ADI公司的电路拓扑结构，将低成本与高精度、低噪声特性融于一体，且无需外部电容。AD8628的失调电压仅为1 µV，失调电压漂移小于0.005 μV/°C，噪声仅为0.5 µV p-p（0 Hz至10 Hz），因而适合不容许存在误差源的应用。这些器件在工作温度范围内的漂移接近零，对位置和压力传感器、医疗设备以及应变计放大器应用极为有利。许多系统都可以利用AD8628提供的轨到轨输入和输出摆幅能力，以降低输入偏置复杂度，并使信噪比达到较大。AD8628的额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。AD8628提供5引脚小型TSOT、5引脚SOT-23和8引脚窄体SOIC三种塑料封装。规格参数通道数量:1 ChannelGBP-增益带宽产品:2.5 MHzSR - 转换速率 :1 V/usVos - 输入偏置电压 :1 uVIb - 输入偏流:100 pA电源电压-最大:5 V, 2.5 V电源电压-最小:2.7 V, 1.35 V工作电源电流:1 mA每个通道的输出电流:30 mACMRR - 共模抑制比:140 dBen - 输入电压噪声密度:22 nV/sqrt Hz封装 / 箱体:SOT-23-5安装风格:SMD/SMT特性• 最低噪声自稳零放大器• 低失调电压： 1 μV• 输入失调漂移： 0.002 μV/°C• 轨到轨输入和输出摆幅• 5 V单电源供电• 高增益、高共模抑制比(CMRR)和高电源抑制比(PSRR)：130 dB应用汽车传感器压...
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2025/1/9 13:38:32
HFCN-1080+LTCC高通滤波器由12层构成，以实现微型尺寸和高重复性能。环绕式端子可最大限度地减少寄生效应引起的性能变化。这些电子元器件覆盖1140-4240MHz，具有低插入损耗和良好的抑制性能。规格参数频率:1.14GHzto4.24GHz带宽:3100MHz阻抗:50Ohms端接类型:SMD/SMT最小工作温度:-55C最大工作温度:+100C封装:Reel封装:CutTape封装:MouseReel特性成本低尺寸小7节温度稳定出色的功率处理能力，7W密封应用次谐波抑制发射器/接收器实验室使用尺寸图
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2025/1/9 13:18:16