Santec为满足光收发器模块尺寸越来越小、功耗越来越低的需求，新推出了一款超小型可调滤波器 (型号: MTF-FT），专门用于高速、大容量光收发器。MTF-FT是基于Santec 独特的光学设计的专利技术，并且具有信号通带波形平坦，兼具高陡峭性噪声消除的特点。产品通过这些特点抑制了信号失真，与典型的型号相比，成功地将噪音消除性能提高了10倍以上。MTF-FT产品支持符合以QSFP-DD、CFP2-DCO为代表的SFF(Small Form Factor)行业标准的光收发器。超小型尺寸(7.5 x 5.5 x 3.5 mm)和低电压驱动使得产品能够满足光收发器模块尺寸越来越小、功耗越来越低的需求。MTF-FT超小型可调滤波器特点 超小型 17V低电压驱动 卓越光电性能 符合Telcordia GR -1221标准 符合RoHS标准 最小光纤弯曲半径5 mmSantec的产品线主要包括一系列精密光学元器件、各类光学测试设备和OCT成像系统，常常用于通信、生命科学、传感和工业等领域，客户遍布全球。
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2023/5/23 10:02:01
GaNSense Control合封氮化镓芯片是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术，还减少了提供相同性能所需的能源和物理空间。采用了氮化镓的充电器，能在尺寸和重量减半的前提下，产品实现了高达3倍的功率处理能力或快3倍的充电能力。并且在电源系统中，一个优化的高频低压 (LV) 硅系统控制器必不可少。纳微不仅开发了这样的控制器还将其与其高性能的氮化镓芯片集成在一起，还推出了业界首创的GaNSense Control合封氮化镓功率芯片技术。初代GaNSense Control 合封氮化镓功率芯片系列具有高频准谐振 (HFQR) 反激，并且支持 QR、DCM、CCM 和多频率、混合模式运行，频率高达 225 kHz。可以从单个采用表面贴片的QFN 封装（NV695x 系列）到以芯片组 (NV9510x + NV61xx)，可最大化电路设计的灵活性。并且在副边方面，与传统整流器相比，集成了同步整流器 (SR)的氮化镓功率芯片(NV97xx) ，可在任何负载条件下实现最大效率。GaNSense Control合封芯片集成了无损电流检测、高压启动、抖频、低待机功率、宽Vdd输入电压的特性，能在元件更少，无电流采样电阻热点的前提下，带来小巧、高效、温控更优的系统。产品一系列的集成保护功能包括800V瞬态电压击穿、2kV ESD及智能的过压、过流、过温保护带来了更稳固的功率芯片和可靠的电源系统。
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2023/5/23 9:56:33
HMC908A——紧凑的砷化镓（GaAs）、 单片微波集成电路(MMIC)，相位/正交(I/Q)下变频器，无铅，并且符合RoHS标准。 HMC908ALC5正交（I/Q）降频器，采用无铅、符合RoHS标准的陶瓷无铅芯片载体。产品提供了一个小信号噪声系数为2分贝的小信号转换增益和25分贝的图像抑制的图像抑制，频率：100MHz。HMC908A产品采用了一个低噪声放大器(LNA)，然后是另一个低噪声放大器。噪声放大器（LNA），然后是图像抑制混频器。主要是由一个本地振荡器（LO）缓冲放大器驱动。图像抑制混频器的作用是消除了在低噪声放大器之后对滤波器的需要。图像抑制混频器消除了LNA之后的滤波器，并消除了图像频率上的热噪声。提供I和Q混频器输出，需要一个外部的90°混合器来选择所需的边带。来选择所需的边带。HMC908A是一个更小的混合式图像抑制的替代方案。HMC908A是混合型图像抑制混频器的一个更小的替代品。HMC908A是混合型图像抑制混频器的一个更小的替代方案，它消除了对接线的需要。它允许使用表面贴装制造技术，从而消除了对线束的需求技术。
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2023/5/22 14:27:21
HMC8193——无源、同相/正交（I/Q）、单片式的单片微波集成电路(MMIC)混频器，能够用于接收器操作的图像抑制混频器，并且也可用作可作为接收器操作的图像抑制混频器，或作为单边带上变频器。单边带上变频器，主要用于发射器操作，频率范围为2.5GHz到8.5GHz。固有的I/Q结构为HMC8193提供了出色的图像抑制功能。HMC8193固有的I/Q结构提供了出色的图像抑制，从而消除了因此不需要对不需要的边带进行昂贵的过滤。该混频器还提供出色的本地振荡器（LO）到无线电频率（RF）和LO到中间频率（RF）。HMC8193还提供了出色的本地振荡器（LO）与无线电频率（RF）和LO与中频（IF）的隔离，并减少了LO泄漏的影响。并减少LO泄漏的影响，以确保信号完整性。因为HMC8913是一个无源混频器，它不需要任何直流电源。该器件的噪声系数比有源混频器低。该器件提供了比有源混频器更低的噪声系数，确保了高性能和精密应用的卓越动态范围。器件提供比有源混频器更低的噪声系数，确保为高性能和精密应用提供卓越的动态范围。HMC8193采用紧凑的4毫米×4毫米、24引线的LCC封装。并在-40℃至+85℃的温度范围内工作。该器件的评估板该器件的评估板也是可用的。
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2023/5/22 14:23:00
HMC8192LG——无源、宽频、同相/正交（I/Q）、单片微波集成电路（MMIC）混频器。既可作为接收器操作的图像抑制混频器，也能够作为单边带的混频器。既可作为图像抑制混频器用于接收器操作，也可以作为单边带上变频器用于发射器操作。其无线电频率（RF）和本地振荡器（LO）的范围为20GHz至100GHz。(频和本地振荡器（LO）范围为20 GHz至42 GHz，中间频率(中频（IF）带宽为直流至5GHz，HMC8192LG是需要宽频率范围、优秀的中频（IF）应用的理想选择。并且HMC8192LG是需要宽频率范围、出色的射频性能和简单设计的应用的理想选择。优秀的射频性能，以及简单的设计，较少的元件和较小的印刷电路板（PCB）尺寸。HMC8192LG对于频率范围广、射频性能好、设计简单、元件少、占用面积小的应用非常使用。一个HMC8192LG可以取代设计中的多个窄带混频器。HMC8192LG固有的I/Q架构提供了优秀的图像抑制，消除了对昂贵的滤除不需要的边带。还提供优秀的LO到RF和LO到IF隔离，并减少LO泄漏的影响，以确保信号的完整性。HMC8192LG作为一个无源混频器，HMC8192LG不需要任何直流电源。与有源混频器相比，HMC8192LG的噪声系数更低。与有源混频器相比，HMC8192LG具有更低的噪声系数，确保了高性能和精密应用的卓越动态范围。HMC8192LG产品应用测试和测量仪器军事、雷达、航空航天和国防应用微波点对点基站
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2023/5/22 14:13:09
HMC8192-Die是一款无源、宽带、同相/正交（I/Q）、单片微波集成电路（MMIC）混频器。既可作为接收器操作的图像抑制混频器，还能够可作为发射器操作的单边带上变频器操作。其产品的无线电频率（RF）和本地振荡器（LO）范围为20 GHz至42 GHz，中频（IF）带宽为直流到直流。射频和本地振荡器（LO）范围为20 GHz至42 GHz，中频（IF）带宽为dc至5 GHz，是需要宽频率范围、出色的射频性能以及设计简单、数量少的应用的理想选择。HMC8192-Die是需要宽频率范围、出色的射频性能和较少元件的简单设计的应用的理想选择。并且单个HMC8192-Die可以取代设计中的多个窄带混频器。其固有I/Q结构提供了 优秀的图像抑制，通常优于25dBc、 消除了对不需要的边带进行额外过滤的需要。HMC8192-Die还提供出色的LO到RF和LO到IFx隔离 隔离，从20 GHz到32 GHz，分别为42 dB和51 dB，并减少了影响。到32GHz，并减少LO泄漏的影响，以确保信号的完整性。完整性。HMC8192-Die作为一个无源混频器，不需要任何直流电源。功率源。与有源混频器相比，其噪声系数更低。与有源混频器相比，HMC8192-Die提供更低的噪声系数，确保高性能和精密应用的卓越动态范围。确保高性能和精密应用的卓越动态范围。并且HMC8192-Die是在砷化镓（GaAs）上制造的、 金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，并采用美国模拟器件公司的混频器。使用Analog Devices, Inc.的混合器单元和90°混合器。该 HMC8192-Die的工作温度范围为-55℃至+85℃。
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2023/5/22 14:10:29
HMC8191——无源、宽频、I/Q单片式的微波集成电路(MMIC)混频器，作为接收器操作的图像抑制混频器，还可以作为接收器操作的图像抑制混频器或作为发射器操作的单边带上变频器。单边带上变频器用于发射器操作。有一个无线电频率（RF）和本地振荡器（LO）范围为6GHz到26.5GHz，中频（IF）带宽为直流到5GHz。中频（IF）带宽为直流至5GHz，HMC8191是需要宽频率范围、出色的射频性能、以及需要高可靠性的应用的理想选择。并且单个HMC8191可以取代设计中的多个设计中的多个窄带混频器。产品固有的I/Q结构提供了出色的图像抑制功能，从而消除了对图像的干扰。图像抑制，因此不需要对不需要的边带进行昂贵的滤除不需要的边带。该混频器还提供了出色的LO到RF和LO到IF隔离，并减少了LO泄漏的影响。以确保信号的完整性。HMC8191作为一个无源混频器，不需要任何直流电源。电源。与有源混频器相比，它的噪声系数更低，确保了卓越的动态范围。与有源混频器相比，它的噪声系数更低，确保了高性能和精密应用的卓越动态范围。并且提供了比有源混频器更低的噪声系数，确保了高性能和精密应用的卓越动态范围。
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2023/5/22 14:02:43
HMC525ALC4作为一款紧凑型砷化镓（GaAs）、 单片微波集成电路（MMIC），相位正交（I/Q）混频器。是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)，具有无引线芯片载体（LCC）封装。可用作图像抑制混频器或单边带(SSB) 上变频器。采用两个标准的双平衡混频器单元和一个90°混合器，在砷化镓、金属半导体场效应晶体管（MES）中制造。金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造的90°混合器。该并且HMC525ALC4是混合型混频器的一个更小的替代品。HMC525ALC4还是混合式图像抑制混频器和SSB上变频器组件的一个更小的选择。而滤波器 HMC525ALC4消除了对线束的需要，允许使用表面贴装技术。使用表面贴装制造技术。HMC525ALC4产品应用微波和极小孔径终端收音机测试设备点对点收音机军事电子战；电子对抗；和 指挥、控制、通信和情报
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2023/5/22 13:42:30
HMC524ALC3B紧凑型砷化镓（GaAs）、单片微波集成电路(MMIC)，相位正交(I/Q)混频器。符合RoHS标准的无铅表面贴装（SMT）陶瓷封装。能够用作图像抑制混频器或单边带上变频器。并且该混频器使用两个标准的双路平衡混频器。使用两个标准的双平衡混频器单元和一个90°的混合耦合器，该耦合器由砷化镓金属半导体场效应晶体管（MESFET）制造。效应晶体管（MESFET）工艺制造。一个低频正交混合器产生一个100MHz的中频输出。混合式图像拒绝混频器和单边双工的一个更小的替代方案。拒绝混频器和单边带上变频器组件。该HMC524ALC3B消除了对线束的需要，使用表面贴装制造技术。HMC524ALC3B应用点对点无线电设备点对多点无线电和VSAT测试设备和传感器军事终端用途
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2023/5/22 11:58:44
HMC520A——紧凑型砷化镓（GaAs）、单片微波集成电路（MMIC），同相正交（I/Q）混频器，正交（I/Q）混频器，24端子，RoHS标准。采用了24端子、符合RoHS标准的陶瓷无引线芯片载体（LCC）封装。既可用作图像抑制混频器，也可用作单边带上变频器。其使用两个标准的双平衡混频器单元和一个90°混合器，在砷化镓、金属半导体场效应晶体管（MES）中制造。半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造的90°混合器。HMC520AHMC520A是混合型图像拒绝器的一个较小的替代品。混频器和单边带上变频器组件的较小替代品。HMC520A不需要HMC520A消除了对线束的需求，允许使用表面贴装技术。HMC520A的应用点对点微波收音机点对多点无线电台视频卫星数字收音机仪器仪表自动测试设备
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2023/5/22 11:54:29
HMC1063LP3E——紧凑型I/Q MMIC混频器，选择无铅 'Pb 'SMT封装。用作图像抑制混频器或单边带升频器、上变频器。混频器采用了两个标准的Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器。并且在砷化镓肖特基二极管工艺中制造的。一个低低频正交混合器被用来产生一个1000MHz的LSB中频输出。这个产品是一个更小的该产品是混合型图像接收混频器和单边带上变频器组件的一个更小的替代品和单边带上变频器组件。HMC1063LP3E能够消除了对线束的需要并允许使用表面贴装制造技术。HMC1063LP3E的典型应用- 点对点和点对多点的无线电通信- 军事雷达、EW和ELINT- 卫星通信- 传感器
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2023/5/22 11:47:08
HMC1056LP4BE是一款紧凑型的I/Q MMIC混频器，选用无铅 'Pb 'SMT封装。可用作图像抑制混频器或单边带升频器、上变频器。采用了两个标准的Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器。在砷化镓肖特基二极管工艺中制造的。一个低一个低频正交混合器被用来产生一个100MHz的LSB中频输出。产品是一个更小的混合型图像剔除混频器和单边带上变频器组件的一个更小的替代品。和单边带上变频器组件。HMC1056LP4BE消除了接线的需要。并允许使用表面贴装制造技术。HMC1056LP4BE典型应用- 点对点和点对多点的无线电通讯- 军事雷达、EW和ELINT- 卫星通信- 传感器
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2023/5/22 11:43:13
MMC5603NJ是一个单片完整三轴AMR磁性传感器，并且具有片上信号处理和集成数字总线（I2C快速模式和I3C接口）、可以直接连接到一个器件可以直接连接到微处理器上，而不需要A/D转换器或定时资源。能够在满刻度范围内测量磁场正负30 高斯（G）范围内的磁场，在20位操作模式下，每LSB的分辨率高达0.0625mG。在20位操作模式下的分辨率和2mG的总有效值噪声水平，使电子罗盘应用中的航向精度达到正负1º电子罗盘应用中的航向精度。一个集成的SET/RESET功能提供了消除了由于Null Field输出随温度变化而产生的误差。温度变化造成的误差。此外，它可以清除传感器上的任何此外，还可以清除因暴露在强磁体中而产生的任何残余磁极化，清除由于暴露在强壮的外部磁铁下而产生的任何残余磁极化。设置/复位功能也可以在每次测量时进行，也能够定期进行根据具体的应用要求。MMC5603NJ选用晶圆级封装，超小尺寸为0.8x 0.8 x 0.4 mm，工作温度范围为工作温度范围为 -40摄氏度至 +85 摄氏度。
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2023/5/22 11:33:18
德州仪器 (TI)推出了一款高集成度的功能安全合规型隔离式栅极驱动器，其助力工程师设计更高效的牵引逆变器，能够更大限度地延长电动汽车 (EV) 行驶里程。新设计 UCC5880-Q1 增强型隔离式栅极驱动器提供的功能可使电动汽车动力总成工程师能够在提高功率密度、降低系统设计复杂性和成本的同时实现其安全和性能目标。伴随着人们的环保意识在逐渐上升，电动汽车日益普及，牵引逆变器系统的半导体创新技术有助于克服某些阻碍其广泛普及的关键技术障碍。其中汽车制造商可以使用 UCC5880-Q1 进行设计，构建更安全、更高效、更可靠的碳化硅 (SiC) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 牵引逆变器，使其具备实时可变的栅极驱动能力、串行外设接口 (SPI)、功率模块监控和保护以及功能安全诊断。能够做到更大限度地延长电动汽车行驶里程，同时降低设计复杂性和成本但因为效率提升会直接影响每次充电后的可延长行驶里程，因此愈发需要电动汽车有更高的可靠性和更出色的功耗性能。但是对于设计人员来说，要实现效率提升非常困难，因为大部分牵引逆变器的运行效率已经达到了 90%，甚至更高。可以通过 20 A 到 5 A 的幅度实时改变栅极驱动强度，设计人员可以使用 UCC5880-Q1 栅极驱动器更大限度地减少 SiC 开关功率损耗，将系统效率提高多达 2%，从而将每次电动汽车充电后的行驶里程延长多达 11公里。对于每周为车辆充电三次的电动汽车用户来说，提高年行驶里程至 1,600 多公里。并且，UCC5880-Q1 还具有 SPI 通信接口以及集成的监控和保护功能，可降低设计复杂性、减少外部...
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2023/5/22 11:09:31
ST意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增加了VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两种型号，其适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。尺寸紧凑、高集成度的产品设计主要应用包括USB-PD 充电器、家电、智能建筑控制器、照明、空调、智能表计和其他工业应用的开关式电源 (SMPS)。并且每个器件都集成了脉宽调制 (PWM) 控制器和650V 增强型 GaN 功率晶体管，并且可以用一个标准光耦合器实现二次侧稳压功能。具有5mm x 6mm QFN紧凑封装，结合高集成度，确保晶体管具有非常出色的功率密度，节省物料清单(BoM) 成本。宽禁带晶体管技术能够提高能效，简化热管理设计。然而，这些转换器芯片采用的电源管理技术，静态电流很低，在自适应突发模式下，待机功耗低于 30mW。并且都有准谐振模式，具有动态消隐时间和谷值同步功能，能够降低开关损耗，并在所有输入线路和负载条件下最大限度地提高能效。有助于目标应用降低能耗，满足全球生态设计规范的节能和净零碳排放目标。VIPerGaN100 和 VIPerGaN65芯片还集成安全保护和可靠性功能，例如，输出过压保护、电流检测、输入过压保护、上电保护、掉电保护和热关断，以及用于抑制 EMI 的频率抖动技术，其中，输入电压前馈补偿可以最大限度地弱化峰值功率变化。目前，VIPerGaN100 和VIPerGaN65现已投产，都采用 5mm x 6mm QFN 封装。
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2023/5/22 11:03:39
INA125是一种低功率、高精度的仪表放大器，具有精确的参考电压。它在单个集成电路上提供完整的电桥激励和精确的差分输入放大环行单个外部电阻器可设置从4到10000。INA125经过激光微调以实现低偏移电压（250µV）、低偏移漂移（2µV/°C）和高共模抑制（G=100时为100dB）。它在单电源（+2.7V至+36V）或双电源（±1.35V至±18V）电源。参考电压可通过引脚选择电压2.5V、5V或10V进行外部调节，允许使用具有各种换能器。参考电压为精确到±0.5%（最大值），漂移量为±35ppm/°C（最高值）。睡眠模式允许关机和工作循环操作以节省电力。INA125有16针塑料DIP和SO-16表面安装封装，指定用于-40°C至+85°C的工业温度范围。应用压力和温度电桥放大器工业过程控制工厂自动化多通道数据采集电池供电系统通用仪表
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2023/5/19 14:20:03
INA126和INA2126（INAx126）是精密的仪器放大器，差分信号采集。双运算放大器设计以低静态提供出色的性能电流（175μA/通道）。这些功能结合在一起具有±1.35 V至±18 V使INAx126成为便携式的绝佳选择仪器仪表和数据采集系统。增益可以设置为从5 V/V到10000 V/V单个外部电阻器。精密输入电路提供低偏移电压（最大250μV），低偏移电压漂移（最大3μV/°C）共模抑制。所有版本都指定用于-40°C至+85°C工业温度范围应用液位变送器流量变送器多参数患者监护仪混合模块（AI、AO、DI、DO）交流充电（桩）站输液泵心电图（ECG）
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2023/5/19 14:16:40
INA128和INA129（INA12x）是低功率的，通用仪器放大器，提供出色的准确性。多功能的三运算放大器设计体积小使这些放大器成为一个出色的放大器广泛应用的选择。电流反馈输入电路甚至提供宽带宽在高增益下（在G＝100时为200kHz）。单个外部电阻器可设置从1到10000。INA128提供了行业标准50-kΩ电阻器的增益方程。INA129增益方程使用了一个49.4kΩ的电阻器来考虑压降类似设备的更换。INA12x有塑料DIP和表面安装封装两种，指定用于-40°C至+85°C温度范围。INA128也有双配置，INA2128。应用压力变送器温度变送器磅秤心电图（ECG）模拟输入模块数据采集（DAQ）
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2023/5/19 14:14:09